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钝化介质层对功率GaAs MESFET的栅-漏击穿特性影响
作者：费庆宇; 黄云
刊期：2004年第02期
用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据.
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声明
刊期：2004年第02期
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双向电流应力下的金属膜电迁移机理研究
作者：章晓文; 恩云飞
刊期：2004年第02期
对脉冲应力作用下金属铝膜的电迁移失效机理进行了研究,研究了纯交流应力对金属铝膜电迁移可靠性的影响,对影响测试结构的相关因素作了详细的描述.借助于脉冲波形的傅里叶级数分解,研究了一般交流应力条件下金属化电迁移的影响因素,建立了一般交流应力条件下金属铝膜电迁移寿命模型.
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高温恒定电场栅氧化层TDDB寿命测试方法研究
作者：王涛; 李斌; 罗宏伟
刊期：2004年第02期
介绍了薄栅氧化层TDDB可靠性评价的高温恒定电场试验方法,并完成了E模型的参数提取,同时以MOS电容栅电流Ig为失效判据,对某工艺的MOS电容栅氧化层TDDB寿命进行了评价.该试验方法解决了在高温条件下对工作器件进行可靠性评价的问题,方法简便可靠,适用于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价.
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本刊讯
刊期：2004年第02期
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用扫描声学显微镜进行塑封器件的封装分层分析
作者：古关华
刊期：2004年第02期
在塑封IC器件中,封装分层往往会产生电和封装的可靠性问题.由过电应力(EOS)和再流焊中的水汽膨胀引起的分层会显示出不同的失效模式.扫描声学显微镜可以用来检测封装分层,能在失效分析的早期阶段快速地鉴别失效原因.
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行波管栅控电子枪的动力学模态分析
作者：宋芳芳; 何小琦; 汤凯; 杨序贵; 吕向英
刊期：2004年第02期
栅控电子枪作为行波管的"心脏",其结构的稳定性直接影响着管的脉冲输出性能,特别是在振动应力下的结构可靠性更是当今生产单位关注的重点.利用ANSYS软件对电子枪进行动力学模态分析可以得到电子枪的固有频率和振型,从而在结构设计上避免共振.
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6σ设计水平的评价
作者：贾新章; 王少熙; 蒲建斌
刊期：2004年第02期
在介绍6σ设计概念和目标的基础上,给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线,并开发了计算机模块,能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值,也可以根据实际的DPMO值,自动评价达到的设计水平.
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世界首个纳米锂离子电池在宁波问世
刊期：2004年第02期
世界首个纳米锂离子电池近日在我国宁波问世。纳米锂离子电池的容量是目前一般锂电池的1．5倍，它将大大延长手机的待机时间。
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求解贮存失效率的条件中位数算法改进
作者：胡斌; 林震; 朱亮
刊期：2004年第02期
利用定期检测数据求解贮存失效率是电子产品贮存可靠性研究的重点和难点.条件中位数算法是求解贮存失效率的算法之一,但其估计性能不理想,实际应用并不多见.为了改善条件中位数算法的估计性能,对该算法进行了改进.数字仿真结果显示,改进算法的估计均值和相对估计误差明显优于改进前的条件中位数算法,可广泛地应用于电子产品的贮存可靠性研究.
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户外型液晶显示器件的紫外光防护
作者：吴永俊; 詹前贤
刊期：2004年第02期
随着液晶显示器件(LCD)应用范围的扩大,户外型产品的应用也将越来越广,如智能电表、收费电话、摩托车、汽车等液晶显示器产品.由于LCD在使用环境中长期受强烈紫外光(UV光)的照射,使液晶的基团发生变形,失去旋光作用,造成器件失效,因此,对液晶显示器件实施UV光防护就越显重要.通过对长期受强烈UV光照射引起外观及显示功能失效的户外型LCD的分析,...
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新书推介：《电子产品安全要求、试验与设计》
作者：樊文琪
刊期：2004年第02期
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密封元器件的残余气氛分析
作者：吴文章
刊期：2004年第02期
简要介绍了密封元器件内部残余气氛分析的概念,以及生产厂家和使用方了解产品内部残余气氛分析的意义和作用.如何进行内部气氛分析,了解残余气氛可能造成的失效模式;如何进行产品的工艺调整,改进生产工艺以控制水汽含量,有助于提高密封元器件产品的质量和可靠性水平.
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可靠性预计中的热电应力分析是电路可靠性设计的关键环节
作者：丁定浩
刊期：2004年第02期
阐述了应力分析可靠性预计的作用与意义.说明这一方法对元器件的正确选择、电路设计中热电应力的控制和降额等可靠性设计起主导的作用.
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LCR阻抗标准的研制
作者：谢少锋; 代大山
刊期：2004年第02期
针对当前LCR阻抗标准器存在的技术问题,通过研究,开发了一套高精密的LCR阻抗标准.
