杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
作者：汤伟; 吕飞; 张胜; 潘红兵; 王敦辉 刊期：2018年第05期
为了解决五电极垂直型霍尔器件(5CVHD)电流灵敏度较低以及器件流片迭代周期较长、成本较高的问题,基于GLOBALFOUNDRIES0.18μmBCDliteTM工艺在有限元分析软件COMSOL中进行器件结构设计和仿真,研究器件结构和工艺参数对5CVHD性能的影响,并且选取代表性参数进行流片与测试。通过仿真和流片实测发现,减小电极长度(w)和探测电极与中间偏置电极距离(d2...
作者：杨翰琪; 刘小红; 吕康; 魏家行; 孙伟锋 刊期：2018年第05期
研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为模型进行了器件仿真,研究表明,快界面态会影响pMOS器件迁移率,导致Idsat的降低;而电子注入会降低pMOS器件阈值电压(Vth),导致Idsat的上升。当栅压为-7.5V时,界面态的产生是...
作者：闫丽红; 王永顺; 韩根亮 刊期：2018年第05期
为了提高功率肖特基整流管的反向击穿电压、抗浪涌能力,采取加场限环的方法从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行全面设计,制造了一种新型结势垒肖特基整流管JBS(Junction Barrier Schottky Rectifier)。经测试,器件的电参数水平正向电压V F为0.85 V~0.856 V,反向电流I R为4.0μA~50.5μA,反向电压V R为307.5 V~465.2 ...
作者：徐宏庆; 修强; 董耀文; 秦海鸿 刊期：2018年第05期
对新型常通型GaN HEMT器件的特性和参数进行了研究。阐述了其静态和动态特性以及电流崩塌问题。针对其动态特性,与相近定额的Si MOSFET器件(TK2Q60D)在开通、关断时间与栅源电压的关系方面进行了对比,探讨了常通型GaN HEMT器件在不同输入电压和不同开关频率下的电流崩塌现象,并采用升压(Boost)电路,对常通型GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的最高工...
作者：修强; 董耀文; 彭子和; 秦海鸿; 游霞 刊期：2018年第05期
提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅结型场效应管的导通和开关特性进行了测试,实验测试得出改进型超级联碳化硅结型场效应管的阻断电压超过4 500 V...
作者：万发雨; 李鹤鸣; 于兵; 葛俊祥 刊期：2018年第05期
提出了一种新的基于人工电磁超材料的宽带MIMO(Multiple-Input Multiple-Output)天线的去耦方法,通过在两个天线单元之间周期性放置开口三角环形谐振器OTRR(Open Triangular Ring Resonator)来降低耦合度。多个不同谐振频率的OTRR有效地增强了去耦带宽,与未加载去耦结构的MIMO天线相比,在5.2 GHz频段,百分比带宽为5.74%,隔离度提高了9 dB以上。
作者：贾宇向 刊期：2018年第05期
用于非金属外壳设备的常规天线与金属外壳设备一起使用,会导致完全不同的回波损耗。因此,提出了一种同时适用于金属外壳和非金属外壳设备的四频段平面单极天线,该天线由一个弯曲接地层、一对寄生贴片和由同轴馈电激发的辐射片组成。提出的天线能够在不同类型接地层影响下,保持其谐振频率一致性,甚至能够连接到金属外壳上。该天线适用于在WLAN 2....
作者：曹建生; 李凯群 刊期：2018年第05期
对于电子器件寿命预测问题,提出了基于改进粒子群优化算法的BP神经网络电子器件寿命预测方法。首先对nMOSFET器件在不同应力条件下进行寿命试验,根据试验测试获得的寿命数据,得出对应的可靠性。通过结合改进粒子群优化算法和BP神经网络结合,建立电子器件寿命预测模型,应用该模型对相同应力条件的电子器件寿命进行预测,同时对应力加速条件下寿命...
作者：李艳红 刊期：2018年第05期
针对柔性电极在发生较大形变会发生断裂,导致柔性电子产品失效的问题,提出了全新的柔性电极制备工艺。(1)利用周期性结的可拉伸性制备了一种具有褶皱构的柔性电极,实现了柔性电极在发生形变时仍能保证性能稳定、高可靠性的目标。(2)利用射频磁控溅射工艺制备了具有褶皱结构的柔性电极,实现了制备的柔性电极在30%的形变量时电阻值不会超过1 000Ω...
作者：薛国芳; 张培彦 刊期：2018年第05期
论证了一种基于SOI(Silicon On Insulator)片上工艺的,通过光强差分测量加速度的微光机电系统(MOEMS)加速度计。器件主要结构为较大悬浮质量块对称两端加工出两面V型反射镜。系统整个微机械结构在细直弹性梁支撑下,因受惯性力作用V型镜发生位移改变,从而将引入系统中的光信号进行差分反射。最后,通过外部光电探测器测量出各通路光纤的光强信号来...
作者：魏访; 邹志革 刊期：2018年第05期
通过烧制光纤小球制备球状光纤探针,并通过自组装法使银纳米颗粒较为均匀地分布在光纤探针表面,经测量计算得到球状光纤探针上银纳米颗粒的增强因子为7.2×10 4。利用浓度为10-5 mol/L的罗丹明6G(R6G)溶液检测得到光纤小球直径在200μm左右时SERS增强效果最佳,且在相同实验条件下,制备的球状光纤探针与锥柱组合型光纤探针的SERS增强效果基本一致。...
作者：孙嘉庆; 郑惟彬; 钱峰 刊期：2018年第05期
测试验证了谐波的源端阻抗对于器件的性能以及输出特性有很大的影响,所以基波匹配中不能忽视谐波的影响。基于此研制了一款采用0.25μm工艺GaN功率MMIC 12 GHz~17 GHz放大器芯片,源端加入了谐波控制的部分。后期通过管壳测试以及后仿真分析功放的性能,提出一些改进芯片的方法。芯片采用二级放大的结构。末级匹配电路采用功率匹配,兼顾功率和效率;...
作者：乔绅; 马向峰; 李宝森; 祁高品 刊期：2018年第05期
平面Goubau线(PGL)可作为单导体波导进行Ka波段表面电磁波传输。通过与超材料共面集成,可抑制PGL特定频点的表面波。在此基础上将超材料组成阵列形式,实现了宽带滤波特性。采用CST对所设计模型进行仿真,通过设置场监视器,重点研究了PGL与超材料的场分布特征与互作用结果。通过不断优化设计,最终获得了20%相对带宽的宽带滤波器。Ka波段平面器件的...
作者：陈国玉 刊期：2018年第05期
提出了一种基于金刚石氮空位(NV)色心磁敏感机理的加速度传感方案。永磁体作为质量块,外界加速度使永磁体与NV色心的距离变化,使得作用在金刚石NV色心上的磁场强度发生改变,通过对NV色心电子自旋共振(ESR)荧光信号的分析实现对加速度的检测。实验在沿永磁体轴线方向距表面10 mm范围内对加速度效应进行验证。测试得到基于金刚石NV色心的加速度传...
作者：温彦军; 黄亮亮; 王曙宁; 杨家全; 凌万水; 陈超 刊期：2018年第05期
随着故障指示器在配电网中的广泛应用,国家电网对三相采集单元之间的同步误差及无电流时采集单元的最低功耗的要求越来越高。介绍了故障指示器的特点与应用需求,通过引入无线传感器网络的TPSN算法和时间片轮转通信机制,提出了一种高精度低功耗的无线同步通信技术,并进行了具体的设计和系统测试,测试结果表明该无线同步通信技术同步精度高、功耗...
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