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Recent Development in Reliability Physics and Failure Analysis
作者：Guang-bo Gao
刊期：2009年第B10期
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FIB的工作原理及其应用
作者：章晓文 林晓玲 陈嫒
刊期：2009年第B10期
介绍了聚焦离子束显微镜的基本功能及工作原理，分析了影响离子束显微镜影响的因素。详细介绍了气体在聚焦离子束系统中的作用，对刻蚀气体与沉积气体种类进行了介绍，刻蚀气体可对不同的材料进行选择性的刻蚀，而沉积气体可以沉积金属或介质，以进行电路的修改。
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芯片剥层技术在集成电路失效分析中的应用
作者：陈媛 李少平
刊期：2009年第B10期
随着集成电路向多层结构方向的发展，对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性。本文介绍了失效分析中去钝化层，金属化层和层间介质等的各种方法，包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法，结合图例进行剥层前后对比分析，并通过实例说明剥层技术在集成电路失效分析中的重要作用。
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提高能谱仪定量分析准确度的探讨
作者：施明哲 张惠 朱惠姬
刊期：2009年第B10期
本文就围绕着如何才能把能谱的定量分析结果做的准确这个能谱用户最关心的问题，从电镜、能谱仪和样品这三方面入手展开探讨，文中首先讨论SEM的加速电压、空间分辨力、电子源、光栏和束斑、出射角以及工作距离等；然后再讨论谱仪本身的能量分辨力、能量坐标的标准、计数率与放大器时间、探测器的效率、背底的扣除、CPS以及采集时间等；最后简略...
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氦质谱细检漏国军标的修改方案
作者：王庚林 王彩义 王莉研 董立军 李飞
刊期：2009年第B10期
以前期研究成果为基础，计算机分析了国际电工委员会标准和我国国家标准中密封严酷度分级的氦质谱细检漏测量漏率判据，提出了进行密封严密度分级的国军标修改方案及相关因素的处置方法。
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电子元器件的失效模型与可靠性试验方法浅析
作者：王志刚 戴柏林 张必超
刊期：2009年第B10期
本文介绍了电子元器件的失效类型、失效模型，并从元器件失效模型的角度简要分析了电子设备环境试验与可靠性试验的理论依据及原理。
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加速寿命试验中修正阿伦尼斯加速因子的研究
作者：李进 李传日
刊期：2009年第B10期
阿伦尼斯（Arrhenius）加速因子常用于可靠性加速寿命试验（ALT）或环境应力筛选（ESS）的温度应力加强寿命模型中，但事实上Arrhenius加速因子之间存在着矛盾，本文首先提出这一矛盾，接着从激活能的定义及物理意义进行分析，说明了引起矛盾的原因，并最终得出修正Arrhenius加速因子。
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基于概率选择模型的多失效模式可靠性建模分析
作者：易帆帆 张春华 汪亚顺
刊期：2009年第B10期
传统可靠性模型难以处理多失效模式可靠性建模问题，针对这一情况，本文提出了基于概率选择模型的可靠性模型及方法，通过引入概率选择因子将各失效模式下系统可靠度联系起来，能够更加在精确描述系统可靠性。最后将概率选择模型应用于某型鱼雷动力系统多效模式可靠性建模，通过对比研究和Monte Carlo仿真验证了新模型的正确性与有效性。
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电子元器件快速评价新方法的应用研究
作者：李志国 郭春生 吕长志
刊期：2009年第B10期
本文提出了电子元器件一种新的快速评价方法（CETRM），具有快速、准确、成本低，效率高等优点。能快速准确地确定元器件退化的失效敏感参数、退化机理；可对单样品求出与失效机理相应的失效激活能和寿命；通过多样品试验，可得到寿命分布，寿命加速特性和失效率等可靠性参数。以高频小功率管3DG130样品为例，通过验证实验和与现场数据对比，证...
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表贴元器件常见的失效模式及机理分析
作者：范士海
刊期：2009年第B10期
由于表贴元器件具有体积小，重量轻，集成度高，性能优良的优点，随着武器装备系统向着小型化、智能化方向发展，表贴元器件越来越多地应用在高新武器装备系统中。但是，由于器件本身的结构以及材料等方面的原因，表贴元器件在应用中容易产生一些特有的失效模式。本文通过一些表贴元器件典型的失效案例，分析了元器件的失效机理，重点剖析了元器...
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航天产品长期贮存失效分析研究
作者：齐俊臣 李新俊 朱三可 彭道勇 李祥臣
刊期：2009年第B10期
本文介绍了导弹产品贮存过程中性能变化的主要影响因素，分析了典型产品在长期贮存过程中的失效模式、失效机理、失效影响等内容，并针对这些问题提出了一些建议，以供参考。
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国产半导体器件长期贮存试验研究
作者：高兆丰 高金环 徐立生
刊期：2009年第B10期
本文通过对北方实验室条件下贮存25年的国产商用高频小功率晶体管进行研究，找到三种失效模式。考虑到现代技术可消除的因素（或已焊接使用），计算预计80年代的国产商用器件储存失效率水平小于10^-7/h。
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国产晶体管的长期贮存可靠性
作者：吕长志 张小玲 谢雪松 程尧海 王东凤 李志国
刊期：2009年第B10期
测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性。贮存37年的3DK7F 100只中，1只发生致命性失效；4只晶体管的共射极直流电流放大倍数hFE减小超规范失效，其最大退化率为-50%，年均退化率-1.35%，存贮29年的3DG101F，7只中有3只hFE的减小超过-30%，占该批晶体管43%，hFE最大退化从110减小到73，退化率为-34%，年均退化率-1.2%。存贮30年的J3A...
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用加速试验评估器件长期贮存寿命的研究
作者：张小玲 谢雪松 吕长志 李志国
刊期：2009年第B10期
电子元器件长期贮存条件下，主要受到温度、湿度、盐雾气氛等环境应力影响而失效。而将这些影响因素扩大来快速评价器件的长期贮存可靠性是目前器件可靠性研究的重点之一。本文给出了几种常用的加速应力模型及其适用条件。
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高可靠应用的塑封微电路升级筛选和鉴定的探讨
作者：杨少华 来萍
刊期：2009年第B10期
介绍了塑封微电路（PEM）的可靠性问题，以及应用、筛选和鉴定研究状况，探讨了PEM在高可靠应用中的破坏性物理分析（DPA），筛选、鉴定等技术方法及其注意事项。
