摘要：在半导体领域的生产中,光刻是集成电路和分立半导体器件生产过程中的一道关键工序,是利用光刻胶的感光性和耐蚀性在硅系材料或金属膜上复印出与掩版完全对应的几何图形,以实现选择性掺杂和金属布线的目的。通俗地讲,也就是用光来复印图形的工艺。一般分离器件需要光刻5~6次,复杂的集成电路需要光刻几十次。光刻在半导体工艺中成本也占了相当大一部分,其中光刻胶的使用成本在光刻工艺中也占据重要部分,所以在不影响质量的前提下降低光刻胶的使用成本也是各个半导体工厂的重要工作。本文主要讨论了国产光刻胶替代进口光刻胶的各项参数对比。

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