摘要：通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管（IGBT）设计与制造的关键。基于＂U＂形增强型双扩散金属氧化物半导体（DMOS^＋）元胞结构、增强型受控缓冲层（CPT^＋）及横向变掺杂集电极（VLDC）技术、横向变掺杂（VLD）终端结构等关键技术,研发了具有低通态损耗的6 500 V平面栅IGBT芯片及其配套快恢复二极管（FRD）芯片。将IGBT及FRD芯片封装成750 A/6 500 V IGBT模块并对其进行测试、试验,其动、静态特性与安全工作区（SOA）性能优良,满足我国高速动车组、大功率机车等轨道交通牵引的应用要求。

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