电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的研究进展

作者：胡翰宸 朱满康 侯育冬 严辉 刊期：2008年第08期

从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面，综述了NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展，对其发展进行了展望。研究表明，三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界，准晶相界附近的组分具有高压电性能，而四方相区的组分具有高的退极化温度。今后的研究重点将集中于A位或B位取代对NBT-KBT-BT体系的压电性能和退极化行为的作用...

纳米阴离子导体离子导电性能的研究进展

作者：吴大雄 吴希俊 刊期：2008年第08期

介绍了纳米技术在氧离子导体和氟离子导体的制备及导电性能研究方面的应用。纳米尺度的氧化物在烧结过程中致密化温度可降低50～200℃，最终产物的晶粒尺寸可小于1μm，离子电导率较高，可达到10^-1S·cm^-1量级，纳米氟离子导体与传统粗晶氟离子导体相比，具有明显的纳米尺寸效应，导电激活能可降低30％，离子电导率可提高1－2个数量级。

ZnO薄膜制备工艺的研究进展

作者：马越雷 赵汝明 刊期：2008年第08期

从ZnO晶体结构入手，介绍了ZnO薄膜制备工艺的研究现状与进展，包括基片的选择，缓冲层的影响，薄膜极性的控制与制备技术。并指出基片的选择、薄膜的成核生长过程与界面问题仍是今后研究的重点。

下期要目

刊期：2008年第08期

NTC热敏薄膜的研究进展

作者：宋秀娟 杨传仁 张继华 陈宏伟 刊期：2008年第08期

综述了负温度系数（NTC）热敏薄膜目前最常用的四种制备工艺，即：蒸发法（evaporation），磁控溅射法（magnetron sputtering），脉冲激光沉积法（PLD）和金属有机物热分解法（MOD），分析了这几种工艺的优缺点及国外的研究进展。并简要介绍了NTC热敏薄膜在传感器等方面的应用和发展前景。

高温高铅焊料无铅化的研究进展

作者：曾秋莲 顾小龙 赵新兵 陈朝中 刘晓刚 刊期：2008年第08期

微电子封装工业中应用于高温领域的高铅焊料的无铅化是一个国际化难题，对目前高温无铅焊料的研究进展进行了综述，包括80Au－20Sn，Bi基合金、Sn－Sb基合金和Zn－Al基合金，从各种焊料的熔化行为，力学性能、导电导热性能、润湿性，界面反应和可靠性等方面，总结了这些高温无铅焊料的特性以及在应用中各自存在的问题。通过比较，认为Sn－Sb基合...

CEF西安电子展

刊期：2008年第08期

有着“中国电子第一大展”之称的CEF中国电子展近日在北京宣布，将于2008年8月28日至30日在曲江会展中心拉开帷幕的CEF西安展，日前获得陕西省国防科工委，以及国家军用电子元器件配套服务中心的全力支持，同时，陕西省信息产业厅将首次作为本届展会的主办单位亮相。三家行业重要单位的大力支持将进一步加强CEF西安展面向工业和军工电子技术交流...

碳纳米管场致发射阴极浆料的研制

作者：史永胜 何伟 张媛媛 刊期：2008年第08期

通过筛选阴极浆料中的载体、不同种类的粘结剂和添加剂，开发出具有优良场致发射性能的大面积、低成本丝网印刷复合阴极浆料并烧结制成阴极。结果表明：在电场强度为3.2V/μm下其电流密度约为42×10^-3 A／cm^2，场发射均匀性很好，二极管型发光板发光亮度为625cd／m^2。该阴极适用于制作大面积的CNT-FED阴极和液晶显示器的背光源。

德国经济技术联邦委员会组织德国展团参展NEPCON China 2009和NEPCON South China 2009

刊期：2008年第08期

NEPCON China展会主办方励展博览集团（Reed Exhibitions）宣布，德国经济技术联邦委员会（BMWi）已经与德国商品交易会行业协会（AUMA）合作，再度支持德国展团参加NEPCON China 2009（举办地：上海）及NEPCON South China 2009（举办地：深圳）。“这意味着NEPCON China 2009和NEPCON South China 2009已经被纳入德国经济技术联邦委员会外国商...

Co2O3-Bi2O3掺杂对NiCuZn／PZT复合材料性能的影响

作者：陈世钗 贾利军 张怀武 罗俊 况佳 刊期：2008年第08期

首先用sol-gel法制得Pb0.95Sr0．05（Zr0．52Ti0.48）O3（PZT）纳米粉料，然后用固相法制备NiCuZn／PZT铁氧体／陶瓷复合材料。研究了Co2O3-Bi2O3复合掺杂对复合材料性能的影响。结果表明：当w（Bi2O3）=2．5％时，引入适量的Co2O3掺杂不仅可使品质因数提高到235，同时介电常数和烧结体密度分别提高到55和5.01g／cm^3，介质损耗下降到0．065。其...

Nb2O5对Ba0．68Sr0.32Ti1-xSnxO3陶瓷介电性能的影响

作者：金莉莉 曲远方 蔡永进 刊期：2008年第08期

采用传统固相法，制备了Nb2O5掺杂的Ba0．68Sr0.32Ti1-xSnxO3（BSTS）介电陶瓷，研究了Sn^4＋加入量和掺杂Nb2O5对材料介电性能的影响，用SEM研究了SnO2对材料微观结构的影响，当x（SnO2）为0．010，x（Nb2O5）为0．008时制得了εr为3689，tanδ为0．0006的高压低损耗陶瓷电容器瓷料，探讨了二者改性作用的机理。

低温烧结锶系PTC材料的研制

作者：陈建利 邓昭平 杨敬义 刘青 张斌 刊期：2008年第08期

为了降低（Ba，Sr）TiO3的烧结温度，以PbO、BN为矿化剂，采用固相反应法制备了样品。研究了ζ（PbO：BN）在低温烧结状态下对锶系PTC材料性能的影响。结果表明：当ζ（PbO：BN）为4：3时，样品在1182℃能半导化，且获得了特性较好的PTC材料：tc为64．9℃，R25为125Ω，ρmax／ρmin为2．553×10^5，温度系数α10/25为12．54％℃^-1，耐电压Vb为696．7V...

Bi2O3含量对电子玻璃电性能及结构的影响

作者：董福惠 夏秀峰 贺雅飞 陈培 李华东 刊期：2008年第08期

以Bi2O3－B2O3－ZnO－Al2O3系为基础，调整Bi2O3与B2O3的含量以制备低熔点电子玻璃，研究了高含量Bi2O3对玻璃电性能的影响。并通过红外光谱对玻璃的结构进行了分析。结果表明：玻璃的转变温度tg、εr和ρv，随着Bi2O3含量的增加而降低，而tanδ则增大。当w（Bi2O3）约为80％时，tg约为445℃，ρv约为1．9×10^13Ω·cm。

2008年度“中国电子学会电子信息科学技术奖”开始申报

刊期：2008年第08期

为了调动广大电子信息科技工作者的积极性，促进电子信息科技创新和技术进步，2008年中国电子学会将继续在全国范围内开展“中国电子学会电子信息科学技术奖”的评选活动。主要奖励在电子信息领域科学研究、技术创新与开发、科技成果推广应用和实现产业化方面取得卓著成绩或者做出突出贡献的个人和集体。评选活依据《中国电子学会电子信息科学技...

PA-Cap聚合物电容器在模拟CPU电源中的应用

作者：陈由雄 林莹 刊期：2008年第08期

在计算机CPU的电源电路中，采用电解电容器作为电源的去耦电容。研究了CPU的负载高速变化时，三种类型电容器提供瞬时电流以稳定电源电压的情况。结果显示：PA－Cap聚合物片式叠层铝电解电容器（56μF）的Res为23mΩ，△V为-90mV,而220μF钽电容Res为73mΩ，△V为-172mV,1000μF液体铝电解电容Res为56mΩ，△V-232mV。因此，PA—Cap聚合物电容器用在开...