摘要：透明导电氧化物薄膜在光伏器件、平面显示器件中有着广泛的应用,其介电函数是薄膜材料器件化过程中不可忽略的基本物理参数。使用脉冲激光沉积技术,在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.35(LSAT)基底上成功制备了La2/3Sr1/3VO3(LSVO)薄膜,并运用光谱椭偏仪测量了LSVO薄膜的椭偏光谱。先后用B样条模型和Lorentz+Tauc-Lorentz联合色散模型描述了材料的介电函数,并首次具体给出了LSVO薄膜的介电函数。结果表明,LSVO薄膜在1.24~5.06 eV光谱范围内存在3.41 eV和4.11 eV两个明显的光学跃迁,其中3.41 eV的跃迁峰为材料的光学带隙,与未掺杂的LaVO3材料相比,有着0.19 eV的红移;高能区域的4.11 eV的跃迁峰则源自于O 2p轨道和空置的V 4s轨道之间的电荷转移态激发跃迁。

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