杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
作者：彭冬生 冯玉春 郑瑞生 牛憨笨 刊期：2009年第02期
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响。测试结果表明：对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,X射线摇摆曲线中,其（0002）面及（10-12）面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec。透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的近带边发射峰强度...
作者：桂太龙 汪钢 张秀芳 梁栋 刊期：2009年第02期
本文采用直流磁控溅射法在基板温度100℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物（In2O3：SnO2=90：10,质量百分比）薄膜。利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响。结果表明：ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,I...
作者：王海林 吴云峰 叶玉堂 冯晓昱 龚磊 刊期：2009年第02期
针对做前后直线运动的待检测物体,在某一个特定的时刻,可以获取该物体的上、下、左、右四个方向的图象信息,研究了这四幅同步图象的采集和预处理,并将预处理后的同步图象通过CameraLink接口上传到PC机进行后续的物体表面损伤检测。系统采用DSP＋FPGA框架,利用FPGA的逻辑粘合作用完成信号格式的转换,这个方案进一步推动了机器视觉在生产领域的应...
作者：杨欣 屠彦 刊期：2009年第02期
超薄荫罩式PDP是在传统的荫罩式PDP结构的基础上提出的一种新型结构。它采用超薄玻璃作为前、后玻璃基板代替原来的玻璃基板,使重量减轻、厚度减薄,并且以超薄玻璃本身充当介质层,使得结构更加简单。用ANSYS软件模拟超薄玻璃作为前后玻璃基板及介质层,其形变受玻璃厚度、放电单元开口面积、玻璃的材料等因素的影响情况,研究结果为超薄荫罩式PDP...
作者：刘美莹 汶德胜 曹红杏 刊期：2009年第02期
提出了一种基于角点特征的图像自动拼接方法。分析了Harris角点检测算子的实现原理及其不足,提出一种改进的Harris角点检测算法提取图像特征角点,减少了计算量,同时提高角点的定位精度,增强了算法的抗噪性能。然后用快速RANSAC算法求出图像变换矩阵H的初值并使用LM非线性迭代算法精炼H,最后采用像素值加权的方法进行图像融合。实验结果表明,该算...
作者：周颖慧 夏丽娟 刊期：2009年第02期
人脸检测是在图像中检测到人脸的位置,是当今科技领域攻关的热点技术。提出一种基于CMOS图像传感器和USB2.0的人脸检测系统。该系统利用CMOS图像传感器OV9620和USB2.0主控芯片CY7C68013设计高分辨率数字图像采集系统,由PC机采集图像数据,并对数据进行彩色恢复处理。在此基础上,完成视频图像中人脸的实时检测。文章阐述了该采集系统的软硬件结构...
作者：黄磊 李自田 孟楠 刘美莹 刊期：2009年第02期
针对某高帧频CCD可见光相机的设计要求,提出一种可行的驱动时序设计方法。采用Sarnoff公司的VCCD512H面阵CCD传感器,结合多通路数据传输的思路分析了传感器驱动时序关系,以Xilinx公司的FPGA芯片XQ2V3000作为时序发生器并实现数据缓存,从而实现了时序发生器与数据缓存的一体化设计。在Xilinx-ISE9.1i开发环境下采用VHDL语言编程,通过Modelsim SE6...
作者：温凯 黄永清 段晓峰 黄辉 王琦 刊期：2009年第02期
由于实际中多周期高反射膜空间解复用器的制备工艺的难度,根据＂超棱镜＂效应的多层薄膜空间解复用器的设计方法,提出了一种制备工艺简单的多层薄膜结构,以此来降低制备的工艺难度。制备通过增加周期中单层膜的级次来减少整个高反射膜系的周期数。所设计的高级次反射膜系为10（9H9L）9H,对设计的膜系进行了数值模拟计算,并和相同总物理厚度的一...
作者：范铁道 田雁 曹剑中 陈庆辉 唐利孬 刊期：2009年第02期
在分析DALSA公司的IA_G3 COMS面阵传感器驱动时序基础上,设计了SPI模式的寄存器配置电路,实现了CMOS图像传感器的成像功能。通过开窗口技术,方便地实现了感兴趣区域图像的读出。选用现场可编程门阵列（FPGA）作为载体,使用VHDL语言对驱动时序发生器进行了硬件描述。采用Quartus Ⅱ 7.1软件对所做的设计进行功能仿真后,将程序烧写入FPGA（ALTERA...
作者：白喆 张伯珩 边川平 刊期：2009年第02期
根据CCD输出视频信号的特点,分析并设计了CCD相机视频信号处理方案;使用集成了相关双采样电路（CDS）、增益控制电路（AGC）、箝位电路、模数转换器（ADC）等功能的CCD信号处理芯片TDA8783对视频信号处理电路进行了详细设计,对该处理过程进行了详细的研究和分析。最后,简单总结了视频处理电路中应注意的问题。
作者：王本莲 林祖伦 王小菊 曹伟 刊期：2009年第02期
利用微细加工技术在单晶LaB6材料上制备出了场发射二极管阴极阵列。具体工作是结合半导体工艺,采用薄膜沉积、涂胶、曝光、显影、刻蚀以及电化学腐蚀等一系列工序制备出了性能良好的尖锥阵列。工作的重点是覆有掩膜层单晶LaB6材料的电化学腐蚀,通过大量实验摸索出了最佳的工艺参数（包括电解液类型及浓度、电解电流、电解时间等）,得到了具有一...
作者：林弥 张海鹏 吕伟锋 孙玲玲 刊期：2009年第02期
在传统数字电路开关-信号理论的基础上,提出了一个全新的基于共振隧穿RT（Resonant Tunneling）电路的翻转-传输理论,建立了适用于共振隧穿电路的翻转-传输代数系统,确定了两种联结运算,并用共振隧穿器件实现了该两种联结运算的基本电路结构。为设计共振隧穿电路特别是基本逻辑电路提供了一个全新的理论基础和系统的设计方法。
作者：胡钉 黄永清 吴强 李轶群 黄辉 任晓敏 刊期：2009年第02期
基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数,并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT建模中。通过对比模型仿真和器件实测的数据可以看出,本文采用的HBT GP模型准确度高,可以较好地表征实际HBT器件的直...
作者：高正鑫 程秀兰 刊期：2009年第02期
本文提出了一种新型的对称式SON LDMOS功率器件。在对器件击穿电压进行解析分析的基础上,利用SilvacoTCAD仿真软件Atals验证了漂移区设计对器件击穿电压的影响,证明了峰值击穿电压的存在。并且对比分析了SON LD-MOS与SOI LDMOS击穿电压和寄生电容方面的优劣,研究表明SON LDMOS在击穿电压上比SOI LDMOS器件提高了近3倍,并且其寄生电容也较小,这为...
作者：杨帆 钱钦松 孙伟锋 刊期：2009年第02期
CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构入手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻Ron的原理。通过理论计算,得到相关的设计参数,并结合TCAD软件对Cool-MOS的多个参数（外延参数、注入剂量、单胞尺寸、推阱时间）进行了优化。最终得到击穿电压为630 V,特征导通电阻RonA仅为12.5 mΩ.cm-2的...
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