摘要：一、背景介绍目前产业界已经生产出高性能水平结构的GaN电力电子器件,但该类型器件的主要缺陷在于耐压的提高正比于栅极到漏极的距离,因而在高压工作情况下需要更大的器件面积。此外,器件耐压水平的提高还取决于缓冲层的厚度和质量。最后,水平结构器件还受到器件表面陷阱态和聚集的高电场的严重影响,导致电流崩塌和其他可靠性问题。

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