电子元件与材料

电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

杂志简介:《电子元件与材料》杂志经新闻出版总署批准,自1982年创刊,国内刊号为51-1241/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:新能源材料与器件专题、研究与试制

主管单位:工业和信息化部
主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
国际刊号:1001-2028
国内刊号:51-1241/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1982
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:四川
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.68
复合影响因子:0.43
总发文量:2974
总被引量:10758
H指数:28
引用半衰期:5.1957
立即指数:0.0522
期刊他引率:0.7445
平均引文率:11.3333
  • Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的研究进展

    作者:王艳玲; 郭洪玲; 王刚; 李岳姝; 王艳梅 刊期:2017年第06期

    锌黄锡矿结构的Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)材料,由于具有价格低廉、带隙合适、吸光系数高等优良光电性能,很适合作为新一代无机薄膜太阳能电池的吸光层材料,已受到各国科研人员的高度关注。国内外采用多种沉积薄膜技术来制备CZTSSe吸光层材料,主要包括真空和非真空方法。综述了最近CZTSSe太阳能电池制备技术所取得的一些进展,尤其对采用溶液法...

  • 交叉杆结构忆阻器件的研究进展

    作者:敬秦媛; 程海峰; 刘东青; 张朝阳 刊期:2017年第06期

    忆阻器被认为是除电容器、电感器、电阻器之外的第四种无源器件,具有器件结构简单、操作速度快、功耗小等优点,是具有电阻记忆特性的非易失性的电阻元件。而交叉杆结构忆阻器件作为忆阻器的一种结构,由于其较之其他结构的忆阻器具有结构简单、集成度高、容错性和并行性优良等特性,受到了外界广泛的关注及研究。文章综述了近年来交叉杆忆阻器...

  • 石墨烯材料在钙钛矿太阳能电池中的研究进展

    作者:王俊; 禹豪; 王红航; 张继华; 刘黎明 刊期:2017年第06期

    石墨烯及其衍生物具有独特的材料结构和光电性质,可作为界面修饰层、电子传输层、空穴传输层应用于新型钙钛矿太阳能电池,以提高电池的光电转换效率和性能稳定性。此外,石墨烯透明电极在柔性、半透明或叠层钙钛矿太阳能电池应用中独具优势。本文综述了石墨烯及其衍生物在钙钛矿太阳能电池中的研究进展,指出了未来发展重点。

  • APSO算法提取染料敏化太阳电池参数的研究

    作者:张腾; 余基映; 朱永丹 刊期:2017年第06期

    利用MATLAB软件对染料敏化太阳电池的输出特性进行了建模与仿真实验,基于电池的等效电路方程建立了寻优目标函数。采用APSO算法精确提取了染料敏化太阳电池的内部参数,讨论了权重因子策略和种群规模对各参数提取结果的影响。各参数的提取值与理论值相对误差在1%以内,自适应权重因子策略可明显提高APSO算法提取染料敏化电池参数的求解精度。将...

  • 碱金属基底和吸附强弱对石墨烯态密度的影响

    作者:李杰; 杨文耀; 唐可; 高君华; 申凤娟 刊期:2017年第06期

    应用固体物理理论和方法,探讨了碱金属(锂、钠、钾、铷、铯)、石墨烯以及碱金属基外延石墨烯的态密度,进一步得出碱金属基底和吸附强弱对外延石墨烯态密度的影响。结果表明:碱金属基底、单层石墨烯、碱金属基外延石墨烯的态密度曲线均相对于能量x=0对称,但变化情况不同;碱金属基底的态密度和碱金属基外延石墨烯的态密度的极大值均随原子...

  • 一种基于电耦合的电磁诱导透明超材料

    作者:贾洁; 李小亮 刊期:2017年第06期

    利用两种谐振结构之间的电耦合,设计了一种可以实现电磁诱导透明现象的新颖电磁超材料。该超材料通过将工作于同一谐振点(5.21GHz)、不同品质因数(Q值)的金属谐振结构组合在一起,利用两者之间的近距离、高耦合实现了“亮模型”对“暗模型”的激励,从而实现了位于5.31GHz处的诱导透明窗口,透射峰值达到0.85。并且从透射参数、表面电流、电...

  • BeO高导热陶瓷金属化浆料配方与批产工艺研究

    作者:尚华; 段冰; 毛晋峰; 段绍英 刊期:2017年第06期

    研究了适合于BeO高导热陶瓷的“钨锰法”金属化浆料配方和批产工艺,并利用扫描电镜等手段对金属化层的表面形貌进行表征,重点探讨了金属化浆料中活化剂占比、金属化最高烧结温度以及浆料细度对金属化层表面形貌和结合强度的影响和机理。结果表明:当活化剂质量分数为11%,最高烧结温度为1450℃,浆料细度控制在12μm时,BeO高导热陶瓷金属化层...

  • 超声波对高压阳极铝箔隧道孔腐蚀的影响研究

    作者:蔡小宇; 梁力勃; 杨小飞; 张传超 刊期:2017年第06期

    通过研究不同超声波频率、功率以及振源距离对高压阳极铝箔隧道孔腐蚀的影响,发现引入超声波后铝箔的发孔密度可以明显提高,提高幅度为50%~70%,隧道孔孔径相应减小,表面腐蚀加剧,同时隧道孔孔径分布明显变窄。提高超声波功率,将提高铝箔发孔密度和表面腐蚀强度;增加振源距离,铝箔表面腐蚀程度减弱,发孔密度减小。

  • 极片压实比对碳基超级电容器的性能影响

    作者:朱归胜; 付振晓; 沓世我; 于圣明; 任海东; 梅京; 陆守强; 何然 刊期:2017年第06期

    以湿法涂布的超级电容器碳极片为原料,通过辊压控制获得不同压实比的极片,再按相同的工艺制成2.7V/50F的电容单体,考察了压实比对内阻和循环性能的影响。结果表明,不同压实比的碳极片,对超级电容器单体的内阻和电性能具有显著影响,超级电容器的容量发挥率和循环稳定性随着压实比的增加呈现先增加后下降的趋势,而超级电容器的内阻随压实比...

  • 合成温度对正极材料LiNi0.66Co0.34O2结构和电化学性能的影响

    作者:肖文豪; 章梦琴; 王琛; 艾延龄 刊期:2017年第06期

    在空气中通过固相烧结合成LiNi0.66Co0.34O2锂离子正极材料,利用XRD,SEM,TEM以及恒流充放电测试等手段,探究了合成温度对正极材料的晶体结构和电性能的影响。不同温度下制备的镍钴酸锂,具有相同的菱面体点阵结构,空间群是R-3m。750℃合成制备的LiNi0.66Co0.34O2,结晶较完全,层状结构较好,样品颗粒大小均匀。其组装电池首次放电比容量为...

  • 基于液相法的PbS薄膜可控制备及光电性能表征

    作者:王月; 李雪 刊期:2017年第06期

    利用液相法在锡掺杂氧化铟(简称ITO)上制备了硫化铅(PbS)薄膜,将得到的PbS薄膜在300℃氮气中进行不同时间(0~60min)的退火。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计(UV-Vis)和霍尔效应测试系统(Hall-effect)对PbS薄膜的结构和性质进行了研究。结果表明:退火时间为20min的PbS薄膜在ITO基底上粘附力较强,结晶度良好...

  • 基于ZnO的微气体传感器的设计与优化

    作者:官修龙; 刘丽; 刘震; 何越; 王连元 刊期:2017年第06期

    设计了一种新型ZnO微气体传感器的结构,利用有限元分析软件ANSYS对该传感器的结构进行了分析,并对传感器的基底三层材料的厚度、加热电极的宽度和间距以及测量电极的宽度参数进行了优化,结果得出:当传感器基底中前SiO2层、中间Si层、后SiO2层的厚度分别为10,140和150μm,加热电极和测量电极宽度均为30μm,加热电极的间距为100μm,此时传感...

  • 表面处理对肖特基接触的影响

    作者:霍荡荡; 郑英奎; 陈诗哲; 魏珂; 李培咸 刊期:2017年第06期

    研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响。实验结果表明,采用氧等离子体及体积比(HF:NH4F)为1:7的BOE溶液对AlGaN/GaN异质结材料表面进行处理后,其肖特基接触特性比盐酸或者氨水溶液处理有了明显的改善。当栅压为–50V时,栅反向漏电仅为3.8×10–5A/mm,相比降低了1~2个数量级。另外,电容电压CV测试结果显示,经过BOE溶液处理表面,...

  • 改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究

    作者:程实; 常永伟; 魏星; 费璐 刊期:2017年第06期

    因良好的射频性能,高阻SOI(High-ResistivitySilicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-PlaneWaveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(ParasiticSurfaceConductance,PSC),射频性能恶化。设计并制备了一种新型的改性结构来优化高阻SOI的射频性能...

  • P波段1200W脉冲功率LDMOSFET研制

    作者:张晓帆; 徐守利; 郎秀兰; 李晓东 刊期:2017年第06期

    基于自主开发的LDMOS工艺平台,研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件,并设计了器件的外匹配电路。该器件工作电压50V,在工作脉宽1ms、占空比10%的工作条件下,在380~480MHz带宽内实现宽带输出功率大于1200W,功率增益大于18dB,漏极效率大于50%,抗驻波能力大于5:1,表现出了良好的RF性能,实现了国产P波段LDMOS器件1200W的突破。