电子器件

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Chinese Journal of Electron Devices

杂志简介:《电子器件》杂志经新闻出版总署批准,自1978年创刊,国内刊号为32-1416/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术

主管单位:中华人民共和国教育部
主办单位:东南大学
国际刊号:1005-9490
国内刊号:32-1416/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1978
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文、英语
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.8
复合影响因子:0.65
总发文量:3025
总被引量:11456
H指数:26
引用半衰期:3.5125
立即指数:0.0281
期刊他引率:0.8551
平均引文率:8.4803
  • 部分埋氧的超结Trench VDMOS的设计与研究

    作者:问磊; 范文天; 徐申 刊期:2019年第03期

    在原有的超结Trench VDMOS技术的基础上引入部分埋氧层,设计了一种新型的部分埋氧的抗辐照超结沟槽功率器件。在Sentaurus TCAD软件环境下,使用SDE和Sdevice仿真模拟,通过调节部分埋氧层的长度,埋氧深度以及厚度等参数,对其耐压,导通电阻,动态特性以及抗辐照能力进行仿真和分析。当埋氧层深度为0.8 μm,埋氧层长度0.4 μm,其耐压相对于传统的超结T...

  • 用于流式细胞电穿孔的微流控芯片的研究

    作者:耿杨烨; 潘任豪; 王颖瀛; 吴成均; 初慧杰; 朱真 刊期:2019年第03期

    细胞转染在基因工程、细胞生物学、临床医疗等领域有着十分重要的应用。我们提出一种集成微电极的微流控电穿孔芯片,可实现有效的单细胞电转染。通过微纳制造工艺在玻璃衬底上加工三组叉指微电极和一组平行微电极,利用软光刻工艺制备PDMS微流体通道层,经表面改性后,将两者键合,形成微流控电穿孔芯片。实验中采用HeLa细胞进行电穿孔操作,在15Vpp ...

  • 基于热图像特征提取的铝箔封口密封性检测方法

    作者:周益邦; 李维军; 张永江 刊期:2019年第03期

    针对铝箔封口温度场的分布特性进行研究,提出了一种基于RGB二次特征提取和降维算法模型,配合BP神经网络对热像图进行识别。针对该方法的缺点,并以此提出了利用Gabor小波提取图像纹理特征配合ELM极限学习机,对热像图样本进行分类识别的铝箔密封性检测方法。对比两种方法在相同条件下的训练时间与检测精度。实验结果表明:基于Gabor小波和ELM神经网...

  • 基于开口谐振环的风车型多频天线

    作者:徐琼; 周洪澄; 胡延文; 范光程; 严仲明; 王豫 刊期:2019年第03期

    提出了一种基于开口谐振环的新型风车型多频天线。为了使天线工作在UMTS(2100)、WLAN(2.45 GHz)、Wimax(3.5 GHz)及X-band卫星下行通信(7.2 GHz~7.6 GHz)频段上,设计了风车型四频天线。基于该天线,通过在馈线侧加超材料开口谐振环,改变天线表面电流分布及辐射特性,衍生新工作频段,实现了天线的五频与六频。通过改变开口谐振环的参数实现了天线新...

  • 锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究

    作者:亢喆; 曹海娜; 邱国臣; 肖钰 刊期:2019年第03期

    设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术。包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺。针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响。改进后的工艺在脱水处理后采用高温烘...

  • 超薄型钽浆阳极电容器的制备及性能分析

    作者:潘齐凤; 阳元江; 刘桥; 田东斌; 刘一峰 刊期:2019年第03期

    高体积效率、超薄型化是实现钽电容器进一步小型化的有效技术途径。基于丝网印刷技术,提出了一种新的钽阳极制作方法,即首先将高比容钽粉制成浆料,然后印刷在钽箔上进行高温烧结作为电容器的阳极片,接着利用传统的阳极氧化方法生成五氧化二钽(Ta2O5)作为电容器的电介质,并通过多次浸渍硝酸锰、高温热分解循环被覆二氧化锰(MnO2)作为阴极材料。该...

  • 应用于超宽带的小尺寸宽带共面波导馈电分形天线

    作者:廖仲夏 刊期:2019年第03期

    超宽带技术需要小尺寸、宽带宽和良好全向辐射图的天线,因此提出了一种紧凑型非对称共面波导馈电阶梯状超宽带分形天线。利用H形辐射体、改进馈线结构、非对称馈电和开槽接地板技术实现了4.56 GHz~13.10 GHz的阻抗带宽。在工作频带内所有频率点的H平面上实现了全向辐射方向图。E面方向图在较低频率时是双向的并在较高频率时转变为定向的。此外,...

  • 一种可编程多协议接口芯片设计与实现

    作者:徐雄斌 刊期:2019年第03期

    基于0.18 μm BCD工艺,设计了一款可编程多协议串行接口芯片。该芯片采用数字和模拟混合信号芯片设计技术,实现了可编程协议选择、4通道收发器、三态控制、单电源、高速传输、ESD、电荷泵等功能。测试结果表明:可支持RS-232、RS-422、RS-485等多种协议,ESD满足抗±15 kV人体静电能力,RS-232传输速率不低于120 kbyte/s,RS-422传输速率不低于10 Mbyt...

  • 沉积物中基于SiO2与Fe3O4粉末的复合体系的导电性能的研究

    作者:董笑涵; 赵志伟; 翁正进; 方勇; 卢昱; 陈欣; 高浚玮; 袁迪; 江和龙 刊期:2019年第03期

    为了研究湖泊底泥沉积物在不同参数情况下的电阻率变化规律,对不同尺寸的二氧化硅(SiO2)颗粒和四氧化三铁(Fe3O4)颗粒按照不同比例进行压片构成复合体系粉末,并利用XRD和SEM分析该复合体系的表面形貌和内部结构。结果表明,随着外加压强从2MPa增大到20MPa,SiO2/Fe3O4复合体系的电阻率下降趋势逐渐变缓,不同复合体系电阻率下降的程度不同,且压片后...

  • 探针加力对电阻率测量的影响

    作者:李万策; 张继荣 刊期:2019年第03期

    电阻率是半导体材料的重要电学参数之一,对于最常见的硅单晶材料而言,也将直接影响到其功能特性。通过对单晶施加的不同探针加力得到所测量单晶的电阻率相对标准偏差与相对误差,探讨四探针法测量连续硅单晶电阻率的准确度问题。150gf加力下测试标准偏差相较于其他加力降幅明显,但120gf加力下测试相对误差相比于其他测试加力降幅最大可达1%。因此...

  • 一种级联H桥多电平变频器改进型载波移相PWM调制策略

    作者:赵慧; 李海胜 刊期:2019年第03期

    级联H桥多电平变频器已经广泛应用于光伏发电、电机调速等领域,但由于各单元独立直流电源参数差异,导致各单元直流电压不均衡。在单元直流电压不均衡时,传统载波移相PWM调制策略存在输出电压低频边带谐波无法消除的问题,从而影响输出电能质量。对传统载波移相PWM调制策略下变频器输出电压进行了傅里叶分析,研究了一种可变移相角的改进型载波移相...

  • 基于等效采样的超宽带窄脉冲接收电路设计

    作者:蔡志匡; 石国伟; 齐轩晨; 林文华; 肖建 刊期:2019年第03期

    超宽带探地雷达在无损检测系统中得到越来越广泛的应用,接收电路是整个无损检测技术的关键。采用顺序等效采样技术设计了一款新型的窄脉冲接收电路,该电路可以利用低速A/D实现对高频信号的等效采样。利用ADS对该电路进行仿真,输入10MHz重复频率的2ns三角波信号,采样脉冲带有100ps的步进延时方波信号对输入信号进行采样。输入信号经过该电路后脉...

  • 高竞争力的电能计量芯片相位偏差校正方法

    作者:张江安; 杨洪柏 刊期:2019年第03期

    传统电能计量芯片需要提供较大容量的采样数据缓存器,用于相位偏差校正。该缓存器占用较大的芯片面积,增加了芯片成本。提出了一种新的电能计量芯片相位偏差校正方法,它根据相位偏差值计算一阶全通滤波器系数,并采用选择开关将其置于需要进行相位校正的信号通道,利用其相移特性完成相位偏差校正。该方法不仅可以保证较高的校正精度,而且无需数据...

  • 基于谐波抑制的内匹配高效GaN功率放大器设计

    作者:张书源; 钟世昌 刊期:2019年第03期

    采用了内匹配技术和谐波抑制技术,设计并实现了一款3.8 GHz~4.2 GHz的功率放大器设计。该放大器采用南京电子器件研究所自主研制的的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电压28 V、10%占空比的脉冲输入的工作条件下,实现了输出峰值功率Pout大于40W,漏极输出功率效率大于60%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的...

  • 基于滑模变结构的VIENNA型整流器研究

    作者:肖俊; 邵如平; 王达 刊期:2019年第03期

    针VIENNA整流器的非线性特征,以及需要良好的动态性能和鲁棒性能,提出一种基于滑模变结构的 VIENNA整流器的控制器;电压外环采用滑模变结构控制、电流内环采用误差迭代PI算法,改善三相VIENNA整流器的动态响应性能,达到无静差调节地目的。根据主电路拓扑建立VIENNA整流器的数学模型,设计了基于误差迭代PI算法和滑模变结构理论的VIENNA整流器控制...