电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Sr引起的（Co，Ta）掺杂SnO2压敏陶瓷的晶粒尺寸效应

作者：王矜奉; 陈洪存; 苏文斌; 臧国忠; 王春明 刊期：2005年第07期

研究了SrCO3对(Co, Ta)掺杂的SnO2压敏陶瓷的微观结构和电学性质的影响.当x(SrCO3)从0增加到2.5%,该SnO2压敏陶瓷的压敏临界电场强度从318 V/mm猛增到3 624 V/mm,而相对介电常数从1509大幅降至69.当x(SrCO3)为2.0%时,样品的压敏电场和非线性系数分别为2 204 V/mm和24;添加x(SrCO3)为2.5%的样品的压敏电场和非线性系数分别为3 624V/mm和22.

sol-gel纳米晶二氧化锡薄膜的制备及表征

作者：闫军锋; 王雪文; 张志勇; 赵丽丽; 何崇斌 刊期：2005年第07期

以SnCl4为原料,采用sol-gel技术,应用间接成胶法,在玻璃片上制备了纳米晶SnO2薄膜及粉体,以其灵敏度、响应时间和工作温度作为评价气敏性能的标准,对制备工艺参数进行了优化,并用DSC-TG、XRD、AFM等手段对样品进行了表征.结果表明,水与乙醇体积比为3:1,草酸与四氯化锡摩尔比为0.3:1,在500℃下退火的薄膜表面平整,平均粒度在20 nm左右,且相应的薄...

下期要目

刊期：2005年第07期

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刊期：2005年第07期

多工位PTCR电流-时间特性测试系统的研制

作者：周东祥; 孙义; 赵俊; 罗为 刊期：2005年第07期

基于PCI总线的数据采集卡,研制出了多工位PTCR元件电流-时间特性测试系统.它能同时对10个工位的PTCR元件的启动时间、峰值电流、残余电流、恢复时间、消耗功率等多个参数进行测量.系统测试方便,测量精度高,最大测试误差＜1%,在实际应用中得到企业用户的好评.

退火温度对纳米TiO2薄膜微结构的影响

作者：胡晓云; 李婷; 张德恺; 白晋涛; 侯洵 刊期：2005年第07期

利用XRD、IR、UV-VIS、AFM、XPS等手段,研究了退火温度对溶胶-凝胶法制备的纳米TiO2薄膜微结构和表面形貌的影响.450～600℃退火处理的薄膜呈锐钛矿和金红石型混晶结构,700℃退火后为纯金红石相;水峰的吸收峰消失在300～500℃之间,至500℃有机基团完全消失,薄膜表面主要有C,Ti,O三种元素;改变退火温度,可以使薄膜的禁带宽度在3.26～3.58 eV之间...

无卤环氧树脂国产化初见成效

刊期：2005年第07期

最近，一项为电子产品实现绿色化的新型阻燃材料产业化科研项目——无卤化环氧树脂，经无锡阿科力化工有限公司三年多的艰苦努力最终开发成功，填补了国内绿色覆铜板用主要原材料的一项空白，同时也将推动我国覆铜板以及印制线路板的绿色化进程。

Ni／BaTiO3陶瓷复合材料的制备及其PTC效应

作者：李晓雷; 曲远方; 冯亚青; 马卫兵; 郑占申 刊期：2005年第07期

为获得低室温电阻率的PTC材料,以草酸为沉淀剂,采用液相包裹法制备了NiC2O4·2H2O/BaTiO3前躯体,并由其热分解制得Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料.对该复合材料的研究表明,在还原气氛下烧成的Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料具有很弱的PTC效应,但其PTC效应可通过适当的热处理工艺(600℃,空气气氛)得到有效恢复.其升阻比与室温电阻率为:(ρmax/ρmin=60)和(ρ=6.1 ...

信息产业部确定首批国家电子信息产业园

刊期：2005年第07期

信息产业部日前发出《关于同意北京经济技术开发区等31个城市和地区为首批国家电子信息产业园的决定》，确定31个城市和地区为首批国家电子信息产业园。

Ni／Cu电极MLCC烧成工艺的研究

作者：赖永雄; 唐浩; 李基森 刊期：2005年第07期

通过各项工艺对比实验,研究了烧成工艺参数对成品性能的影响.给出了最佳工艺参数:烧结温度为1280～1300℃,保温2 h,用N2/H2/H2O的混合气控制P(O2)为10-8～10-10MPa,回火温度900～1100℃,保温2～5 h,回火气氛氧含量(5～50)×10-6;1000℃以上的升降温速率控制在2～4℃/min.在此工艺条件下,选用合适的烧炉,可以得到性能合格的Ni/Cu电极MLCC.

还原气氛烧成Y5V瓷粉的结构与介电性能

作者：王森; 张跃; 纪箴; 黄运华; 顾友松; 周成 刊期：2005年第07期

运用SEM和XRD等手段,研究了掺杂对Y5V钛酸钡陶瓷材料结构和性能的影响.SEM和能谱的研究结果表明:掺杂促进了材料的烧结,Nd5+聚集在晶界的位置,形成针状的晶粒.XRD结果表明,掺杂材料中有新相形成,掺杂组分能够促进钛酸钡材料居里点向低温方向移动,并促进介温曲线平滑.还发现,由于还原气氛烧结,材料中电导损耗增加导致介质损耗上升.

低温共烧片式多层带通滤波器仿真优化及制备

作者：邹佳丽; 张启龙; 杨辉; 陆德龙 刊期：2005年第07期

采用Ansoft HFSS电磁场模拟仿真软件,对LTCC多层带通滤波器制备过程中的介质材料与工艺偏差进行模拟仿真,并与实际器件测试结果对比.研制的片式多层带通滤波器的偏差的允许范围是:微波介质陶瓷材料介电常数误差±2%,而品质因数由于本身较高,在一定范围内对滤波器的性能影响不大;工艺上应控制流延生瓷片厚度±1.5 μm、叠层/切割误差±50 μm,工艺中的...

长寿命铝电解电容器用高压阳极箔的特性

作者：严季新; 张台华; 卫美华; 张传超; 王建中; 徐国萍 刊期：2005年第07期

为了提高大型铝电解电容器的使用寿命,电极箔生产过程采用四级化成、多级处理、加入添加剂的方法,提高氧化膜的致密性,减少漏电流.做成400 V,6 800×10-6 F/cm2的铝电解电容器,经过90℃,5000 h的高温寿命试验,其各项参数依然良好,分别为△C/C＜1.99%,tgδ＜9.27×10-2,IL＜2 100μA.

SiO2掺杂对PMS-PZT陶瓷结构和电性能的影响

作者：范桂芬; 吕文中; 汪小红; 杨桁 刊期：2005年第07期

对Pb0.98Sr0.02(Mni/3Sb2/3)0.1Zr0.47Ti0.43O3(简称PMS-PZT)+w(SiO2)(0≤w≤0.6%)三元系压电陶瓷材料的微观结构和电性能进行了研究.XRD图谱表明室温下该材料为钙钛矿结构,并随SiO2掺杂物的加入材料由四方相向三方相转变.实验结果表明:当w(SiO2)为0.1%时,在1 300℃,1 h条件下烧结,能获得较好的综合性能:εr为1642,tgδ为0.004 3,kp为0.57,Qm为1 5...

添加剂对CaTiO3陶瓷性能的影响

作者：朱海奎; 刘敏; 周洪庆 刊期：2005年第07期

研究了Nb2O3、La2O3、ZnO、NiO的加入对CaTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨.结果表明:选择合适种类和数量的添加剂能够降低CaTiO3烧结温度并能在1 260～1 300℃之间烧结,该材料的温度系数为-1 000×10-6℃-1,在10kHz～20MHz的相对介电常数为175、介质损耗为10-4,是一种理想的高频热补偿电容器材料.