电子元件与材料

电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

杂志简介:《电子元件与材料》杂志经新闻出版总署批准,自1982年创刊,国内刊号为51-1241/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:新能源材料与器件专题、研究与试制

主管单位:工业和信息化部
主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
国际刊号:1001-2028
国内刊号:51-1241/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1982
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:四川
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.68
复合影响因子:0.43
总发文量:2974
总被引量:10758
H指数:28
引用半衰期:5.1957
立即指数:0.0522
期刊他引率:0.7445
平均引文率:11.3333
  • 基于石墨烯及其衍生物的气敏传感器研究进展

    作者:刘静静 张冬至 童俊 夏伯锴 刊期:2015年第08期

    石墨烯具备特殊能带结构、大比表面积、高载流子迁移率等众多极为特殊的物理和化学特性,为制作新型高灵敏度气敏传感器提供了全新的材料和制造方法。国内外研究学者相继开展石墨烯基气敏性能研究工作,诸如采用氧化石墨烯、还原氧化石墨烯及贵金属和金属氧化物掺杂修饰石墨烯作为敏感材料制造高性能气敏传感器,涌现出不少瞩目的成就。综述了基...

  • 牺牲模板法制备多孔陶瓷材料的研究进展

    作者:杨尔慧 王俊勃 姜凤阳 思芳 刊期:2015年第08期

    多孔陶瓷材料因其特殊的性能,受到越来越多的关注。多孔陶瓷材料的制备方法也在不断完善和成熟,其中以牺牲模板为主要路线制备的多孔陶瓷能够遗传模板的形态结构。综述了对以牺牲模板为主要路线采用不同模板制备的多孔陶瓷的研究现状以及优缺点,介绍了多孔陶瓷在电子领域的几种应用,并对多孔陶瓷材料的制备方法的进一步发展提出展望。

  • 常压水热法制备BTZ粉体及其在Y5V瓷粉中的应用

    作者:王孝国 宋永生 朱军红 刊期:2015年第08期

    采用常压水热法制备锆钛酸钡粉体,研究了工艺参数对锆钛酸钡粉体颗粒大小的影响,以及粉体颗粒、Ba/(Ti+Zr)摩尔比对制成的Y5V瓷粉介电性能的影响。结果表明:选择改进的加料方式,再通过洗涤控制,可以得到粒度(D50)在0.4~0.5μm、Ba/(Ti+Zr)摩尔比为1.0的粉体;其能与抗还原剂、助熔剂很好匹配,获得性能优良(εr≥15000,tanδ<30×10...

  • 纳米In2O3:Er^3+,Yb^3+的燃烧法制备及上转换发光

    作者:邹少瑜 孟建新 刊期:2015年第08期

    采用燃烧法制备了Yb3+和Er3+共掺的In2O3纳米晶。用X射线衍射和透射电镜对样品的结构和形貌进行了分析,结果表明,该粉体为纯立方相In2O3结构,颗粒尺寸为80~100 nm;该粉体在980 nm近红外激发下发射出中心波长为525 nm和555 nm的绿光、662 nm的红光,分别对应于Er^3+的2H11/2/4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2跃迁;研究了Er^3+/Yb^3+掺杂浓...

  • Mg掺与GaN晶格匹配的InAlN特性研究

    作者:尹以安 刘力 章勇 郑树文 段胜凯 刊期:2015年第08期

    采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量和退火温度,研究其对p-InAlN的载流子浓度和晶体质量的影响。实验发现当Al源的流量为2.34μmol/min时,获得与GaN晶格匹配的In0.18Al0.82N,此结果下的样品晶体质量最高。同时发现随着Mg掺杂量的增加会使螺位错密...

  • Co含量对Ni0.9-0.5xCo0.3+1.5xMn1.8-xO4热敏电阻性能的影响

    作者:黄延民 沓世我 杨丙文 付振晓 刊期:2015年第08期

    采用传统的固相反应法制备了Ni0.9–0.5xCo0.3+1.5xMn1.8–xO4(Mn和Ni的摩尔比为2:1,x=0~0.7)陶瓷。并且采用XRD和SEM等手段,系统地分析了Co含量对该热敏陶瓷的相结构及显微形貌的影响。结果表明,所研究的陶瓷均为立方晶相,当x≥0.6时出现第二相CoO岩盐相。在–40~125℃的测试范围内,该陶瓷材料表现出明显的NTC特性。随着Co含量的增加...

  • Bi2O3掺杂对Mn-Cu-Ca系负温度系数热敏电阻性能的影响

    作者:刘燕儒 曹全喜 张吉雁 李建伟 刊期:2015年第08期

    通过在Mn-Cu-Ca系负温度系数热敏电阻器(NTCR)配方中掺杂质量分数x%的Bi2O3(x=0,0.5,1,2.4,4.8,7),采用传统固相反应法制备了单层圆片式热敏电阻元件,研究了该元件的微观结构和电性能。实验结果表明:Bi2O3存在于晶界处,Bi2O3的存在增大了元件的晶粒尺寸,同时影响元件的气孔率。Bi2O3的引入降低了元件的室温电阻率,拓宽了元件的使用温...

  • 微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MIS-HEMT器件

    刊期:2015年第08期

    近日,中国科学院微电子研究所氮化镓(GaN)功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队、西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作,在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展,成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。

  • 磁控溅射AZO透明导电薄膜及其光电性能的研究

    作者:赵斌 唐立丹 梅海林 王冰 刊期:2015年第08期

    采用磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备AZO薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪和透射光谱仪等手段研究了衬底温度对AZO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明,所有的AZO薄膜均为纤锌矿结构且具有较好的c轴取向。薄膜表面平整,晶粒约为55.56 nm。随着衬底温度升高,薄膜电阻率先降低而后升高,当衬底温度为350℃时,电阻率最...

  • 应变补偿InGaN/AlGaN超晶格改善近紫外LED性能

    作者:尹以安 章勇 范广涵 李述体 刊期:2015年第08期

    通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变,实验生长了相应的样品,并通过双晶衍射(XRD)和拉曼(Raman)光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建,一是替代量子阱中的GaN垒层,二是作p型层的接触层。实验发现,该结构的应用不但可以减弱量子阱的Stark效应和...

  • 上海光机所二维半导体非线性光学研究取得多项突破

    刊期:2015年第08期

    过渡金属硫化物二维纳米材料是继石墨烯后又一类重要的二维半导体纳米材料,特别是其可见到近红外波段的可调谐带隙特性在开发新型光电功能器件方面具有独特优势。然而,该类半导体带隙的层数依赖特性对其非线性光学响应的影响规律及物理机理目前尚不清楚,大大限制了该类材料在开发高性能超快光调制器等全光器件上的潜力。中国科学院上海光学精...

  • 栅控电势磁性隧道结的隧穿磁阻研究

    作者:方贺男 陶志阔 刊期:2015年第08期

    基于Slonczewski理论模型和矩阵方法研究了由栅控制中间层电势高度的磁性隧道结的隧穿磁阻效应。数值计算了中间层势垒为0~3 V以及中间层势阱为0~3 V的磁性隧道结的隧穿磁阻随着中间层厚度改变的变化曲线。计算结果表明,当中间层为势垒时,隧穿磁阻随着中间层厚度单调下降;当中间层为势阱时,隧穿磁阻随着中间层厚度振荡,并且相比于势垒情况...

  • 废旧镍氢电池在柠檬酸中的溶解条件及 Ni0.5Co0.5Fe2O4的制备研究

    作者:席国喜 张文 席跃宾 许会道 姚路 刊期:2015年第08期

    研究了废旧镍氢电池正极材料在柠檬酸中的溶解条件。采用单因素和正交试验相结合的方法分析柠檬酸初始浓度、液固比、溶解温度、溶解时间等对钴、镍的溶解率的影响。实验结果表明:当柠檬酸浓度为2 mol/L,液固比(质量比)8:1,溶解温度90℃,溶解时间50 min,镍钴的溶解率最高。在最佳溶解条件下,采用微波水热法制备出性能较好的球形纳米级N...

  • 基于富勒醇的单根碳纳米管分散液的制备及表征

    作者:乔畅 冀健龙 张文栋 桑胜波 刊期:2015年第08期

    采用4种改进的液相氧化法对多壁碳纳米管进行分步化学提纯,并使用富勒醇作为表面活性剂对纯化的碳纳米管进行分散。扫描电子显微镜、红外光谱、拉曼光谱表征结果表明使用NaOH和混酸溶液进行分步提纯的效果最佳,不但可以有效去除碳纳米管中的杂质,还可以在其表面官能化羟基、羧基等含氧基团;实验采用富勒醇作为表面活性剂制备了碳纳米管分散...

  • 银粉含量及几何特征对银浆流变性能的影响

    作者:刘发 刘卓峰 张为军 秦峻 刊期:2015年第08期

    通过流变仪系统地研究了银粉体积分数、粒径、片银含量对浆料剪切黏度和回复性能的影响,应用Cross模型对剪切黏度曲线拟合得到浆料的零剪切黏度。结果表明:银粉体积分数为13%时,银粉粒径及形貌对浆料的零剪切黏度和回复性能影响较小;银粉体积分数分别增大到20%,46%时,浆料的零剪切黏度上升,回复性能下降,且零剪切黏度随着银粉粒径的减小...