杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
作者：潘金艳 曾桂英 高云龙 李昕 刊期：2010年第03期
研究了影响碳纳米管（CNT）场发射性能的主要因素,通过实验分析气压、热处理温度、发射体尺寸参数等,发现预先热处理可有效提高发射体分散均匀性,而高温后处理可有效纯化CNT;气压和温度是工作过程中影响CNT阴极膜场发射稳定性的重要参数;而CNT发射体的长度、管径与膜层密度是影响场发射电流特性的主要因素,长径比大小影响着场增强因子大小,大长...
作者：陈明园 孙萍 李俊伍 秦明 刊期：2010年第03期
介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150～300℃下成功的进行了Au-In倒装键合实验。在300℃,0.3 MPa压力下键合的剪切强度达到了5 MPa。
作者：李俊伍 顾慧 黄见秋 秦明 刊期：2010年第03期
MEMS器件的性能与尺寸密切相关。介绍了一种精确控制器件尺寸的各向异性腐蚀方法——基于改进TMAH溶液的PN结自停止腐蚀。这种方法几乎不刻蚀铝,从而与CMOS工艺良好地兼容。应用这种办法正面腐蚀,成功释放结构,尺寸与设计比较符合,证明了这种方法的可行性及易操作性。
作者：汪锋 章坚武 刊期：2010年第03期
针对以达芬奇（Da Vinci）系列DSP中的TMS320DM6446处理器为核心的DSP系统,设计并实现了一个电源模块,采用了两片高效同步的电源管理芯片：TPS75003和TPS62040,以满足系统对于内核电压、I/0电压,以及设备的供电电压的要求;同时,通过三块电压监控芯片TPS3808对电源管理芯片产生的电压进行实时监控,以实现内核电压与I/O电压的顺序上电...
作者：李宜瑾 凌云 宋志棠 龚岳峰 罗胜钦 贾晓玲 刊期：2010年第03期
由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流...
作者：郑家杰 莫太山 马成炎 殷明 刊期：2010年第03期
阐述了一种可用于零中频接收机的自动增益控制环路（AGC）的设计,应用一种并行补偿的直流失调消除电路,可有效抑制前级模块引入及电路本身失配导致的直流失调成分。相比传统的反馈式直流失调消除电路,该并行补偿电路具有抑制效果更好,更易实现较低下截止频率HPCF（High Pass Cutoff Frequency）的特点,同时不存在反馈式结构的稳定性问题。电路采...
作者：张永琥 张海英 黄水龙 雷牡敏 高振东 刊期：2010年第03期
基于0.18μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带（UWB）标准的单边带（SSB）混频器。对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求。结果表明,在6 GHz～9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大...
作者：程知群 高俊君 朱雪芳 徐胜军 刊期：2010年第03期
设计了一种能应用于GPS接收机的偶次谐波混频器,在RF输入端采用了电流复用电路提高混频器的转换增益和线性度,在LO输入端采用了倍频技术。同时,该拓扑结构还具有低功耗的优点。仿真结果表明：在1.8V电源电压下,RF频率1.575GHz,LO频率0.7895 GHz,LO功率为-5 dBm时,该混频器的转换增益为20.848 dB,三阶交调截至点为-2.297 dBm。表现出了高增益、高...
作者：段吉海 李晟 韩晓婷 刊期：2010年第03期
设计了一种适用于超宽带无线通信系统接收前端的全集成低噪声放大器。该放大器以经典窄带共源共栅低噪声放大器为基础,通过加入并联负反馈电阻以扩展带宽,采用噪声消除技术优化噪声系数。低噪声放大器基于SMIC 0.18-μmRF CMOS工艺进行设计与仿真,仿真结果表明,在3-5 GHz的频带范围内,S11小于-13 dB,S22小于-11.8 dB,S21大于17.3dB,S12小于-32 dB...
作者：蔡文晶 秦会斌 程春荣 刊期：2010年第03期
为了实现温度的实时监测,提出了一种基于CC2430片内温度传感器的温度监测系统,并对系统的硬件和软件进行了详细的分析和设计。无线传输节点采用了TI公司的单芯片无线通信模块CC2430＋低功耗RF前端CC2591,利用CC2430的片内温度传感器实现了温度采集,修改并移植了TI公司ZigBee2006协议栈Z-Stack1.4.2-1.1.0。结合上位机软件显示接收到的数据,实现...
作者：杨烨 滑育楠 孙晓红 张晓东 高怀 刊期：2010年第03期
计算LDMOS器件的二维温度分布,采用镜像方法从计算单指条器件的温度出发,考虑实际问题中存在的表面绝热条件以及两层介质间的连续性条件,获得单指条器件纵向温度分布函数。将所有热源在表面上点的温度进行叠加,得到多指条并联时器件的横向温度分布图。基于MATLAB编程计算,结果表明：镜像法简单实用且能更精确的计算出温度的梯度分布。此计算结果...
作者：彭自求 王军 袁凯 蒋亚东 刊期：2010年第03期
通过改善结构,来研制更小尺寸、更高分辨率的器件,成为微测辐射热计研制的新趋势,而其中最普遍的做法就是使用双牺牲层。本文介绍了双牺牲层微测辐射热计研究的最新成果,即以Raytheon和DRS等为代表的两种做法,并从器件结构和工艺上比较了两种思路的优劣。
作者：罗杰馨 陈静 伍青青 肖德元 王曦 刊期：2010年第03期
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主要从以下几个方面展开：模型的大信号等效电路图;归一化电荷的计算,转移电流表达式;晶体管二阶效应模型,包括基...
作者：何文涛 徐建华 叶甜春 殷明 刊期：2010年第03期
GPS接收机中信号捕获通过粗略调整本地复制信号的码相位和载波频率与卫星信号同步。信号捕获实际上一个二维的搜索过程,其主要挑战是计算复杂度。基于FFT的二维并行捕获方法,可以一次搜索整个二维不确定空间,在减少计算复杂度的同时提高了捕获性能。仿真结果表明,采用35 ms的捕获时间可以90%概率捕获到载噪比为34 dB-Hz的卫星信号。
作者：范瑾 邓云凯 罗积润 袁宏伟 刊期：2010年第03期
设计了一种新型基于哑铃型光子带隙（PBG）的宽带高增益E形贴片天线。实现X波段天线单元38.2%的阻抗带宽（VSWR〈2）且频带内增益提高1-2.5 dB。将PBG结构应用于天线阵列,实现了全频带增益的提高,且单元端口互耦隔离度最大可提高5 dB。仿真和实测结果有好的一致性。
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