首页 期刊 集成电路应用 IC中100纳米以下栅层叠技术 【正文】

IC中100纳米以下栅层叠技术

作者:赵智彪 应用材料(中国)公司
技术   层叠   纳米   半导体器件   ic  

摘要:随着半导体器件特征尺寸的不断微缩(Scaling),大量的新材料、新技术、新工艺以及新结构在集成电路的设计和制造中不断涌现。本文对近年来在100纳米以下半导体逻辑电路中普遍使用的栅层叠技术(gate stack)进行简要介绍,包括栅氧化层、氧化层的掺杂、掺杂元素的激活以及栅电极生长的集成工艺技术。

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