电子与封装杂志 部级期刊
Electronics & Packaging
杂志简介：《电子与封装》杂志经新闻出版总署批准，自2002年创刊，国内刊号为32-1709/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：封面文章、封装、组装与测试、电路设计、微电子制造与可靠性、产品、应用与市场
杂志简介：《电子与封装》杂志经新闻出版总署批准，自2002年创刊，国内刊号为32-1709/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：封面文章、封装、组装与测试、电路设计、微电子制造与可靠性、产品、应用与市场
作者：徐骁; 刘艳; 陈洁民; 程凯 刊期：2016年第08期
对电子封装用硅铝合金焊接材料的裂纹产生机理进行简要的分析。针对其焊接后极易开裂的现象,通过对硅铝合金的激光焊接工艺参数和焊接结构进行优化,获得漏率R_1小于5×10^-9 Pa·m^3/s（He）的封装器件。气密性成品率高于95%,且通过按GJB548B-2005方法 1010.1条件B的100次温循等可靠性试验。
作者：杨城; 谭晨; 王伯淳 刊期：2016年第08期
能力验证是利用实验室间比对,按照预先制定的准则评价参加者的能力,即利用实验室/机构间结果的比对来判定实验室/机构在制定业务范围内校准、检测或测试的能力。过去很多人认为破坏性试验不能进行能力验证试验。以电子元器件破坏性物理分析（DPA）试验时进行的破坏性键合强度试验的能力验证方案为例,开展破坏性试验能力验证方法研究,为往后在实...
作者：李幸和 刊期：2016年第08期
在集成电路制造业,对关键层次的CD（Critical Dimension,关键尺寸）测量是控制质量的重要手段。广泛采用统计过程控制SPC（Statistical Process Control）系统来控制工艺稳定性。介绍了扫描电镜的基本工作原理和常见问题,通过增加dummy site及选择测量位置的方法降低充电效应,以提高测量图形质量和CD测量精度。利用方差分析优化测量设备参数,并...
作者：顾志威; 李丽; 傅传张; 傅玉祥; 李伟 刊期：2016年第08期
基于FIR算法在数字信号处理系统中的重要性以及当前对于高性能实时处理的需求,在一款可重构专用处理器平台上实现了FIR算法的并行化。并且对传统的直接型乘累加器进行了改进,提出了一种效率更高、延时更低的乘累加器,提高了FIR算法的性能。实验结果表明,设计的并行FIR滤波器误差在10^-8量级,对大于1 k点的FIR运算并行化效率达95%以上,加速比达3....
作者：孙敬; 陈振娇; 陶建中; 张宇涵 刊期：2016年第08期
基于DICE结构主-从型D触发器的抗辐照加固方法的研究,在原有双立互锁存储单元（DICE）结构D触发器的基础上改进电路结构,其主锁存器采用抗静态、动态单粒子翻转（SEU）设计,从锁存器保留原有的DICE结构。主锁存器根据电阻加固与RC滤波的原理,将晶体管作电阻使用,使得电路中存在RC滤波,通过设置晶体管合理的宽长比,使其与晶体管间隔的节点的电平...
作者：解同同; 李天阳 刊期：2016年第08期
DSP芯片的通用存储器接口可以满足DSP芯片访问片外存储器的需求,减少DSP芯片中嵌入式存储器的面积,提升DSP芯片整体性能。设计一款高性能的通用存储器接口是DSP芯片设计工作中的重要环节。设计并实现了一种基于DSP的通用存储器接口,支持多种同步或异步的ROM、SRAM和Flash存储器,支持存储器突发访问,支持外部总线共享。经过仿真验证,存储器接口可...
作者：杨俊浩; 张甘英; 张涛 刊期：2016年第08期
设计了一种基于SMIC 0.13μm CMOS工艺的14位1 GS/s分段式电流舵型DAC。该DAC采用6＋8的分段结构,1.2 V/3.3 V双电源供电,满摆幅输出电流为20 m A。采用两级行列温度计译码结构、输出形式可调开关驱动电路以及四开关结构,应用于直接数字频率合成器中。线性度性能满足指标要求,DNL≤1LSB,INL≤1.5LSB。
作者：严丹丹 刊期：2016年第08期
7月22日,《电子与封装》资深编委、国内半导体封装领域权威专家、清华大学贾松良教授来到无锡中科芯集成电路股份有限公司封装事业部,做了题为《有关高可靠封装问题》的学术讲座,六十余名专业技术人员参加了此次讲座。虽然年近八旬又值酷暑,但贾教授依然以专业和严谨的态度为大家介绍了陶瓷封装行业国内外技术现状、各工艺参数的比较等,并结合实...
作者：吕江萍; 胡巧云 刊期：2016年第08期
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用折叠式共源共栅放大器反馈结构带隙基准源,利用晶体管的VBE与IC的温度特性产生T1n T补偿量,对传统的带隙基准进行曲率补偿。仿真结果表明,在5 V供电电压下,-40~125℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.2715~1.2720 V,温漂为3.0×10~（-6）/℃,低频时电路电源抑制比为-86 d ...
作者：韩兆芳; 谢达; 乔艳敏 刊期：2016年第08期
CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。
作者：李莹; 詹奕鹏; 王蕾 刊期：2016年第08期
相变存储器由于操作电压低,读取速度快,制造工艺简单且与成熟CMOS工艺兼容,被认为最有可能替代Flash成为主流非易失性存储器。相变存储介质在存储中体积变化是影响器件可靠性的一个重要因素。研究了相变存储器在疲劳测试中的电性特征,利用高分辨率透射电子扫描电镜及傅里叶转换分析方法,研究相变存储器疲劳测试后相变介质的微观结构。若底部电极...
作者：郭啸; 章军云; 林罡 刊期：2016年第08期
介绍了基于光刻机的150 nm T型栅Ga As PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤。利用新工艺在某100 mm Ga As工艺线上进行流片,并通过直流测试、loadpull测试、微波小信号测试以及环境试验、极限电压测试、高温步进试验,获得新工艺下制作的Ga As PHEMT的各项性能指标及可靠性。最后制作得到的器件在性能和通过直接光刻得到的PHEMT在...
影响因子：0.46
期刊级别：北大期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.47
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.75
期刊级别：部级期刊
发行周期：月刊
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期刊级别：CSSCI南大期刊
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期刊级别：统计源期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.59
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.74
期刊级别：统计源期刊
发行周期：月刊
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期刊级别：省级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.59
期刊级别：部级期刊
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期刊级别：北大期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.43
期刊级别：北大期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.85
期刊级别：北大期刊
发行周期：月刊