杂志简介：《电子元件与材料》杂志经新闻出版总署批准，自1982年创刊，国内刊号为51-1241/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：新能源材料与器件专题、研究与试制
杂志简介：《电子元件与材料》杂志经新闻出版总署批准，自1982年创刊，国内刊号为51-1241/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：新能源材料与器件专题、研究与试制
作者：陈发云 张来军 邹如意 刘晓作 刊期：2009年第12期
以盐酸羟胺为N源，按r（盐酸羟胺：钛酸四丁酯）分别为1：2，1：1，3：2，2：1和3：1掺杂，采用sol—gel法一步制备N掺杂纳米TiO2。研究了焙烧温度和N掺杂量对样品晶相结构及其在紫外光和紫外-可见光下对罗丹明B光催化活性的影响。结果表明，增大N掺杂量可抑制样品由锐钛矿相向金红石相转变。r（盐酸羟胺：钛酸四丁酯）为2：1时，样品经500℃焙...
作者：李月明 张斌 张华 廖润华 刊期：2009年第12期
采用固相反应法，以Ca0.3（Li0．5Sm0．5）0.7TiO3（CLST-0．7）陶瓷为基料，掺杂质量分数为10％的CaO—B2O3-SiO2（CBS）氧化物和2％～6％的Li2O—B2O3-SiO2-CaO—Al2O3（LBSCA）NN料为复合烧结助利，研究了LBSCA掺杂量对CLST-0．7陶瓷的低温烧结行为及微波介电性能的影响。结果表明，复合烧结助剂掺杂促使CLST-0．7陶瓷烧结温度降低了200～300...
作者：邓超 张树人 唐斌 周晓华 刊期：2009年第12期
按照非化学计量比配料，采用固相反应法制备了纯MgTiO3粉体，并在MgTiO3粉体中掺入CaTiO3以调节MgTiO3陶瓷的介电常数温度系数τε，掺入Nd2O3或CeO2改善其Q·f值、绝缘特性及微观形貌。结果表明：MgO与TiO2按照摩尔比1．03：1：00配料并提高预烧温度至1100℃，可以消除杂相得到高纯度MgTiO3粉体。最终获得了εr=17．8，Q·f=65000（7GHz），τε=±10^-...
作者：李宝剑 张树人 周晓华 路标 何茗 刊期：2009年第12期
采用高温熔融-水淬法制备了CaO—B2O3-SiO2系微晶玻璃。通过烧结点实验仪、梯温炉、DTA、XRD对其烧结性能、析晶性能、致密性及介电性能进行了研究。结果表明：可应用于LTCC基板材料的微晶玻璃组成为：x（SiO2）为18．0％、x（CaO）为36．8％、x（B2O3）为45．2％；该微晶玻璃在723℃附近开始软化，771℃析出硼钙石晶体；经850℃烧结1h后得到的...
作者：胡素梅 刊期：2009年第12期
采用共沉淀法制备SnO2-LiZnVO4系湿敏材料，研究了LiZnVO4的掺杂量对材料湿敏电容的影响。结果表明：LiZnVO4的掺杂量，环境的相对湿度（RH）、测试信号频率对湿敏电容有较大影响。当x（LiZnVO4）为10％时，可使材料具有合适的低湿电容和灵敏度。在100Hz下，当环境的RH从33％上升到93％时，SnO2-LiZnVO4系湿敏材料制备的湿敏元件的电容增量可达...
作者：崔千红 杨子健 韦波 杨建红 刊期：2009年第12期
以正胶光刻和干湿刻蚀方法，结合CMOS工艺制备了聚酰亚胺电容型湿度传感器。研究了硅基、钼-铝栅条状电极湿度传感器的结构及亚胺化温度对其性能的影响。结果表明：相对湿度（RH）为20％。80％发生准静态变化时，该传感器的湿度一电容曲线具有较好的线性度；外界相对湿度在12％和92％间发生阶跃变化时，响应时间约为40s。
刊期：2009年第12期
大会宗旨：民技军用、民资军用、军民结合、产学研一体化 会议议题： 1．军工电子元器件在武器装备上的应用现状和发展趋势； 2．军用电子元器件的关键材料与技术（单晶、陶瓷、聚合物、复合材料、防静电材料、纳米、非晶、微晶、金属等）；
作者：李永安 樊战亭 吉军 刊期：2009年第12期
以传统的双调谐带通滤波器为原型，先利用CCCⅡ设计出V-I变换器、模拟电阻、接地和浮地模拟电感，再用这些基本电路模块分别代替滤波器原型中的端接电阻、接地和浮地电感等，从而设计出了电控双调谐四阶电流模式带通滤波器。讨论了弱耦合、强耦合和临界耦合三种现象。在临界耦合条件下，滤波器的中心频率为10．916080MHz，3dB带宽为2．828MHz。...
作者：曾凡菊 李玲 周超 刊期：2009年第12期
采用sol-gel法在玻璃衬底上制备ATO（SnO2：Sb）薄膜，并用XRD、SEM、紫外-可见光谱和光致发光对薄膜进行了表征，研究了ATO薄膜的结构和光学性能。结果表明：ATO薄膜微晶晶相与SnO2一致，仍然是四方金红石结构；ATO薄膜在可见光区的透过率超过80％，当r（Sb：Sn）为0．15时，ATO薄膜的透过率最高达87％；ATO薄膜在344-380nm处有一个很强的紫外-...
作者：温建武 滕元成 李玉香 王进 任雪潭 刊期：2009年第12期
采用辐照凝胶法制备了锂离子电池正极用LiNi1／3Co1／3Mn1／3O2粉体材料。采用XRD、SEM和电化学充放电测试对制备材料的结构和性能进行了表征。结果表明：900℃制得的样品具有较好的层状结构，结晶性适中，电化学性能优异：其首次放电容量高达184mA·h／g（2．80～4．50V，C／10），30次循环后的容量保持率为87．4％，表现出较好的充放电容量和循...
作者：杨海峰 邢孟江 李跃进 刊期：2009年第12期
设计了一种小型化的低温共烧陶瓷（LTCC）滤波器，该滤波器电路由电容耦合的二阶谐振腔组成。设计了该滤波器的三维多层结构，利用组件间的耦合效应，产生一个传输零点，提高了滤波器性能。仿真结果表明，该滤波器中心频率为3．41GHz，相对带宽为5．9％（200MHz），体积为3．8mm×2．8mm×0．8mm，在S波段的通讯，雷达等射频系统有广泛的应用。
作者：何俊刚 陈环 王莉 刘志宇 傅刚 刊期：2009年第12期
以二水合醋酸锌为原料，采用sol-gel法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。用AFM观察表面形貌，通过测量真空条件下不同温度热处理后薄膜的I-V特性，拟合计算晶界势垒高度。研究了热处理温度对ZnO薄膜性能的影响。结果表明：经650℃热处理制备的ZnO薄膜样品具有较佳性能，结构均匀致密，粒径分布为20-32nm。在10V偏压和1．24×10^-3W／cm^2光强下，紫外...
作者：王玉强 刘保亭 孙杰 郭哲 范志东 彭英才 刊期：2009年第12期
采用脉冲激光沉积（PLD）法在Pt／Ti／SiO2／Si（001）基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜，对PVBST／Pt电容器在空气中进行400℃快速退火（RTA）处理，研究了快速退火对Pt／BST／Pt电容器的结构和性能的影响。结果表明：快速退火虽然对BST薄膜的结晶质量影响较小，但却极大改善了Pt／BST／Pt电容器的电学性能。当测试频率为100kHz、直流偏...
作者：杨静 何业东 杨宏 刊期：2009年第12期
采用对比实验，研究了腐蚀工艺对低压电子铝箔耐蚀性的影响。当腐蚀溶液中w（HCl）为15％-25％、w（H2SO4）为10％-20％，温度为85℃，电流密度为0．40A／cm^2，腐蚀时间为3min时，铝箔腐蚀效果最佳，其耐蚀性数值（腐蚀前后质量差值与原光箔质量之比）为0．70％～0．83％。该工艺可迅速准确地判断低压电子铝箔的耐蚀性，平均每个样品所花时间仅...
作者：佘希林 李志国 王士财 刊期：2009年第12期
以多孔阳极氧化铝（AAO）为模板，采用直流电沉积的方法，制备了磁性金属Ni纳米线阵列。选用SEM、TEM、XRD等测试手段，对其微观形貌和结构进行了表征。结果表明：制得的Ni纳米线阵列排列规整、长度一致、直径与模板孔径基本一致，约为250nm，而且是结构紧密的多晶体。研究了电沉积时间对Ni纳米线长度的影响，发现电沉积时间应不超过15h。
影响因子：0.91
期刊级别：北大期刊
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