摘要:采用导纳谱对SiGe双层量子点进行测试,通过对测试数据分别进行多频和单频处理,发现两者获得的激活能存在差别,原因主要来自衬底肖特基势垒或是缺陷、杂质等漏电流产生的附加电导.因此,对量子点样品的衬底材料P型si进行导纳谱测试,从理论上分析和给出其电导的具体形式,并给出具体参数α作为判断附加电导影响大小的依据.对量子点样品的导纳谱测试结果进行修正,在总电导上减去附加电导,使单频和多频的处理结果完全一致,从而得到更加准确的结果.
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