电子与封装

电子与封装杂志 部级期刊

Electronics & Packaging

杂志简介:《电子与封装》杂志经新闻出版总署批准,自2002年创刊,国内刊号为32-1709/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:封面文章、封装、组装与测试、电路设计、微电子制造与可靠性、产品、应用与市场

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第五十八研究所
国际刊号:1681-1070
国内刊号:32-1709/TN
全年订价:¥ 400.00
创刊时间:2002
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.71
复合影响因子:0.24
总发文量:1818
总被引量:3979
H指数:20
期刊他引率:1
  • 高温共烧陶瓷金属化膜厚影响因素分析

    作者:唐利锋; 程凯; 庞学满; 张鹏飞 刊期:2018年第10期

    金属化膜厚是影响高温共烧陶瓷电性能的重要因素之一。研究了高温共烧陶瓷钨金属化浆料粒度、丝网规格、印刷工艺参数和烧结温度对膜厚的影响。结果表明通过控制浆料中的金属颗粒粒径,提高印刷丝网丝径和涂布的感光膜层厚度,优化印刷刮刀移动速度和烧结温度可获得设计需要的金属化厚膜层。

  • 晶圆减薄表面损伤层对断裂强度影响的研究

    作者:冯小成; 李峰; 李洪剑; 荆林晓; 贺晋春; 井立鹏 刊期:2018年第10期

    介绍了晶圆机械磨削减薄原理、工艺过程和风险,分析了晶圆减薄损伤层厚度的影响因素,并对损伤层厚度与晶圆断裂强度的关系进行了研究。研究表明,在一定范围内,选用大目数磨轮、提升主轴转速、降低主轴进给速度能够有效减小减薄后晶圆被加工面损伤层的厚度,晶圆被加工面损伤层的厚度越小,其断裂强度越大。优化后的机械磨削减薄工艺提高了机械磨削...

  • 军用裸芯片KGD筛选方法探讨

    作者:虞勇坚; 吕栋; 邹巧云; 冯佳; 陆坚 刊期:2018年第10期

    军用SIP、MCM、混合IC等先进封装产品对裸芯片的需求日益增大,选用通过可靠性筛选后的KGD是确保最终产品成品率和可靠性的有效保障。基于现有的国内外标准、检测设备和检验环境,针对KGD获取方式中的分立形态裸芯片,通过对单个芯片进行临时夹具装载/卸载,开展电老炼和三温测试,建立分立裸芯片的KGD筛选方法和环境控制方法,使筛选后的裸芯片在技术...

  • 一种优化FPGA测试配置时间的方法

    作者:肖艳梅; 陆锋 刊期:2018年第10期

    随着现场可编程门阵列(FPGA)规模发展到千万门级以上,配置向量越来越大,超过95%的FPGA制造测试时间用于加载测试配置比特流。为实现FPGA的快速配置测试,提出了一种FPGA快速测试配置及实现的方法。采用V93000测试系统,通过在一个周期内加载4行配置向量对电路配置比特流的测试时间进行优化(即4X配置方式)。以Xilinx公司Virtex-7系列FPGA-XC7VX...

  • 通用印制线路板对芯片老化工艺效率提升的研究

    作者:李小亮; 何静 刊期:2018年第10期

    老化试验是指在遵循“浴盆曲线”这一原理的前提下,在元器件筛选试验中将已损坏的器件剔除出去,从而提高元器件的整体可靠性。主要研究如何让同一种封装尺寸的芯片使用同一种老化板,无需因其功能不同而制作不同的老炼加电印制板,从而减少人工和硬件成本,提高加电效率。通过对芯片和老化板的研究,设计出相对应的母板和子板,最终成功完成了通用板...

  • 一种采用仿峰值电流模式的Buck型DC-DC设计

    作者:徐彦峰; 王胜; 张键; 曹正州; 张旭东 刊期:2018年第10期

    电压模式和峰值电流模式是PWM降压DC-DC最常采用的反馈控制方式,二者优缺点明显。提出了一种名为仿峰值电流模式的新型PWM控制模式,该模式通过逐周期模拟电感电流动态变化的方式,对Buck型DC-DC电路进行调节控制,使电路既保留了峰值电流模式动态响应速度快、逐脉冲过流检测、补偿结构简单等特点,又具有了电压模式抗噪声能力强且占空比调节不受限...

  • K波段高功率放大器MMIC设计

    作者:陆雨茜; 陈华康; 高博; 龚敏 刊期:2018年第10期

    基于GaAs p HEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了一款K波段GaAs功率放大器电路。根据阻抗匹配电路、三级级联放大结构来实现输出功率为2 W的K波段GaAs功率放大器。采用ADS软件对电路原理图进行了电学参数优化、版图绘制和电磁场仿真。采用0.25μm栅长GaAs p HEMT工艺完成电路的设计,放大器输出输入端口均匹配到50Ω。ADS仿真表明,功率放大器工...

  • 基于AD9680的改进型电源轨电路设计及验证

    作者:薛亮; 罗新元; 苏郁秋; 孙天 刊期:2018年第10期

    为了能够开发性能更稳定、性价比更高的ADC电路,设计了一种基于AD9680的改进型电源轨电路。该电路由AD9680、LDO与电压调节芯片组成,并对其设计原理进行了分析。通过试验证明了该电路稳定、可靠,节省了设计成本。

  • 电镀镍层作为掩模层的薄膜电路制备方法

    作者:刘玉根; 孙林 刊期:2018年第10期

    利用电镀镍层作为刻蚀掩模层可制备得到性能优良的薄膜电路。该制备方法避免了传统制备工艺中的“二次光刻”,简化了生产步骤,提高了生产效率,并且降低了生产成本。通过该方法制备的薄膜电路键合强度、结合力优异,且比传统工艺具有更高的微带线精度。

  • 30V NLDMOS结构优化及SEB能力提高

    作者:李燕妃; 吴建伟; 顾祥; 洪根深 刊期:2018年第10期

    随着空间技术和核技术的快速发展,越来越多的先进半导体器件应用于军事和航天电子系统。利用TCAD模拟仿真软件,设计一种抗辐射加固30 V N型LDMOS器件结构,开展LDMOS器件的单粒子烧毁效应(SEB)研究。诱发单粒子烧毁效应源于N型MOSFET器件中的寄生NPN三极管在光电流作用下开启并维持工作。从版图设计和工艺设计角度考虑提高器件的抗单粒子烧毁能...

  • 电子束曝光邻近效应修正研究

    作者:尤春; 刘维维 刊期:2018年第10期

    随着半导体工业的不断发展,掩模上图形的尺寸也越来越小,邻近效应越来越严重,对邻近效应的修正也就越发重要、越发困难。主要介绍了邻近效应及其产生机理,并以Leica SB350电子束曝光机为手段,结合实验数据,使用PARAPROX软件建立PEC (proximity effect correction parameter files)文件,确定相应校正参数,对邻近效应进行修正,在实际应用中取得...

  • 光MOS继电器中的光电管设计

    作者:刘祥晟; 张明; 高向东 刊期:2018年第10期

    近年来,光MOS继电器以其可靠性高、开关速度快等优点越来越受到人们的关注。光电继电器通过将光学器件和功率半导体封装在同一管壳内,通过光电耦合技术实现了低压控制高压的开关,是一种新型的固体继电器。讨论了光MOS继电器的工作原理和结构特点,对其内部的光电二极管阵列结构进行了设计仿真,确定了光电二极管的衬底浓度和吸收厚度参数,并合理选...