电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

SiO2：nm-Ag的制备及其结构特性

作者：杜金会; 于振瑞; 张加友; 李正群; 王妍妍 刊期：2005年第06期

采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理.用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素.结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉.干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石...

基于聚亚苯基分子器件的二进制减法器

作者：赵虎; 许进; 林兆骥 刊期：2005年第06期

为了在分子电路水平实现减法运算,按照固态电子学组合逻辑原理,提出了一种基于聚亚苯基分子器件的二进制减法器(包括半减器和全减器)逻辑电路的设计.这种单分子电路是用聚亚苯基分子逻辑门的分子结构代替组合逻辑中非门、与门和XOR门,再用Tour分子线作为框架,同时考虑有机分子的形状和连接产生的几何和空间排列的约束条件,用Hartree-Fock(HF)从...

适用多层压电降压变压器的改性钛酸鉛研究

作者：仇杰; 周桃生 刊期：2005年第06期

为了获得适用于厚度振动模式的低温共烧多层压电降压变压器材料，采用A、B位取代及添加低共熔物，研制了组成为(Pb0.98-xCaxCd0.02)(Ti1-yMny)O3+1%(质量分数)Bi4Ti3O12+z％SiO2的改性压电陶瓷．当钙离子取代25％铅离子，锰离子取代2％钛离子，并在体系中添加0．08％(质量分数)SiO2时，该材料表现出良好的压电和介电性能。在1000℃烧结时，Kt为0...

信息产业部全力支持办好高交会

刊期：2005年第06期

第七届高交会将于今年lO月12日至17日在深圳举行。信息产业部副部长娄勤俭在高交会新闻会上表示，信息产业部要全力支持办好高交会。

MoO3掺杂对BiNbO4陶瓷微波介电性能的影响

作者：毛羽; 丁士华; 张良莹; 姚熹 刊期：2005年第06期

采用固相反应法,研究了MoO3掺杂对BiNbO4 陶瓷微结构、烧结特性和微波介电性能的影响.对相对介电常数εr和品质因数Q随烧结温度的变化以及谐振频率温度系数随MoO3掺杂量的变化也进行了研究.MoO3的掺杂量x低于0.05时,实现了BiNbO4陶瓷在970℃以下的低温烧结,并且相转变温度也降低了约60℃.通过对εr以及介质损耗随温度的变化特性的研究,证实了缺陷...

我国液晶电视出口快速增长

刊期：2005年第06期

2005年4月12日，2000台新科大屏液晶电视从江苏常州启运美国。这表明，随着我国液晶电视产业日趋成熟，其已经成为彩电出口的主要板块之一。据新科电子提供的数据，2004年以来，新科液晶电视畅销欧美、新加坡等市场，出口总数量已突破60万台。

BST薄膜的膜厚与铁电性能关系研究

作者：陈宏伟; 杨传仁; 符春林; 高志强; 赵莉 刊期：2005年第06期

采用射频磁控溅射法制备了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了不同膜厚的BST薄膜的介电偏压特性曲线和电滞回线.结果表明,当膜厚从250 nm增加到650 nm时,BST薄膜的?r、?r的电压变化率和最大极化强度分别从195,9%,4.7×10-6C/cm2逐渐增加到1 543,19%,30×10-6C/cm2,而矫顽场强随膜厚的变化较复杂.进一步分析发现,膜厚通过影响矫顽场强和最大极化强度进...

镍钴酸锂的空气气氛下高温固相合成

作者：郭红兵; 康雪雅; 王天雕; 韩英 刊期：2005年第06期

通过改进马弗炉结构,在空气气氛下合成了LiNi0.7Co0.3O2锂离子二次电池正极材料.利用XRD、SEM和循环充放电测试等手段,研究了材料结构与电化学性能之间的关系.实验电池以C/3的电流倍率在2.7~4.2 V进行恒流充放电循环,电池首次充电比容量与放电比容量分别为181 mAh/g和157 mAh/g,库仑效率为86.7%.经过15次循环后,放电比容量趋于稳定,库仑效率保持...

p型单晶硅涂源掺锰新方法

作者：崔志明; 巴维真; 陈朝阳; 蔡志军; 丛秀云 刊期：2005年第06期

研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系.以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8 Ω·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1 200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY-5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ.改变扩散源的浓度重复实验,用XRD对扩散后的样品进行分析,结果表明:当硅片表面浓度为23.4×10-8 mol/cm2时,扩散后样品体电阻率的...

电子元器件企业国际化经营的必要性

刊期：2005年第06期

我们知道，所谓企业国际化经营是指企业以国际视野和全球战略来规划自己的经营活动，把企业的各种资源在国际间调配使用，从而达到企业收益最大化。

Zn掺杂n型硅材料的补偿研究

作者：蔡志军; 巴维真; 陈朝阳; 崔志明; 丛秀云 刊期：2005年第06期

为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅.实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点.

中国电子学会第14届电子元件学术年会征文通知

刊期：2005年第06期

电极对PTC热敏电阻老化性能的影响

作者：晏伯武; 张海波; 林汝湛; 姜胜林; 周东祥 刊期：2005年第06期

为探究电极因素对PTC热敏电阻老化性能的影响,分别对烧渗Al电极,烧渗Ag-Zn电极和烧渗Ni电极等三种类型的PTC热敏电阻元件进行了老化试验.结果显示:烧渗Ag-Zn电极的元件有较好的老化性能,阻值变化率?R/R ≈ -4%,电流冲击失效率≈0.从材料热力学和电极的电化学两方面,对该老化特性进行了分析,表明材料热膨胀失配和电极电化学不稳定性,是电极影响元...

铁铜铌硅硼非晶磁粉芯性能研究

作者：李长全; 朱正吼; 宋晖; 徐玉华 刊期：2005年第06期

采用聚乙烯醇做粘结剂,制备了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶磁粉芯.并用XRD、SEM等手段对其进行了表征.还对其磁性能进行了研究,结果表明:μ值随着粉体粒度的减小而减小,随着压力增大而增大;磁粉的粒径变小,粉芯的Bm值上升,Hc值增大;随着压力增大,粉芯的Bm值上升,Hc值则呈下降趋势.粉体粒度的变化对Q值影响不大.磁粉芯的中心频率为10 MHz,其最大Q值为...

我国元器件行业面临的挑战

刊期：2005年第06期

国外竞争对手加大在华投资。经济全球化意味着资本在全球范围内更加自由地流动，中国加入WTO以后，国外大型电子元器件企业逐步增加对我国的投资，利用中国廉价的劳动力，进一步挤占国内市场份额。现在许多元器件产品如电声器件、磁性材料、石英晶体器件等，本以我国为主导的这些产品现在实际生产和出口已基本掌握在外商投资企业手中了。