电子元件与材料

电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

杂志简介:《电子元件与材料》杂志经新闻出版总署批准,自1982年创刊,国内刊号为51-1241/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:新能源材料与器件专题、研究与试制

主管单位:工业和信息化部
主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
国际刊号:1001-2028
国内刊号:51-1241/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1982
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:四川
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.68
复合影响因子:0.43
总发文量:2974
总被引量:10758
H指数:28
引用半衰期:5.1957
立即指数:0.0522
期刊他引率:0.7445
平均引文率:11.3333
  • MLCC在5G领域的应用及发展趋势

    作者:黄昌蓉; 唐浩; 宋子峰; 安可荣 刊期:2018年第09期

    为满足日益增长的海量数据传输的需求,具有超高传输效率的第五代移动通讯技术(5G)在未来几年将全面实现商业化,作为新一代移动通讯技术,其高频谱效率和高带宽体验将带来更多的创新应用。通讯技术的发展将促使各类电子产品的增长和升级换代,多层陶瓷电容器(MLCC)作为三大基础电子元器件之一,将迎来新的增长机遇。为满足5G市场应用的需求,高性能ML...

  • GaN衬底上Hf0.5Zr0.5O2薄膜的阻变性能与机理研究

    作者:陈晓倩; 朱俊; 吴智鹏 刊期:2018年第09期

    采用脉冲激光沉积法在n-GaN衬底上制备了铁电Hf0.5Zr0.5O2薄膜,通过测量样品的P-E曲线与I-V特性曲线研究该异质结构的铁电特性及阻变特性。测试结果表明HZO薄膜具有良好的铁电极化特性及双极性电阻开关特性,HZO薄膜的阻值开关比达104。薄膜同时还表现出良好的抗疲劳特性和保持特性,80次翻转后窗口保持同一个数量级,在105s内器件仍保持稳定。对薄...

  • 电迁移不同失效模式的微观机理及其有限元寿命预测

    作者:张继成; 张元祥; 王静; 梁利华 刊期:2018年第09期

    基于电迁移加速试验,在不同的电流密度及温度条件下对BGA结构的电迁移失效模式进行了分析。从原子扩散剧烈程度的角度,得到了由原子的显著迁移以及裂纹的扩展所引起的电迁移失效模式的竞争机制。同时利用原子密度积分算法,通过自适应时间增量步算法来提高其计算精度及效率,并用来分析其电迁移寿命。将试验及模拟结果进行对比,分析了目前电迁移算...

  • 填充超高比例FeSiAl的纸状复合电磁吸波材料研究

    作者:蒋佳根; 罗小嘉; 周佩珩 刊期:2018年第09期

    磁性颗粒的片状化、一致取向和高填充比是提高其复合材料复磁导率的直接方法。然而提高其填充比造成的机械性能下降、复介电常数升高的问题一直困扰着国内外学者。为解决这一难题,向非导电网状基体中填充超高比例一致取向的片状磁性颗粒是有效的途径。抽滤沉降法是有着简单的工艺和设备的流体力学方法,该方法实现了FeSiAl片状颗粒在纤维素纳米纤...

  • 高容量正极材料LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2的制备及性能研究

    作者:孙勇疆; 符泽卫; 李季; 刘良彬; 肖建伟 刊期:2018年第09期

    采用控制结晶法,预先合成出致密的球形前驱体Ni0.6Co0.2Mn0.2(OH)2。前驱体与Li2CO3混合均匀后于高温条件下烧结,再进行复烧即可制备出表面光滑致密、振实密度高、容量高的正极材料LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)及充电-放电测试对材料的结构和电学性能进行表征分析。研究了不同烧结...

  • 基于石墨烯复合材料的柔性应力传感器制备及力电特性

    作者:张华; 龚天巡; 黄文; 毛琳娜; 俞滨 刊期:2018年第09期

    采用激光热还原方法制备了基于聚苯乙烯(PS)纳米颗粒与石墨烯复合材料的柔性应力传感器。研究表明掺入聚苯乙烯纳米颗粒可以使原本紧密连接的石墨烯碎片接触部分的结构发生破坏和重构。重构后的结构在应力下电阻变化率明显加大,从而提高了传感器的灵敏度。通过与未掺入纳米颗粒的石墨烯应力传感器进行对比,系统地研究了掺入纳米颗粒的石墨烯复合...

  • 混合碱法制备Zn掺杂NiO纳米粉体及其甲醛气敏性能的研究

    作者:王娇; 刘少辉; 赵利敏; 郝好山; 夏思怡; 程泽宇 刊期:2018年第09期

    为了制备高灵敏度、快速响应的甲醛气敏传感器材料,采用混合碱法制备了Zn掺杂NiO纳米粉体,并对其进行SEM、XRD和气敏性能测试,研究了不同浓度Zn掺杂对NiO纳米粉体的形貌、晶体结构及甲醛气敏性能的影响。结果表明:Zn掺杂对其结构及形貌未产生影响,Zn掺杂明显提高了NiO纳米粉体对HCHO气体敏感性能,在Zn掺杂量为摩尔分数5%的NiO纳米粉体对HCHO气体...

  • Al掺杂ZnO纳米片的制备及其酒精气敏性能的研究

    作者:王娇; 刘少辉; 赵利敏; 郝好山; 夏思怡; 程泽宇 刊期:2018年第09期

    为了制备高灵敏度、快速响应的酒精气敏传感器材料,采用水热法制备了Al掺杂ZnO纳米片,研究了不同浓度Al掺杂对ZnO纳米片粉体的形貌、晶体结构及酒精气敏性能的影响。结果表明:Al掺杂对其结构及形貌未产生影响,Al掺杂明显提高了ZnO纳米片粉体对酒精气体的敏感性能,在Al掺杂量为摩尔分数5%的ZnO纳米片粉体对酒精气体具有最佳的气敏特性,工作温度为...

  • YAG荧光粉-无铅低软化温度玻璃复合浆料的制备与应用

    作者:杜振波; 杨乐; 吴儒雅; 李郎楷; 范尚青 刊期:2018年第09期

    为优化大功率白光LED的封装过程,提出将YAG荧光粉-无铅低软化温度玻璃复合浆料印刷在玻璃基片上,经热处理制备荧光玻璃片的技术方案。采用热膨胀仪、粉末衍射仪、热重分析仪、荧光光谱仪等研究无铅低软化温度玻璃成分与热学性能的关系,无铅低软化温度玻璃粉与YAG荧光粉的配比、固含量、热处理制度等因素对复合浆料及荧光玻璃片晶型、粘度及发光...

  • 高密度碳气凝胶的制备及电化学性能研究

    作者:张会林; 叶玉凤; 吴学玲; 沈军 刊期:2018年第09期

    碳气凝胶是高比表面积、低电阻的纳米多孔碳材料,有着广泛的应用前景,是一种较为优良的超级电容器电极材料。以间苯二酚和甲醛为反应前驱体,用溶胶-凝胶法制备出高密度(0.567 g/cm2)碳气凝胶。采用扫描电镜(SEM)以及氮气吸脱附等方法对高密度碳气凝胶的微观结构及孔特征进行表征;并通过循环伏安、恒流充放电法研究了不同催化剂含量即R/C值(间苯...

  • VDMOS横向变掺杂终端的优化与设计

    作者:赵磊; 冯全源 刊期:2018年第09期

    击穿电压是垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)最重要的参数之一,器件的耐压能力主要由终端决定,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了击穿电压的提升。横向变掺杂(Variable Lateral Doping)技术是调整深阱杂质的注入开窗和掩膜间距,在终端形成一个渐变的P型轻掺杂区,使反向偏压下终端区耗尽层边界的曲率半径变大。通过计算机仿真软件Sentaurus TCAD设...

  • 射频前端CMOS有源混频器的设计

    作者:李桂琴; 宋树祥; 岑明灿; 刘国伦; 张泽伟 刊期:2018年第09期

    混频器是射频前端电路中的一个重要模块。设计了一个低电压高增益的下变频混频器,对混频器经典的吉尔伯特电路结构进行了改进,采用跨导系数修正技术、电流注入结构提高混频器的增益、噪声和线性度性能,并且在跨导级的漏极端口并联了一个电感,消除寄生电容,减小间接开关机理闪烁噪声。本电路采用TSMC 180 nm RF CMOS工艺,在1.2 V的工作电压下,Cad...

  • 一种结构简单的IGZO TFT AMOLED像素补偿电路

    作者:王兰兰; 鲁力; 廖聪维; 黄生祥; 邓联文 刊期:2018年第09期

    提出了一种铟镓锌氧化物(Indium-Gallium-Zinc-Oxide,IGZO)薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFT)集成的有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)补偿电路。利用发光控制线关闭电源和驱动晶体管之间的控制晶体管,以抑制编程期间的泄漏电流。对比了所提出的电路和传统电路的性能,结果表明提出的像素电路可以...

  • 基于IPD工艺的小型化无反射带通滤波器设计

    作者:刘赣; 邢孟江; 李小珍; 李楠; 杨晓东 刊期:2018年第09期

    设计了一款基于集成无源器件(IPD)技术的小型化无反射带通滤波器。它区别于传统滤波器最大的特点是它将阻带信号吸收掉而不是反射回信号源,可以极大的提高电路的线性度。在无反射高低通滤波器的电路拓扑结构下,采用串联形式,完成了具有超宽带的无反射带通滤波器的建模与仿真。该滤波器中心频率为2.03 GHz,中心频率处的插入损耗小于1 dB,BW-3dB≤...

  • 一种浮地磁控忆阻模拟器设计与特性分析

    作者:王将; 钱辉; 包伯成; 徐权; 陈墨 刊期:2018年第09期

    从忆阻的定义出发,本文提出了一种新的磁控忆阻模型,并采用通用有源电路芯片设计了浮地忆阻电路模拟器。忆阻模型由线性电阻和随时间变化的非线性电阻两部分构成,由非线性电阻参数分析了忆阻模型的频率特性。基于Multisim仿真软件给出了在不同交变信号激励以及不同参数下忆阻电路模拟器的仿真结果,从而研究了其二端口的基本电特性。最后,完成了...