中国钼业杂志 统计源期刊

河南钼业在崛起

作者：张文钲 刊期：2008年第02期

截止2005年，河南省已探明的钼储量为375万t，2007年钼精矿产量超过7万t（折合含Mo45%钼精矿），居全国第一，创历史新高，钼业技术创新硕果累累。建议以科学发展观为指导，又好又快地发展河南钼业。

钼精矿焙烧烟气制酸工艺探索

作者：琚成新 宫玉川 张斌 刊期：2008年第02期

将非稳态制酸技术应用到钼精矿焙烧烟气治理工艺中，烟气可实现达标排放，具有较好的经济效益和环保效益。

未来几年世界钼供需差将进一步扩大 价格坚挺

作者：光佳 刊期：2008年第02期

西方国家主要钼生产商——通用钼公司业务发展部副总裁格雷戈利麦克伦最近发表文章认为，未来的世界钼市场供给小于需求将会不断扩大，而且价格坚挺。

地下金属矿山开采技术发展趋势

作者：冯兴隆 贾明涛 王李管 宋明军 尚晓明 刊期：2008年第02期

近十多年来，现代高新技术的发展，给世界矿业带来了机遇，已成为矿业科技发展的源泉和动力。针对国内外地下金属矿山开采技术的发展，着重论述了深部开采，高效率采矿，连续化、无废化采矿，智能化、数字化矿山4个领域的发展趋势。

嵩县纸房钼矿地质特征与找矿方向

作者：温森坡 刘国印 乔保龙 刘申芬 郑福星 刊期：2008年第02期

通过对矿区成矿条件、矿体特征、矿石质量、围岩蚀变和控矿要素进行分析，对成矿期次进行划分，认为矿床成因为受层间裂隙控制的中低温热液充填石英脉型层状钼矿。对区内的矿化富集规律和找矿标志进行了总结，指出了新的找矿方向。

掺钕钼酸钆锂激光晶体及其制备方法和用途

刊期：2008年第02期

掺钕钼酸钆锂激光晶体及其制备方法和用途涉及人工晶体领域。采用提拉法，在1035℃左右，以20～55r／min的晶体转速，0．5～1mm／h的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Nd^3＋：LiGd（MoO4）2晶体。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1．06和0．9μm左右波长的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。

铜／钼／铜电子封装复合材料的制备方法

刊期：2008年第02期

本发明属于电子封装材料领域，主要应用于微电子和半导体行业的金属封装，特别是涉及一种采用轧制工艺制备铜／钼／铜电子封装复合材料的方法。该方法包括表面处理、包覆、热轧、退火、冷轧、后续处理6个步骤。本发明与现有技术相比具有制备工艺简单、易控制、适于规模化生产的优点，其成品具有高导热、尺寸适应性和一致性好、成品率高、冲压性...

金堆城钼矿增加资源储备方式的探讨

作者：睢小燕 刊期：2008年第02期

为了充分利用现有资源，不断增加资源储备是十分必要的。本文提出3种方式，开展地质探矿；合理利用低品位资源量；加强生产管理。

更正

刊期：2008年第02期

从钼酸盐溶液中分离微量钨的研究进展

作者：刘能生 朱薇 肖连生 刊期：2008年第02期

从钼酸盐溶液中深度分离钨日益为科研工作者及生产厂家所关注。本文介绍了目前国内外钼酸盐生产中分离微量钨的工艺进展，并对今后的研究方向提出了粗浅的看法。

西方国家八大钼生产商钼产量近两年减产

作者：光佳 刊期：2008年第02期

据《CUR》报道，2005～2007年西方主要八大钼生产商钼产量减产，引起世界钼供给小于需求，库存减少，价格居高不下，详情见表1。

高铜非标钼精矿处理研究进展

作者：王燕 刊期：2008年第02期

高铜非标钼精矿不适合采用传统冶炼工艺处理。目前处理高铜非标钼精矿主要有加压浸出、焙烧-酸浸、电化学浸出和生物浸出等工艺方法，本文着重阐述高铜非标钼精矿的研究进展情况。

必和必拓计划新建钼加工厂

作者：徐爱华 刊期：2008年第02期

近日有报道称，全球最大的矿业公司——必和必拓可能在其智利北部的Escondida矿山新建一钼加工厂，计划年产能为5000—12000t钼精矿。

废催化剂中钼和钨的溶剂萃取分离研究

作者：赵小翠 郑明东 黄宪法 桂林 刊期：2008年第02期

采用溶剂萃取法对废钼催化剂中的钨钼分离进行了研究，考察了影响钼浸出率的各种因素，并对影响钨钼分离萃取过程的因素进行了初步分析。结果表明，当焙烧温度在600℃，焙烧时间3 h，浸取温度为90℃，液固比为3∶1时，钼的浸出效果最好，萃取率可达98%以上。在一定条件下，钨的单级萃取率可达98%以上，萃余液中W/Mo〈0.01%，钼的损失率小于0.5%...

2007年中国钼储量和消费量均居世界第1位

作者：光佳 刊期：2008年第02期

据美国地质调查局于2008年1月发表的“矿产商品要览”（Mineral Commodity Summaries）和英国金属商品研究所（CRU）发表的Molybdenum（钼）统计，2007年中国钼储量及消费量均居世界第1位，详情见表1、表2。