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  • 非隔离型六开关光伏并网逆变器

    作者:李研达 期刊:《沈阳工业大学学报》 2018年第03期

    针对传统非隔离无变压器光伏并网逆变器存在漏电流而影响系统安全稳定运行的问题,提出了一种新型非隔离型六开关(H6)拓扑的光伏并网逆变器.新型H6拓扑在两桥壁之间增加了一条连接线,且删除了两个连接二极管,控制策略采用了直接电流控制的脉宽调制技术.该拓扑在一个电网周期内具有六种工作模式,整个工作过程中具有恒定的共模电压.基于上述理论分析,在M atlab/Simulink环境中建立了仿真模型,并搭建了实验样机.结果表明:所提出的非...

    六开关 运行模式

  • 选择低功耗MCU

    作者:MikeMitchell 期刊:《世界电子元器件》 2004年第03期

    嵌入式微控制器(MCU)的功耗在当今电池供电应用中正变得越来越举足轻重.大多MCU芯片厂商都提供低功耗产品,但是选择一款适合自己应用的产品并非易事,并不像对比数据表前面的数据那么简单.用户必须详细对比MCU功能,以便找到功耗最低的产品,这些功能包括:

    mcu 漏电流

  • 电源EMI滤波器的选用原则及安装注意事项

    作者:庞彬; 陈玲; 张鹏; 丁久辉 期刊:《安全与电磁兼容》 2013年第05期

    基于额定电压、额定电流、漏电流、阻抗匹配、频率特性、插入损耗等滤波器参数,阐述了滤波器选用的重要原则,同时对一些主要指标给出了实际选用时的综合考虑,并详细介绍了滤波器使用及安装方面的注意事项,为工程实际应用提供借鉴。

    阻抗匹配

  • GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制

    作者:徐佳新; 徐德前; 庄仕伟; 李国兴; 张源涛; 董鑫; 吴国光; 张宝林 期刊:《发光学报》 2018年第08期

    为提高InSb红外探测器室温下的工作性能,设计了GaSb/InSb/InP异质结构,并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究。利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模,分析得到能带结构与载流子分布。以能带参数为基础,根据连续性方程,结合漂移扩散模型,分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应,并综合肖克莱-瑞德复合的影响,计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制...

    非制冷

  • 一种零电压转换H6桥光伏并网逆变器的研究

    作者:陈荣; 张洋 期刊:《实验室研究与探索》 2018年第10期

    为了提高非隔离型单相光伏并网逆变器的效率和减少漏电流,提出一种基于H6桥的非隔离型单相光伏并网逆变器的零电压转换技术。改变了传统的硬开关方式,引入了软开关技术,在高频主开关的直流旁路增加零电压转换电路,通过增加的辅助开关、谐振电容和谐振电感实现高频主开关的零电压的关断和开通。在仿真软件PSIM中搭建仿真实验模型,结果表明零电压转换H6桥的非隔离型单相光伏并网逆变器能够有效的降低开关损耗,提高逆变器效率而且保持...

    零电压转换

  • a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响

    作者:田茂坤; 黄中浩; 谌伟; 王恺; 王思江; 王瑞; 董晓楠; 赵永亮; 闵泰烨; 袁剑峰; 孙耒来 期刊:《液晶与显示》 2019年第07期

    本文通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下,研究了沟道不同a-Si剩余厚度对TFT电学特性的影响.通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si剩余厚度,找出电学特性稳定区域以及突变的临界点.实验结果表明:在黑暗(Dark)环境下a-Si剩余厚度在30%~48%之间时,TFT器件的电学特性比较稳定,波动较小;而剩余厚度少于30%时,TFT特性变差,工作电流变小,开启电压变大,电子迁移率变小;在光照环境下主要考虑漏电流的影响,在a-Si剩余厚...

    漏电流

  • 热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响

    作者:陈晓亮; 陈天; 钱忠健; 张强 期刊:《半导体技术》 2019年第02期

    浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一。CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响。使用TCAD软件对STI结构应力分布进行了仿真分析,通过分组实验对静态随机存储器(SRAM)芯片静态漏电流进行了测试分析。结果表明,牺牲氧化层工艺引起的热应力是导致SRAM漏电流的主要因素,其工艺温度越高,STI应力减小,芯片的漏电流则...

  • 基于MPDPWM与CPSPWM组合调制策略的级联H桥光伏逆变器漏电流抑制方法

    作者:赵涛; 张兴; 王付胜; 徐君; 顾亦磊 期刊:《太阳能学报》 2018年第11期

    提出一种改进的载波层叠与载波移相组合的调制策略,通过载波层叠调制消除寄生电容电压之和的高频分量,可有效抑制系统漏电流,并可同时保留载波移相调制易于模块化的优势。仿真结果和实验结果均已验证所提调制策略的有效性。

    组合调制策

  • 一种具有漏电流抑制能力的ANPC型五电平调制策略及其载波实现方法

    作者:王付胜; 郑德佑; 杜成孝; 李祯; 付航; 刘芳 期刊:《中国电机工程学报》 2018年第24期

    有源中点钳位五电平逆变器已逐步运用到大功率光伏并网系统中。为解决其漏电流问题,选取五电平空间矢量图中共模电压幅值最小的矢量合成参考矢量。在部分区域内采用"直角合成原则",其余部分采用"钝角合成原则",以实现全线性工作区内抑制共模电压幅值为直流母线总电压的1/12,且每个载波周期内变化2次。根据矢量思想,提出一种基于零序电压注入的载波实现方法,该方法不需进行复杂的扇区判断和几何运算,易于工程实现。仿真和实验结果证...

    共模电压幅值

  • 三相级联型光伏并网逆变器漏电流抑制研究

    作者:郭小强; 周佳乐; 贾晓瑜; 贺冉 期刊:《中国电机工程学报》 2019年第02期

    针对级联型光伏并网逆变器,首先建立了传统三相级联H4光伏并网逆变器拓扑的系统共模模型,分析了系统漏电流、系统共模电压、差模电压三者之间的关系,揭示了传统三相级联H4光伏并网逆变器无法抑制漏电流的原因。提出了一种新型三相级联H5光伏并网逆变器拓扑及其调制策略,有效地抑制了系统漏电流。最后,与三相级联H4光伏并网逆变器拓扑进行了性能对比研究,结果验证了所提方案的有效性。

    共模电压

  • 退火温度对BiFeO3薄膜微结构与电特性的影响

    作者:梁珍珍; 李慧平 期刊:《无机盐工业》 2018年第08期

    由于多铁性材料BiFeO3在电子器件制作中有巨大的应用潜力,所以本研究以溶胶-凝胶法制备BiFeO3薄膜,并利用XRD、SEM及材料性能测试仪等测量分析退火温度对薄膜的微观结构与电学性能的影响。研究结果表明:退火温度介于450~600℃时可成长出无杂质的BiFeO3相,且结晶效果良好;退火温度为550℃与600℃时薄膜的晶粒尺寸比较均匀,形状也一致,以圆球状为主,但晶粒之间存在一定数量的间隙;退火温度为500℃与550℃时薄膜的极化强度随外加电...

    微结构

  • 片式钽电容器漏电流可靠性研究

    作者:王敏 期刊:《电子制作》 2019年第01期

    分析了片式钽电容器漏电失效模式,研究了片式钽电容器的漏电失效机理,分析表明阳极氧化膜疵点“晶化”是导致电容器产生漏电流的根本原因。以片式钽电容器漏电流产生的理论机理为基础,从工艺、筛选和使用可靠性角度,提出了一系列改进措施,以确保电容器在航天等高可靠领域的应用。

    失效

  • BiCrO3薄膜的溶胶-凝胶制备方法

    作者:刘红日; 李兴鳌 期刊:《湖北民族学院学报》 2005年第03期

    用溶胶-凝胶方法在LaNiO3/Si衬底上在450℃退火条件下制备了 BiCrO3.薄膜XRD研究发现BiCrO3仅有少量结晶,呈(101)择优取向.铁电性测试表明,室温下薄膜具有铁电性,剩余极化强度为0.6μc/cm2,漏电流研究表明薄膜的导电机构分为三种.

    介电性

  • 超级电容器参数测试与特性研究

    作者:曾进辉; 段斌; 刘秋宏; 蔡希晨; 吴费祥; 赵盼瑶 期刊:《电子产品世界》 2018年第12期

    为研究超级电容器的电气原理,构建一种符合其工作特性的精确电路模型。需对超级电容的部分动态行为参数进行测试与辨识,一种在蓄电池和超级电容组成的混合储能实验装置下,基于直流内阻法、恒压漏电法以及动态充电法对超级电容器的内阻、漏电流和容量等参数进行测量的方法。实验结果表明,各参数与理论值匹配度较高,可为超级电容器的动态特性和状态评估提供数据支撑。

    漏电流

  • 新型H5桥光伏并网逆变器及其直流分量抑制的研究

    作者:康家玉; 曹举; 王旭; 王素娥 期刊:《可再生能源》 2018年第10期

    针对非隔离型光伏并网系统的漏电流和直流分量问题,文章设计了新型H5逆变拓扑结构,分析了结电容对共模漏电流的影响,同时采用改进型虚拟电容控制策略来抑制直流分量。在Simulink中搭建了1.5 kW的光伏并网系统模型,仿真结果表明,新型H5拓扑能够有效抑制漏电流,对直流分量的抑制能力强于传统抑制策略。

    直流分量

  • 氧空位缺陷对PbTiO3铁电薄膜漏电流的调控

    作者:佘彦超; 张蔚曦; 王应; 罗开武; 江小蔚 期刊:《物理学报》 2018年第18期

    基于非平衡格林函数及密度泛函理论第一性原理计算方法,计算了Fe, Al, V和Cu四种阳离子掺杂对氧空位缺陷引起的PbTiO3铁电薄膜漏电流的调控.研究表明:Fe和Al离子掺杂将会增大由其中氧空位缺陷导致的铁电薄膜的漏电流,而Cu和V离子掺杂对该漏电流的大小具有明显抑制作用.这是因为Cu和V掺杂对氧空位缺陷有明显的钉扎作用.相比于半径更大的Cu离子,由于V的离子半径更小,且更接近于PbTiO3铁电薄膜中Ti的离子半径,可以预言V离子更可能被...

    漏电流

  • NMOS预掺杂加剧关断状态漏电流

    作者: 期刊:《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第03期

    漏电流

  • 大功率白光LED伏安特性和正向电压温度特性研究

    作者:杨亭; 严启荣; 田世锋 期刊:《电子与封装》 2018年第01期

    在GaN基大功率白光发光二极管(LED)老化过程中,有部分器件在小电流驱动下出现亮度不一致的现象,对其伏安特性和正向电压温度特性进行了研究。实验结果发现在小电流驱动下发光微弱的LED漏电流严重增大,在高温和大电流驱动的情况下LED正向电压随温度的变化偏离了线性关系,正向电压随温度的变化系数由负数变为正数。同时,通过对比实验表明这种器件出现的反常现象会伴随着寿命和可靠性问题。

    温度系数

  • 某型号测温模块电路输入引脚漏电流超差失效分析

    作者:肖薇; 王笑怡 期刊:《微处理机》 2018年第02期

    失效分析是元器件质量、可靠性保证的重要环节,好的失效分析定位为设计、工艺、采购、使用、管理等各个环节提供经验及教训,为保障产品质量起到了关键性作用。针对某模块电路使用过程中发现输入引脚漏电流超差的故障现象,采用故障树分析法进行失效分析,根据其失效模式进行故障定位,并对故障现象建立故障树展开机理分析,进一步确认故障点。同时提出电路设计及使用环境方面的建议,给质量改进提供方向及理论依据,对缺陷或故障进行预防...

    漏电流

  • 一体化电机系统中传导干扰抑制方法的研究

    作者:聂剑红; 赵克; 孙力; 严冬; 姜保军 期刊:《西安交通大学学报》 2005年第10期

    为了抑制一体化电机系统中的传导干扰,分析了一体化电机系统传导干扰的产生机理及其耦合途径.根据干扰机理、耦合途径及干扰源的分布,分别采取相应的抑制措施.功率器件的电压过冲和电压变化率可以通过缓冲电路来进行抑制.基于传导干扰的耦合途径不同,以变流器为界,前后分别从漏电流和共模电压的角度进行抑制,采用有源滤波来补偿漏电流和消除共模电压.在理论分析的基础上,设计了用于抑制传导干扰的新型滤波器.实验结果证明,增加缓冲...

    滤波器

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