电子器件

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Chinese Journal of Electron Devices

杂志简介:《电子器件》杂志经新闻出版总署批准,自1978年创刊,国内刊号为32-1416/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术

主管单位:中华人民共和国教育部
主办单位:东南大学
国际刊号:1005-9490
国内刊号:32-1416/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1978
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文、英语
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.8
复合影响因子:0.65
总发文量:3025
总被引量:11456
H指数:26
引用半衰期:3.5125
立即指数:0.0281
期刊他引率:0.8551
平均引文率:8.4803
  • SOI衬底和n~+衬底上SiGe HBT的研制

    作者:姚飞; 薛春来; 成步文; 王启明 刊期:2007年第05期

    分别在高掺杂的Si衬底和SOI衬底上用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统生长了SiGe/Si外延材料,并采用2μm的工艺制备出SiGe/SiHBT(Heterostructure Bipolar Transistor).使用晶体管图示仪测量晶体管的特性.性能测试表明,在SOI衬底上获得了直流增益β大于300的SiGeHBT,但SOI衬底上的SiGeHBT表现出较严重的自热效应.此外,使用Al电极制备的HBT具有大...

  • 双层螺旋RF MEMS电感的模拟与设计

    作者:武锐; 廖小平 刊期:2007年第05期

    分析了双层螺旋电感的等效电路模型,研究了一种与传统CMOS工艺兼容的MEMS工艺,通过腐蚀电感结构下的硅衬底使电感悬空.利用HFSS软件对一些双层螺旋微电感进行了模拟,模拟结果表明,相比传统单层电感,双层电感可以减少60%的芯片面积,10nH的电感也只需要很小的面积,经过MEMS后处理的双层螺旋电感的最大Q值都超过了20.

  • GPS接收机中1.57GHz CMOS锁相环的设计

    作者:杜占坤; 郭慧民; 陈杰 刊期:2007年第05期

    设计了一种用于GPS接收机中采用CMOS工艺实现的1.57GHz锁相环.其中,预分频器采用高速钟控锁存器(LATCH)的结构,工作频率超过2GHz.VCO中采用LC谐振回路,具有4段连续的调节范围,输出频率范围可以达到中心频率的20%.电荷泵采用一种改进型宽摆幅自校准电路,可以进一步降低环路噪声.锁相环采用0.25μmRFCOMS工艺实现.测量表明VCO输出在偏移中心频率1MH...

  • CMOS热流量风速计恒温差控制环路的研究

    作者:吴剑; 秦明; 丁高飞; 沈广平; 李成章 刊期:2007年第05期

    分析了恒温差控制模式在CMOS热流量风速计中遇到的振荡问题.为了能够用Pspice等电路软件对环路进行分析,建立了传感器热域到电域的转换模型.分析可知,检测芯片温度的PN结与加热电阻间的距离以及芯片材料的热容和热阻等参数对恒温差控制环路的工作频率有很大的影响.为了调节环路的振荡频率使它能更好的控制芯片温度并且优化测风速和风向时的性能,...

  • 一种掩模与硅片的底面自动对准方法

    作者:刘云; 徐德; 谭民 刊期:2007年第05期

    硅片对准标记中心位置的求解是掩模与硅片底面自动对准的重要环节.对于对称标记图像,提出了基于矩的中心位置求解方法;对于非对称标记图像,采用Hough变换和聚类分析的方法求解标记中心位置.在此基础上,提出了掩模与硅片底面自动对准的方法.仿真实验证明了该对准方法的有效性.

  • 互连线工艺中铝上窜至VIA的研究

    作者:姜晨; 刘恩峰; 徐锋 刊期:2007年第05期

    讨论一种发生在铝互连线工艺中的较为少见的VIA(通孔)失效现象:淀积VIA氮化钛阻挡层后出现下层铝的上窜.通过对于失效的VIA进行失效分析,我们在VIA孔底部发现了一层变异的金属层.EDS成分分析显示它的主要成分是铝,并包含一些钛化铝的成分.这种VIA失效现象的根本成因是在淀积VIA氮化钛阻挡层时,下面金属层的铝被挤入至VIA孔导致VIA的主要填充成分...

  • 一种用TMS320LF2407A实现实时数字滤波器的方法

    作者:白汉斌; 许锐峰; 张明敏 刊期:2007年第05期

    数字滤波是信号处理的重要技术.在介绍数字滤波基本原理的基础上,给出了基于TMS320LF2407A定点数字信号处理芯片实现FIR滤波器的一种新的方法,该方法基于TMS320LF2407A芯片A/D转换模块内置的特点,利用其丰富的开发指令和灵活的程序设计来实现,详细叙述了其总体框架和具体实现步骤,并且通过实例的计算,证明该方法较好地完成了设计的目标.实践表明...

  • 基于小波变换的压电陀螺类噪声滤波器设计

    作者:刘岩; 李友一; 陈占军; 葛文奇 刊期:2007年第05期

    1/fγ类随机噪声是影响压电陀螺精度的主要因素之一,其中随机信号包括白噪声和分形噪声.由于分形噪声具有长期相关性和自仿射性,采用传统的低通滤波方法难以达到有效的滤波效果.本文利用分形噪声在小波变换域的特性采用小波变换域参数估计的方法获得噪声参数,通过小波白化的方法消除分形噪声的长期相关性和自仿射性,最后应用小波软阈值的滤波方法...

  • 用AOA Deboo积分器设计通用二阶电流模滤波器

    作者:李永安 刊期:2007年第05期

    为了获得高精度的通用二阶电流模滤波器,根据伴随网络的概念,以基于VFA电压模Deboo积分器为原型,先给出了AOA电流模Deboo积分器,再给出AOA电流模多路输出比例电路,最后设计出了极点频率为31.8kHz,品质因素为1,通带增益为4的通用二阶电流模滤波器.该电路的参数取决于电阻比,两积分电容接地,因而适合VLSI单片集成技术.计算机仿真与理论分析一致.

  • 基于MOCCCⅡ的双模式二阶通用滤波器

    作者:李志军; 鲁光德; 王春华 刊期:2007年第05期

    提出了一种基于多输出端口电流控制电流传输器(MOCCCII,multiple outputs current controlled conveyor)的双模式二阶通用滤波器,该滤波器结构简单,仅由5个有源器件、2个接地电容构成,无须外接电阻.该电路在不改变内部电路结构的情况下能实现电压模式和电流模式滤波器,且每一种工作模式都能实现高通、低通、带通等多种滤波功能,因此该电路具有通...

  • 新型CMOS正交压控振荡器设计

    作者:彭伟; 彭敏; 黄春苗; 吴昊; 张群荔 刊期:2007年第05期

    通过对两个相同的LC振荡器进行交差耦合,用耦合系数来控制输出频率,设计了一种新型精准正交正弦波压控振荡器.由于其频率调节方式不再依赖于变容管,大大增加了输出频率的调节范围.基于TSMC18rf工艺库,采用Cadence的Spectre工具对电路进行仿真.在VDD=1.8V下,频率覆盖了1.78GHz到4.03GHz,可调控范围约为77%,1MHz处相位噪声约为-104dB/Hz.

  • 掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究

    作者:李诚瞻; 刘键; 刘新宇; 刘果果; 庞磊; 陈晓娟; 刘丹; 姚小江; 和致经 刊期:2007年第05期

    对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因为对于掺杂AlGaN/GaN HEMT,表面态俘获电子将耗尽掺杂AlGaN层,从而能对2DEG起屏蔽作用.AlGaN体内杂质电离后留下正电荷也能进一步...

  • 聚合物电致伸缩材料性能测试高压发生器的研制

    作者:吴剑锋; 李建清; 宋爱国; 林保平 刊期:2007年第05期

    简述了聚合物电致伸缩材料性能测试高压发生器的基本特性及其研制的必要性,采用两种高压控制方法对高压进行调节,并进行了相应的硬件电路设计,解决了高压输出控制中的自动和手动一体化控制问题.为了解决输出线性度问题,采用了软件方法进行输出线性度纠正,最终实现了所需的功能.

  • 采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应

    作者:宋文斌; 许高博; 郭天雷; 韩郑生 刊期:2007年第05期

    制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.

  • Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响

    作者:张书敬; 杨瑞霞; 崔玉兴; 杨克武 刊期:2007年第05期

    研究了AuGeNi/Au金属系统中Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触.