摘要：2004年以来,石墨烯因其优异的光学、电学性质而被广泛地研究,但由于其零带隙的特性极大地限制了它的应用前景。单层的VIB族过渡金属硫化物（TMDs）拥有类似石墨烯的晶体结构及可控的能带结构,是一类理想的二维直接带隙半导体材料,不仅可用于探索如谷极化等一些基础和前沿的物理问题,也可以广泛应用于纳米器件、光电子学和光催化的研究。近年来,化学气相沉积（CVD）技术作为一种相较于传统化学合成或物理剥离更加有效的制备方法被引入此类材料的生长,能够合成出拥有大面积连续的、厚薄均匀和较高晶体质量的单层TMDs。基于此,重点介绍了利用CVD技术生长单层TMDs所取得的进展,讨论了各工艺条件（如反应温度、载流气体、衬底、前驱物与衬底之间的距离等）对单层TMDs的生长及性质的影响。最后,探讨了利用CVD技术实现调控单层TMDs的尺寸、覆盖度和层厚均匀性的途径和方法。

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