摘要：用化学共沉淀法结合离子交换法，以InCl3溶液和SnCl4·5H2O为原料，制备ITO粉体。对ITO前驱体进行TG—DTA分析，用TEM和XRD等对ITO粉体的形貌、物相和粒度进行表征，探讨煅烧温度和掺锡量对粉体物相、粒度和导电性能的影响。结果表明，在煅烧温度332℃以上发生晶型转变，获得立方In2O3结构的球形纳米ITO粉体，具有纯度高、粒度均匀、分散性好等特点。在700℃掺Sn量为10％时，晶形结构完善，晶粒粒度最小，粉体电阻最小，导电性能最好。通过团聚系数可以判断粉体的团聚情况，团聚系数越小，粉体分散性越好。

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