摘要：概述：新加坡科技研究局数据存储研究所和英国剑桥大学共同研发出一款相变存储体，把存储速度提高了一个量级，从数字低电平跳转至高电平只需要500皮秒（皮秒：万亿分之一秒）。这一速度比这款内存将要取代的设备快了大约1000倍。
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