摘要：采用原子层沉积方法（ALD）分别以H2O、H2O2和O3为氧源制备ZnO薄膜，研究不同氧源对ZnO薄膜生长速率、成分、晶体结构及电学性能的影响。结果表明，采用不同氧源均能实现ZnO薄膜的ALD自限制生长，所制备ZnO薄膜均具有垂直于衬底表面的c轴择优取向。与采用H202和H2O为氧源制备的ZnO薄膜相比，XRD和XPS测试证实O3为氧源制备薄膜的晶体质量和Zn／O原子较高；相应的Hall测试表明其电阻率最低为0．053Ω·cm，此时载流子浓度为4．8×10^18cm^-3，Hall迁移率为24．5cm^2/Vs。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社