首页 期刊 光电子技术 工业化N型高效双面晶体硅太阳电池扩散工艺研究 【正文】

工业化N型高效双面晶体硅太阳电池扩散工艺研究

作者:马继奎; 任军刚; 董鹏; 宋志成; 程基宽; 郭永刚 国家电投集团西安太阳能电力有限公司
n型   硼扩散   掺杂浓度   电池效率  

摘要:采用磷硼共扩散的方法制备了N型高效双面电池,通过优化背场及发射极扩散工艺,研究了扩散工艺曲线对电池电性能参数的影响机理。实验结果表明,降低背场扩散方块电阻可提高电池填充因子,同时造成开路电压(Voc)和短路电流(Isc)降低,需要在背场饱和电流密度(J0BSF)和填充因子(FF)之间找到一个平衡点;降低发射极表面杂质浓度和方块电阻并适当的增加结深,可改善与金属化栅线的接触。正面采用低浓度深结扩散工艺可改善Voc和FF,减少复合,提高Isc,电池效率增加了0.2%,平均效率达到20.41%。

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