电子元件与材料

电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

杂志简介:《电子元件与材料》杂志经新闻出版总署批准,自1982年创刊,国内刊号为51-1241/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:新能源材料与器件专题、研究与试制

主管单位:工业和信息化部
主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
国际刊号:1001-2028
国内刊号:51-1241/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1982
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:四川
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.68
复合影响因子:0.43
总发文量:2974
总被引量:10758
H指数:28
引用半衰期:5.1957
立即指数:0.0522
期刊他引率:0.7445
平均引文率:11.3333
  • 复合碳酸盐作为二氧化碳电化学传感器的敏感电极

    作者:王光伟; 陈鸿珍; 李友凤; 谢波; 吕国岭 刊期:2019年第02期

    利用碳酸锂-锂钡掺杂氧化碳酸盐所形成的复合物作为敏感电极材料,YSZ作为固体电解质,构建二氧化碳电化学传感器,并通过扫描电镜、XRD、二氧化碳响应等方法,对不同原料配比的传感器性能进行了研究。结果表明,基于碳酸锂-锂钡掺杂氧化碳酸盐的YSZ二氧化碳电化学传感器具有快速和准确的电动势响应,其电子转移数近似为2;随着测试温度的升高,所制传感...

  • 高导电三维打印石墨烯墨水的制备与性能研究

    作者:龚荣霞; 王建威; 胡圣波; 王士强; 杨晓婷 刊期:2019年第02期

    当前利用三维打印技术(3DP)制备石墨烯器件时,通常采用的化学还原法由于常使用剧毒的强还原剂,生产过程危险性大,污染性强。相较而言,热还原法制作工艺简单,参数可控性强,更适合用于通过3DP技术制备高导电集成电路器件。采用还原氧化法来制备石墨烯,通过Hummers法氧化石墨单质合成氧化石墨烯(GO),以GO作为基底材料,加入一定比例的黏结剂、分散剂...

  • 烧结温度对锆钛酸钡钙陶瓷微结构及储能特性的影响

    作者:张钱伟; 蔡苇; 何海峰; 王凤起; 李清婷 刊期:2019年第02期

    采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸钡钙粉体,通过常压烧结制备锆钛酸钡钙陶瓷(Ba0.85Ca0.15Ti0.90Zr0.10O3),借助XRD、扫描电镜、阻抗分析仪、铁电综合测试仪等表征手段系统研究了烧结温度对其微结构、电性能以及储能特性的影响。结果表明:较高的烧结温度有利于获得致密性好、晶粒尺寸较大的锆钛酸钡钙陶瓷;相对于1330℃,1430℃下制备的锆钛酸钡钙陶瓷...

  • 钙钛矿型高性能高温压电陶瓷新材料研究

    作者:李军; 姜英龙; 许鼎炀; 于剑 刊期:2019年第02期

    钙钛矿结构BiFeO3-BaTiO3固溶体是一种可能的高温、无铅铁电压电陶瓷材料体系。长期以来,低直流电阻、高介电损耗制约了它的电学性能实验测量和工程应用。本文通过添加Bi(Zn1/2Ti1/2)O3钙钛矿氧化物第三组元、锰掺杂和工艺条件优化,采用改进的固相反应电子陶瓷工艺,制备了具有工程应用需求的低介电损耗的多种组分BiFeO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-BaTiO3...

  • 过渡金属元素Fe位掺杂对CuFeO2体系微结构及电磁性能的影响

    作者:代海洋; 谷留停; 龚高尚; 刘德伟; 陈镇平 刊期:2019年第02期

    采用固相反应法制备CuFe1-xMxO2(M=Ti、Zr、Hf,x=0,0.015,0.03)陶瓷样品,研究了过渡金属元素掺杂对其晶体结构、微观形貌和电磁性能的影响。结果表明,三种过渡金属元素掺杂均未改变CuFeO2体系的六方晶格铜铁矿结构,Ti掺杂系列样品有少量微弱的杂峰;不同掺杂体系样品形貌有明显的差异,且掺杂浓度对样品的形貌有较大的影响;介电性能结果表明,所有...

  • 水热法制备掺Fe^3+纳米TiO2粉体及其光学行为研究

    作者:薛丹林; 黄金亮; 宁向梅; 顾永军; 李新利 刊期:2019年第02期

    以钛酸丁酯为前驱体,冰乙酸和无水乙醇为溶剂,以Fe(NO3)·9H2O为掺杂剂,采用水热法制备出Fe掺杂纳米二氧化钛粉体。通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对样品的晶型结构、微观形貌和光学行为等进行表征,研究水热反应温度、时间、Fe^3+的掺杂量对TiO2粉体的影响。结果表明:随着水热处理时间、温度和Fe^3+掺...

  • 氮化法合成掺钇氮化铝纳米线

    作者:王秋实; 吴宛泽; 谢永辉; 王维龙 刊期:2019年第02期

    采用直流电弧等离子体辅助法,使钇铝合金(Al:Y)和氮气直接反应,成功合成了掺钇氮化铝(AlN:Y)纳米线。用XRD、SEM和拉曼光谱对所制样品的结构和形貌进行了表征,利用PL光谱和磁滞回线研究了AlN:Y纳米线的光学性质和磁性。AlN:Y纳米线长度约为10μm,直径在40~50nm。纳米线的发光中心位于533nm,展现出了良好的室温铁磁性。

  • 纳米杆状Co9S8的原位制备及其染料敏化电池对电极性能研究

    作者:赵亚强; 汪佳丽; 郑力; 黄祥平; 孙小华 刊期:2019年第02期

    寻找无铂、无FTO、导电性好且电催化性能优异的对电极对染料敏化电池的研究具有重大意义。本工作采用溶胶凝胶退火工艺在石墨纸基底上制备了Co9S8纳米杆,并用作染料敏化太阳能电池对电极。通过扫描电子显微镜、X射线衍射、透射电镜、循环伏安曲线、电化学阻抗谱、Tafel极化曲线以及光伏特性曲线分别对其形貌、物相、电催化活性及稳定性、光伏性...

  • 混合动力车用锂电池正极材料的制备和性能研究

    作者:翟秀军; 刘晓明; 单仲; 周常君; 吉燕燕 刊期:2019年第02期

    采用共沉淀法和高温固相烧结法制备了锂离子电池正极材料,研究了pH值和煅烧温度对前驱体物相组成、形貌、振实密度和元素组成以及对正极材料微结构和电化学性能的影响。结果表明,随着pH值从9升高至11,前驱体振实密度逐渐增大,适当的增加pH值有助于Mn的沉淀;随着煅烧温度的升高,I(003)/I(104)比值呈现先升高而后减小特征,在煅烧温度为850℃时取得...

  • 基于相变材料GexSbyTez(GST)的微波可调超材料器件研究

    作者:王曼婷; 高泽华; 兰楚文; 李勃 刊期:2019年第02期

    基于非挥发性相变材料GexSbyTez(GST),设计并仿真了两种典型的微波可调超材料器件。结构由刻蚀在玻璃基底上的铜开口谐振环(Split-Ring Resonator,SRR)构成,GST薄膜镀在SRR环开口处。在特定的诱导条件下,相变材料GST将在非晶态和晶态之间产生可逆且相对稳定的转换,并由此获得电磁参数的显著改变,实现超材料器件的可调节。仿真中获得了调制深度为...

  • 一种微弱电荷检测放大电路设计

    作者:杨志文; 赵冬青; 焦新泉; 贾兴中 刊期:2019年第02期

    针对传统电荷放大器对电缆噪声敏感,无法精确测量微弱电荷的问题,设计了一种三运放差动放大电路。通过构建传统电荷放大电路的噪声模型,分析了本底噪声对测量结果的影响,针对其共模特性,设计了三运放差动放大电路,放大微弱电荷同时能有效抑制电缆中的本底噪声,提高电路的共模抑制比。经Multisim仿真和硬件电路实验证明,该电路能实现±1.5pC微弱电...

  • 基于多模谐振器的陷波特性滤波器设计

    作者:左嫣然; 刘文进; 南敬昌; 高明明 刊期:2019年第02期

    为了满足微波滤波器小型化要求,本文基于阶梯阻抗传输线(SIR)和加载短截线的方法提出了一种新型多模谐振器结构。同时,为了避免X波段卫星通信(7.9~8.395GHz)对超宽带(UWB)系统造成干扰,本文设计了一款在8GHz处产生陷波特性的UWB滤波器。此滤波器通过非对称耦合线的方式与所设计的新型多模谐振器形成交趾耦合来实现陷波,并且在上边频和下边频处产...

  • 可调谐N通道带通滤波器的设计

    作者:刘国伦; 将品群; 宋树祥; 岑明灿; 谢丽娜 刊期:2019年第02期

    为了解决传统滤波器的中心频率不易调节、Q值低、带外抑制差和增益小等问题。本文设计了一种可调谐高Q值的增益提高型N通道带通滤波器,采用两路N通道差分结构和两个跨导放大器构成。差分结构消除偶次谐波,跨导放大器提高电路增益,片外变压器用作平衡-不平衡转换器,改善滤波器Q值并实现阻抗匹配。该滤波器在1.2V供电电压下,采用TSMC 180nm CMOS工...

  • 基于EMSIW-QMSIW小型化带通滤波器设计

    作者:黄玉兰; 张国鹏 刊期:2019年第02期

    为有效减小S波段基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)滤波器的尺寸和插入损耗,提出了一种基于四分之一模基片集成波导(Quarter-Mode Substrate Integrated Waveguide,QMSIW)和八分之一模基片集成波导(Eighth-Mode Substrate Integrated Waveguide,EMSIW)交叉排列耦合的小型化带通滤波器;并针对提高滤波器选择性和带外抑制水平,通...

  • TSV电迁移影响因素的有限元分析

    作者:马瑞; 苏梅英; 刘晓芳; 王旭刚; 曹立强 刊期:2019年第02期

    本文建立了TSV互连结构三维有限元模型,并对该模型进行了电热耦合分析,分别对比了不同电流密度、环境温度、TSV填充材料等因素对TSV互连结构电迁移失效的影响。结果表明,在一定范围内,电流密度和环境温度是影响TSV互连结构电迁移寿命的主要因素;四种填充物相比,碳纳米管与硅的热膨胀系数更匹配,且产生的焦耳热最小。此外,仿真分析不同TSV长度和...