作者:韦敏; 贾利军; 邓宏 期刊:《实验科学与技术》 2020年第01期
设计了基于集总参数测试技术测量固体电介质的介电谱实验,具体采用失谐法和自动平衡电桥法两种测试技术测量介质材料的频率特性与温度特性,测试对象覆盖了固体电子学中的几种典型介质材料,如Al2O3复合陶瓷、PCB基板及铁电陶瓷等。面向电子科学与技术专业本科生设计实验教学方案,培养学生的科学思维和实践动手能力。
作者: 期刊:《智能建筑与智慧城市》 2004年第12期
数据线缆进水了以后会有哪些影响呢?当线缆进水后,线缆的特性阻抗会发生变化。这主要是由于电介质由空气变成了水。任何电介质的改变都会影响特性阻抗。当您解开绞结在一起的线缆时,特性阻抗会增加,因为您增加了导体间有空气的空隙(改变了电介质)。
原理两片互相绝缘而又接近的金属板可以组成一个电容器。当两片金属板的相对面积和相对距离不变时,该电容器电容量的大小取决于电介质的介电常数的大小。
作者:叶晟波 期刊:《中学物理教学参考》 2012年第12期
对电容式位移传感器原理,一般认为,当被测物体带动电容器极板间电介质移动时,电容器电介质的相对介电常数发生变化,引起电容器的电容发生变化.这样的解释有待商榷.因为当电介质板在平行板电容器内移动时,空气与电介质板的相对介电常数并没有改变,插入电介质板后,是空气电容器与电介质板电容器并联后的总电容由于正对面积的变化而引起的电容变化.而且,电容的变化与位移是按线性规律变化的.
作者:Peter; Milonni 期刊:《量子光学学报》 2006年第B08期
作者:姚佳烽; 姜祝鹏; 徐梓菲; 刘夏移; 陈柏; 吴洪涛 期刊:《生物化工》 2018年第02期
本文利用电化学阻抗谱(EIS)对酵母菌细胞的介电性能进行了探究,通过实验,测量了酵母菌细胞悬浮液的电容,并计算出相对介电常数和介电损耗。结果显示,随着酵母菌细胞浓度的增加,相对介电常数和介电损耗也增加。此外,实验结果还显示活细胞的相对介电常数和介电损耗高于死细胞。本研究证明,EIS方法可用来检测细胞悬浮液的状态。
近日,TDK公司研发出一种用于额定电压100V的中压用陶瓷积层贴片电容器,并计划于2014年7月开始量产和销售。该产品采用了TDK陶瓷电介质薄层技术和叠层技术,将电容量提升到了业内中压同类产品的最高水平。
作者:杨修文; 石义杰; 魏方波; 朱喜仲 期刊:《汉江师范学院学报》 2007年第03期
介绍了一个测定介质的介电常数与磁导率的实验方法和实验装置,并基于此装置进行了实际测量,理论和实际相符的较好.
该实用新型提供了一种高频传输线路。高频传输电缆(10)的传输线路部(20)包括电介质主体(200)。在电介质主体(200),从第一主面侧沿着厚度方向,形成接地导体(211)、信号导体(221)、以及接地导体(231、232)。从与第一主面垂直的方向观察,接地导体(231、232)设置在与信号导体(221)不重叠的位置。接地导体(2221、2222)形成在电介质主体(200)的厚度方向上与信号导体(211)相同的位置上。接地导体(2221、2222、23...
西安交通大学科研人员发现了基于全新原理的巨大电致变形效应,并研究开发出对环境无污染的无铅压电材料。国际学术界和业内人士认为这种效应是铁电材料领域的重大突破。国际权威英文杂志《自然》材料分册2月2日发表了这所大学多学科材料研究中心主任任晓兵教授的这一重大成果。据任晓兵教授介绍.
作者:杨松; 李玉明; 周集体; 胡军 期刊:《环境工程学报》 2004年第06期
使用了一种新型的电化学反应器--三维三相流化床电极用于处理苯胺的实验研究.得到了气量大小、外加电压、电介质浓度、pH值、原水浓度、反应时间等因素对苯胺溶液COD去除率的影响规律,并对之进行了合理的解释和分析.结果表明,用三维三相流化床电极,在一定条件下,苯胺可基本被全部氧化.初步论证了苯胺电解过程中有中间产物的生成.
中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所(筹)研究人员在电介质储能材料领域研究中获得新进展。该研究通过对填咄粒子的设计,将具有高介电常数的钛酸锁粒子与具有高击穿强度、高热导率的氮化硼纳米片进行结合,形成特殊结构的复合粒子,与聚合物复合后可显著地提高复合材料的击穿强度和介电储能性能。
随网络的普及,电子文献的使用越来越普遍。但不少作者由于对电子文献的著录规则不清楚,常发生书写错误。现自国家标准"文后参考文献著录规则(GB/T7714-2005)"中,摘录有关电子文献的著录要求,供大家参考。电子文献(electronic documents)是以数字方式将图、文、声、像等信息存储在磁、光、电介质上,通过计算机、网络或相关设备使用的记录有知识内容或艺术内容的文献信息资源,包括电子书、数据库、电子公告等。具体著录要求如下。
作者:姚荣斌; 杨全民; 孟宪松 期刊:《连云港师范高等专科学校学报》 2005年第02期
文章推证了ε→∞时的电介质为导电体.
在去年12月,AMD的研究员向世界宣布他们已经完全掌握了SOI芯片制造技术,并宣布很快要把这项技术运用到处理器的大规模量产中,他们表示未来的处理器性能将会有大幅提升,一时间,网络中风起云涌,SOI这3个字母高频的出现在各太硬件网站上,那么SOI完竟是何物?它为什么对于芯片制造行业带来如此大的冲击呢?下面就请笔者为您作一个简介。
作者:杨格丹; 王永晨; 赵杰; 车经国; 张淑云 期刊:《光子技术》 2004年第03期
采用PECVD技术在1.55μn InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子...
作者:朱洪玉; 刘美驹 期刊:《内江师范学院学报》 2005年第02期
根据电荷守恒,Maxwell方程组,静电场边值问题的唯一性定理与能量最低原理分析了电容器的分解与组合,讨论并解决了一个充填有4种不同电介质的电容器之疑难.
High dielectric constant (high-k) materials are vital tothe nanoelectronic devices.The paper reviews research development of high-k materials, describes a variety of manufacture technologies and discusses the application of the gate stack systems to non-classical device structures.
作者:杨专钊; 刘道新; 唐长斌; 张晓化; 高广睿 期刊:《全面腐蚀控制》 2004年第06期
为了更多地获得电偶腐蚀的信息并揭示其本质规律,提出了电偶腐蚀试验实时监测模型.通过选用不同设备对试样的电偶腐蚀微小电流的测量,结果发现:选用现成设备测量试样的电偶腐蚀微小电流时,测量电流波动非常大,噪声明显超过实际信号输入--电偶腐蚀电流.经自行开发研制的MCD01电偶腐蚀计可以准确的测量腐蚀电流,特别是微小电偶腐蚀电流.
击穿(breakdown)电介质在电场作用下丧失了原有的绝缘性质的现象。电工设备中引起事故的重要原因。发生击穿的电压称“击穿电压”,其数值与材料的种类、厚度及使用时的温度、压力等因素有关。