电子与封装

电子与封装杂志 部级期刊

Electronics & Packaging

杂志简介:《电子与封装》杂志经新闻出版总署批准,自2002年创刊,国内刊号为32-1709/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:封面文章、封装、组装与测试、电路设计、微电子制造与可靠性、产品、应用与市场

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第五十八研究所
国际刊号:1681-1070
国内刊号:32-1709/TN
全年订价:¥ 400.00
创刊时间:2002
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.71
复合影响因子:0.24
总发文量:1818
总被引量:3979
H指数:20
期刊他引率:1
  • 基板型模块的直压模塑和注塑模塑分析

    作者:杨建伟 刊期:2019年第06期

    模塑是半导体封装中十分重要的工艺,不同结构特性的基板型模块对模塑工艺要求也不同。分析了基板型模块直压模塑和注塑模塑的特性及效果,包括模塑外观、翘曲、金丝冲丝以及模塑料的填充性,并对比分析不同复杂度结构的基板型模块模塑料的填充效果,发现直压模塑和注塑模塑各有优劣。直压模塑工艺的模塑料不流动特性使其在填充流动小的封装中具有明...

  • 基于LTCC技术的加速度计制造方法

    作者:唐小平; 卢会湘; 严英占 刊期:2019年第06期

    低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现电子设备小型化、高密度集成化的主流技术手段,可适用于耐高温、耐受恶劣环境下的特性要求。介绍了LTCC差分电容式加速度计结构,敏感质量块和4根悬臂梁结构都内嵌于LTCC多层基板,质量块和上下电容板之间通过印刷电极组成差分电容对。重点讨论了微机械式LTCC基加速度计的工艺制造方法及其面临的工艺问题,实现了多款...

  • 一种A/D测试平台的设计

    作者:刘明峰; 辛达; 王炯异 刊期:2019年第06期

    具体解释了模数转换器的静态参数的定义,包括积分非线性、差分非线性等。阐述了码密度测试原理,在此基础上,设计了一套测试模数转换器静态的测试台方案。

  • 一种高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路

    作者:张春奇; 胡黎; 潘溯; 冯旭东; 张宣; 明鑫 刊期:2019年第06期

    介绍了一种应用于GaN驱动的0.35μm HV CMOS工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路。该电路采用高速电流镜和双锁存结构,并增加共模抗扰辅助电路,大大提高了传输速度和对共模噪声的抗扰能力。该高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路主要用于驱动增强型GaN的高压半桥栅驱动。仿真结果显示该电平位移电路上升沿传输延时1.03 ns,下降沿传输延时1....

  • 基于亚稳态检测的SAR ADC电容失配校准算法

    作者:彭传伟; 唐鹤; 何生生 刊期:2019年第06期

    随着工艺进程的不断推进,逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的电容失配对整体电路的速度和精度影响越来越大。针对SAR ADC中电容失配的问题,提出一种基于亚稳态检测的SAR ADC电容失配校准算法,在不增加模拟电路时序复杂度的情况下,有效地解决了电容失配导致的SAR ADC精度不足问题。将该算法运用于12 bit 150 MS/s SAR ADC中,模拟结果表明,有效位数(...

  • 一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器

    作者:周万礼; 章玉飞; 路统霄; 胡怀志; 甄少伟; 张有润; 张波 刊期:2019年第06期

    光电探测器是激光雷达的核心器件,通常由雪崩光电二极管(APD)阵列和相应的读出电路组成。跨阻放大器是读出电路的关键部分,其性能在很大程度上决定光电探测组件的性能。基于0.18μmCMOS工艺,针对大输入电容线性APD阵列的应用,设计了一种高增益、高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器。基于无源反馈和有源前馈的补偿方式拓展了跨阻放大器带宽,同时实...

  • 低温度系数低功耗带隙基准的设计

    作者:吴庆; 李富华; 黄君山; 侯汇宇 刊期:2019年第06期

    对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究,采用与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流加权和技术,同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术,基于0.4μm的CMOS工艺设计了一个低温度系数、低功耗的基准电压电路。通过电源电压、工作温度及工艺角对基准电压影响的仿真,结果表明该带隙基准源典型的温度系数...

  • 一种二次补偿的带隙电压基准

    作者:陈光华; 陈俊飞; 高博 刊期:2019年第06期

    为了降低带隙基准电压源的温漂系数,设计了一种采用β倍增器电流源和IPTAT2电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源。运用SMIC0.18μm工艺,仿真结果表明,在-40~85℃,该基准电压源的温漂系数为0.336×10^-6/℃,大大降低了温度对电压源的影响。

  • 粒子入射条件对28nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究

    作者:金鑫; 唐民; 于庆奎; 张洪伟; 梅博; 孙毅; 唐路平 刊期:2019年第06期

    利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都会增加相邻器件的电荷收集,增强电荷共享效应,影响器件敏感节点产生的瞬态电流大小;SRAM单元内不同敏感节点的翻...

  • VNPN激光辐射效应模拟分析

    作者:左慧玲; 高吴昊; 刘承芳; 夏云; 孙鹏; 陈万军 刊期:2019年第06期

    通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应。光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结尚未开启,器件工作在以集电结为主的二极管模式;光照强度增加时,发射结逐渐开启,器件工作在三极管模式;光照强度进一步增大,由于外部限流电阻的作用,集电...

  • 大脉宽高效率S波段功率放大器的研制

    作者:陈晓青; 章勇佳; 时晓航 刊期:2019年第06期

    采用内匹配的技术,利用了GaNHEMT功率芯片研制了一款应用在S波段的大脉宽、大功率、高效率的功率放大器。放大器最终实现了1ms脉宽、30%占空比、在600MHz的带宽下脉冲输出功率大于150W、附加效率大于55%的设计目标,印证了GaN功率器件的优越性能和广泛应用前景。