杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
作者：曹东 蒋向东 李大伟 孙继伟 刊期：2010年第06期
在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻AZO薄膜,其中高电阻由高氧氩比环境得到。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征,重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响。结果表明：适当温度的退火有助于薄膜结构的优化,而随着退火温度的增加,薄膜的紫外光电导特性呈现出先增加后...
作者：权祥 林祖伦 张国宏 文永亮 刘曾怡 刊期：2010年第06期
P型微晶碳化硅薄膜（P-μc-SiC∶H）作为非晶硅薄膜太阳电池的窗口层材料,能够提高P层的光学带隙,增加窗口层可见光部分的透光率,从而提高太阳电池的填充因子和转换效率。本文研究射频功率、反应温度、SiH4和CH4气体流量比对FTO导电玻璃上P型μc-SiC∶H薄膜的光学带隙、透光率的影响。并在相同工艺条件下对比三种主流导电玻璃（ITO、AZO、FTO）上...
作者：文永亮 林祖伦 王小菊 权祥 张国宏 刊期：2010年第06期
采用电泳沉积法在玻璃基板上成功制备出碳纳米管场发射阴极,采用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并对制备的碳纳米管阴极进行场发射测试。实验结果表明电泳2min沉积的碳纳米管薄膜均匀连续且具有较好的场发射特性,其开启电场为3.1V/μm,当外加电场强度为11.5V/μm时场发射电流密度达到11.33mA/cm2,经过10V/μm的电场激活处理后样品具有较好的场发...
作者：胡东飞 徐军明 秦会斌 刊期：2010年第06期
LED铝基板绝缘层的导热能力是影响大功率LED基板应用的主要因素。通过在环氧树脂中添加纳米级高导热填充物氧化铝、碳化硅、二氧化硅来提高绝缘层的导热能力,重点探讨填料种类、含量对基板绝缘层性能的影响,优化了填料配方。采用红外热像仪分析基板表面温度分布情况,通过散热实验测试铝基板的散热效果,结果证明导热效果良好。
作者：韩晓阳 王健 刊期：2010年第06期
SLD的输出光功率和中心波长会随着驱动电流和管芯温度的漂移而发生变化,所以为了获得稳定的输出光功率,光源就需要工作在稳定的驱动电流和稳定的环境温度下。采用＂恒流源＋温控＂方案,并在温控电路中引入PID调节电路,利用闭环负反馈原理,设计了一个高精度的恒流驱动和温控电路,来提高光源的稳定性、可靠性和耐久性。
作者：李齐良 夏清清 张小燕 刊期：2010年第06期
该文研究了光在两种排列结构（等边三角形排列和等距平行排列）的光纤耦合器中传输的禁带及其产生慢光的频带分布。根据耦合方程得出了色散关系曲线,分析禁带结构。在禁带边缘确定不同的慢光状态的情况,分析波导间同相和反相时失谐频率对色散曲线及禁带的影响。研究表明改变相移量不仅影响禁带的宽度和位置,并且也会改变慢光状态的模式数。同时,...
作者：刘秉涛 孙玲玲 刘军 刊期：2010年第06期
研究了90nm CMOS工艺下浅槽隔离技术产生的x轴应力对NMOSFET电学性能的影响。用新一代集成工艺仿真软件Sentaurus TCAD对不同有源区宽度（Sa=0.4μm~3.2μm,间隔0.4μm）的90nm沟长NMOSFET进行了仿真并和测量数据进行了对比。随着有源区宽度从3.2μm减小到0.4μm,NMOSFET的饱和电流减小了7%,但其阈值电压增大了8%。这说明有源区宽度的减小使得STI应力...
作者：王任卿 张万荣 金冬月 陈亮 丁春宝 肖盈 孙博韬 赵昕 刊期：2010年第06期
针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温度分布的改善情况。结果表明,与传统不分段结构的器件相比,新型分段结构的多指SiGeHBT的指上的温度分布更加均...
作者：胡辉勇 张鹤鸣 崔敏 戴显英 宋建军 刊期：2010年第06期
采用溶胶-凝胶法（Sol-Gel）在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体（MFS）结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性。阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好。采用PZT铁电薄膜作为GaN基MFS结构的栅介质,利用其高介电常数和较强的极化电场可以显著降低GaN基MFS器件的工作电压。
作者：胡莎 程知群 刊期：2010年第06期
通过自洽求解一维泊松方程,计算了应用于微波通信系统的非故意掺杂AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的外延层结构参数对器件的二维电子气（2DEG）浓度,跨导等性能的影响。通过理论分析并结合TCAD软件最终确定AlGaN/AlN/GaNHEMT的最佳外延层结构。对栅长0.3μm和栅宽100μm的器件仿真结果表明,器件的最大跨导为418mS/mm,器件的最大电流密度...
作者：林之恒 侯政雄 田秋霜 张永来 高志强 刊期：2010年第06期
介绍了一种二阶可调谐CMOSLC型射频带通滤波器及与其匹配的压控振荡器设计。品质因数很高而且可以通过负电导发生电路调谐。目标频率由一组分立的亚波段组成,通过电容阵列来控制。仿真结果表明,滤波器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,工作电压3.3V,中心频率调谐范围为2.05Hz至2.38GHz。文中简单介绍了锁相环自动调谐系统。为了与滤波器进行匹配,振荡器是...
作者：牛旭 滑育楠 胡善文 张晓东 高怀 孙晓红 刊期：2010年第06期
基于推挽式结构设计了一款新型射频功率放大器,分析了推挽式结构的工作原理,构建了输入输出无损耗匹配网络。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果表明：该功率放大器在700MHz～1100MHz的频率范围内,其增益为25dB,在1dB增益压缩点处,输出功率大于2W,功率附加效率为50%,OIP3大于44dBc。
作者：胡杰 周进 刊期：2010年第06期
设计了一款用于频率综合器中的高性能三阶误差反馈型∑-Δ调制器。在环路滤波器中引入两条反馈通路,抑制了高频噪声,提升了调制器的噪声整形性能。利用加法器、触发器复用和移位代替乘法器的方法,减小了硬件复杂度,节省了芯片面积,降低了功耗。仿真得到最大输出信噪比可达135dB,调制器采用0.18μmCMOS工艺实现,面积仅为400×400μm2。
作者：成东波 孙玲玲 洪慧 韩健 刊期：2010年第06期
设计了一种采用增益增强技术并带有共模反馈的全差分运算放大器。该运算放大器主要由三个折叠式共源共栅结构的运放、一个偏置电路和一个共模反馈电路组成。运算放大器采用chartered0.35μmCMOS工艺实现,仿真结果表明运放开环增益为106.8dB,单位增益带宽为58MHz,相位裕度为79°（负载Cload=1pF）。对流片运放进行测试和分析,运算放大器测试指标和...
作者：刘海旭 林福民 张华福 赵培伟 刊期：2010年第06期
设计了适用于多注速调管,工作在TM310高次模圆柱形谐振腔耦合矩形波导输出回路,其工作中心频率为7585.3MHz,计算了腔体内各漂移管间隙阻抗的频率特性,并分析了输出回路的输出带宽。研究结果表明：在相同频率条件下,采用圆柱形TM310工作模式的谐振腔体积将是采用圆柱形TM010工作模式谐振腔体积的7倍;TM310高次模圆柱形谐振腔耦合矩形波导后,各漂...
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