作者:陈国云 辛勇 黄福成 魏志勇 雷升杰 黄三玻 朱立 赵经武 马加一 期刊:《物理学报》 2012年第08期
近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子,1,射线混合场监测的辐射探测器之一.研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得:当涂硼电离室的工作电压在700V以下时,漏电流小于1.0pA;用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500V坪斜为3.72X10-4V-1:当涂硼电离室的工作电压为400V时,对应漏电流为0.4pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关,将A...
作者:左宏 李朝晖 期刊:《中国医疗设备》 2016年第03期
目的提高高频电刀临床应用的安全性及准确性。方法采用ES601电气安全检测仪与HF-400高频电刀检测仪,严格按照检测规范对高频电刀进行检测,对不合格原因进行分析。结果不合格的原因有多种,其中高频电流不合格为主要原因。结论加强设备日常的维护保养,针对不同情况采取不同的措施来提高设备的安全性及合格率。
作者:黄华 刘亚军 期刊:《中国医疗设备》 2013年第01期
高频电刀分析仪是用于检定高频电刀输出功率的质控检测设备。本文以METRON的QA—ES高频电刀分析仪为参考,对其测量采集高频电刀输出功率的电路设计与实现进行了详细探讨,包括电源供电、可变负载、功率测量以及模数转换等功能单元。
作者:原凤英 安立群 期刊:《天津科技大学学报》 2013年第06期
采用导纳谱对SiGe双层量子点进行测试,通过对测试数据分别进行多频和单频处理,发现两者获得的激活能存在差别,原因主要来自衬底肖特基势垒或是缺陷、杂质等漏电流产生的附加电导.因此,对量子点样品的衬底材料P型si进行导纳谱测试,从理论上分析和给出其电导的具体形式,并给出具体参数α作为判断附加电导影响大小的依据.对量子点样品的导纳谱测试结果进行修正,在总电导上减去附加电导,使单频和多频的处理结果完全一致,从而...
作者:刘祥珺 杨东升 期刊:《造船技术》 2014年第03期
舰船电力网络在发生绝缘故障时出现的故障电流往往包含丰富的高频信号。在舰船电力网络绝缘监测系统研究中,故障电流特别是暂态电流的有效提取和分析是重点也是难点,它的精度是保证绝缘监测系统运行准确性的关键。本文重点对电流传感器进行相关理论分析,根据传感器的等效电路模型,通过一定的仿真研究与实验分析,验证其对于故障漏电流拾取的可靠性,为舰船电网信号检测提供有效的手段。
成型模具对电容器产品的性能存在比较大的影响,它影响到电容器的漏电流和可焊性的相关参数。为了提高电容器产品的质量,通过相应的调查、实验以及对比探析等方法,研究如何减少成型模具对电容器产品性能的影响。根据研究结果探讨成型模具的调整对策以及科学的维修注意事项,以此来提高电容器产品的质量。
作者:聂华 张风 卢倩楠 云朵 廖云芝 期刊:《电子设计工程》 2013年第17期
为了让读者确实理解TTL与非门与OC门的区别,熟练地掌握OC门的应用,通过对TTL与非门的分析,和对其弊端的指出,说明研制OC门的理由,总结了OC门上拉电阻的作用和计算方法,对OC门上拉电阻的计算方法有立新的说明,总结了OC门的所有优点。
作者:石维 杨邦朝 张选红 方鸣 马建华 李玮 王兴伟 期刊:《化工进展》 2013年第04期
介绍了阳极Ta2O5薄膜的电化学形成机理,并重点分析了电化学形成的Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展。描述了影响电化学Ta2O5薄膜生长的关键因素,包括氧含量、杂质缺陷和薄膜晶化等;分析了Ta2O5薄膜漏电流机理,如空间电荷限制电流(SCLC)、Fowler-Nordheim(F-N)导电机理、Pool-Frenkel(PF)发射、Schottky(S)发射等。最后展望了降低电化学Ta2O5薄膜材料的漏电流的理论及技术发展前景,Ta2O5薄膜后期的热处理、高分子增强塑性和复...
作者:王一 杨海钢 余乐 孙嘉斌 期刊:《电子与信息学报》 2013年第11期
从通道互连结构角度考虑,该文提出一种降低FPGA中开关矩阵漏电流的方法。根据漏电流与电路输入、输出状态有关的结论,利用连线开关盒(SWB)对信号的传输特性,将FPGA中开关矩阵的漏电优化等效在小规模的矩阵单元中实现。因为能够在有限的输出状态组合中搜寻最小漏电状态,相比仅通过电平恢复器确定SWB输出状态的方法,该算法能有效地降低漏电流,并且兼容电路级的漏电流优化方法。
作者:文娟辉 杨琼 曹觉先 周益春 期刊:《物理学报》 2013年第06期
基于密度泛函理论的第一性原理并结合非平衡格林函数, 探讨了应变对 BaTiO3 铁电薄膜漏电流的影响规律.研究表明,压应变能有效地抑制BaTiO3 铁电薄膜漏电流, 特别是当压应变为4%时,其漏电流相对无应变状态降低了近10 倍.通过考察体系的透射系数和电子态密度发现: 一方面压应变状态下铁电隧道结的透射几率要比张应变时小,特别是在费米面附近;另一方面随着张应变过渡至压应变时,价带的位置逐渐向低能区移动而导带向高能区移动,导致...
作者:韦源 谢红刚 贡顶 朱金辉 牛胜利 黄流兴 期刊:《强激光与粒子束》 2013年第04期
将粒子输运的蒙特卡罗方法与器件数值模拟的有限体积法相耦合来模拟典型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的长期辐射效应。二氧化硅中的陷阱电荷及硅巾的自由电子和空穴均使用漂移扩散模型来描述,入射粒子的能量沉积可作为源项耦合至漂移扩散模型方程,并根据有限体积法得到控制方程的离散格式,方程的数值解即为MOSFET的长期辐射响应结果。使用该方法模拟了MOSFET受射线粒子辐照后的阈值电压漂移与关态漏电流现象。结果表明,...
随着半导体工艺的不断提升,晶体管越来越小,其沟道长度也逐渐变小,漏电流成了棘手的难题,人们一度怀疑摩尔定律的有效性。然而,3D晶体管的出现,有效地解决了漏电流的问题,使晶体管的性能大大提升。
基于TLC7135及nRF24LE1设计一种微安电流表,内置2.4GHz线收发器能嵌入产品中进行长时间在系统跟踪测量,并作为无线电流传感器通过无线网采样测量传输数据,文章分析微电流测量原理并设计硬件电路,借助Proteus软件进行仿真研究,定量分析测量误差与测量精度,仿真结果与真实值相差±1个字,电流表分辨率为1/20 000,与14bit A/D转换器结果相同,20μA档的电流分辨为1nA,可用于半导体漏电流或待机机器电流测量。
作者:代海洋 陈镇平 薛人中 李涛 许继峰 期刊:《电子元件与材料》 2013年第03期
采用固相反应法制备了(1-x)BiFeO3-xBaTiO3多晶陶瓷样品,研究了BaTiO3添加对BiFeO3陶瓷结构、电学性能的影响。结果表明:当X由0增加到0.4时,样品的相结构由三方钙钛矿结构逐渐转变为立方结构,杂相有效消除;漏电流密度从1.1×10^-5A·cm^-2下降至1.1×10^-7A·cm^-2,相对介电常数提高了2.6倍,剩余极化强度增加了近20倍。
作为全球首款Cortex—A15架构的四核处理器,NVIDIATegra4到底有何过人之处,能否再续Tegra3的辉煌呢? 如何驾驭新架构 NVIDIATegra4代号为“WAYNE”(蝙蝠侠中的韦恩),基于台积电的28nmHPLHKMG制程工艺设计,优化了漏电流和峰值频率,从而可以实现最高1.9GHz的主频。此外,Tegra4也成为7Tegra家族中首款支持双通道内存(LP.DDR3/DDR3L/LPDDR2)的处理器,彻底结束Tegm3内存性能不足的历史。
作者:刘建科 王秀峰 陈永佳 期刊:《功能材料》 2013年第B12期
主要研究了Pr掺杂对Zn—Bi系压敏电阻的性能的影响。当Pr6O11掺杂量为5.49%(质量分数),烧成温度为1150℃时,压敏电压达到400V/mm;当Pr6O11。掺杂量为3.37%(质量分数),烧成温度为1200℃时,非线性系数达到48。研究还发现Pr—Y共掺杂能显著地提高Zn—Bi系压敏电阻的压敏电压,但会对体系的非线性系数和漏电流产生不利影响。
本文是针对半导体整流器件高温性能负荷试验后,如何进行其准确的漏电流测试设备的研制进行简析。
作者:高成芳 王焕友 期刊:《电子世界》 2014年第14期
介绍了过套管电阻率测井技术的测井原理,研究了俄罗斯的CHFR与斯伦贝谢过套管电阻率测井技术,发现了漏电流的测量易受干扰,建立了过套管电阻率测井刻度系统来实现仪器标定与检测,提高测量的精确度;采用了集中参数代替分布参数形式的精密电阻阵列模拟地层视电阻,提高了地层介质的电阻率模拟的动态范围可达到1Ω·m~300Ω·m,满足了过套管电阻率测井的技术要求测量范围为:1Ω·m~100Ω·m。针对刻度系统采...
日前Vishay宣布,两颗新的双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管——VBUS0381-SD0和VCUT03E1-SD0。这两款二极管的r作电压范同低至33V,具有超低的电容和漏电流,可保护高速数据线路和天线免收瞬变电压信号的影响。
作者:宁莉 王淼 期刊:《黑龙江科技信息》 2014年第23期
本文通过论述MOSFET的模型,推导阈值电压计算公式,得出影响阈值电压的诸多因素,其中最大的影响因素就是栅氧厚度和衬底掺杂浓度。进而阐述阈值电压调整的方法和晶圆制造中实际测试阈值电压的方法。