杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
作者：吴春瑜; 朱长纯; 王颖; 朱传森 刊期：2006年第04期
在建立GCT器件模型的基础上，研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明，缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量是决定GCT的通态压降的关键因素。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度，可以合理地控制该区域的总杂质量，降低GCT的通态压降。此外，缓冲层和透明阳极相结合结构加速了器件关断过程中载流子的泄放，改善了GCT关断...
作者：高志强; 喻明艳; 叶以正 刊期：2006年第04期
介绍了一种基于Nauta跨导一电容积分器的CMOS集成滤波器设计。在滤波器设计过程中，利用改进的Nauta导具有可调增益、高线性度、宽频域特点，使滤波器可工作在UHF频段并有高品质因数Q，仿真结果表明，所设计的滤波器采用Cllarted Semiconductor Manuhcturing（CSM）0．35um CMOS工艺，工作电压为3V，Q值可达到40-100，当中心频率为433MHz，Q值为...
作者：吴峻峰; 李多力; 毕津顺; 薛丽君; 海潮和 刊期：2006年第04期
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管，并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘泄漏通路，但是在有源扩展区部分，由于LOCOS技术引起的硅膜减薄和剂量损失仍就促使了边缘背栅阈值电压的降低...
作者：岳瑞峰; 董良; 刘理天 刊期：2006年第04期
根据测辐射热计对热敏感材料的要求。采用超高真空化学气相淀积（UHVCVD）法制备出多晶Si0.7Ge0.3薄膜，研究了B离子注入剂量、退火工艺与电导率和电阻温度特性的相关性，因此确定出了最佳的工艺条件。并利用其制备出了探测率高达3．75×10^8cmHz^1/2·W^-1的测辐射热计。
作者：崔云康; 王博; 张晓兵; 雷威; 狄云松; 王金婵 刊期：2006年第04期
碳纳米管场发射显示器件（CNT—FEDs）现已成为场发射研究的热点。本文研究了碳纳米管场发射显示器件在其真空封接过程中出现的碳纳米管丢失的问题，对碳纳米管场发射显示器件的封接方法提出了一些改进，并提出一种新型的碳纳米管场发射显示器件的封接结构，有效的解决了真空封接过程中的碳纳米管丢失的问题，为碳纳米管场发射显示器件（CNT-FED...
作者：狄云松; 王博; 雷威; 张晓兵; 崔云康; 程静 刊期：2006年第04期
碳纳米管场发射显示器件的研究已在各个国家开展了许多年，但仍然有很多的问题亟待解决，如碳纳米管作为阴极发射材料的发射均匀性、开启电场、栅极结构的制作、荧光屏制作、真空封装等困难。本文研究了碳纳米管场发射器件的几种结构、特性及其制作工艺，重点阐述了前栅极结构碳纳米管场发射显示器件中在栅极制作和阴极材料装配的瓶颈，并提出了...
作者：陈利杰; 高勇; 孙向东; 邢毓华 刊期：2006年第04期
针对电力电子领域的需求，设计了新型全数字三相SPWM信号产生芯片。该芯片采用了改进的直接数字频率合成DDS（Direct Digital Frequency Synthesis）算法，以保证芯片的高性能，其输出SPWM信号频率的控制精度为65536级，达到设计要求。为了验证芯片的实用性能，以该芯片为基础设计了变频调速系统的硬件和软件。实验结果表明该系统具有成本低、信...
作者：王彩琳; 高勇 刊期：2006年第04期
首先简要地分析了各种少子寿命控制技术的特点。指出了逆导型门极换流晶闸管（RC-GCT）中集成二极管的设计要求和考虑。在此基础上，采用结构参数优化和少子寿命控制相结合的方法。利用MEDICI软件对集成二极管的各项特性进行了模拟。最后。通过模拟结果分析。确定了RC—GCT中集成二极管的特性设计参数和工艺实现方法。
作者：张林; 张义门; 张玉明; 汤晓燕 刊期：2006年第04期
给出了一种新型SiC MOSFET-6H-SiC异质结源漏MOSFET。这种器件结构制备工艺简单，避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高等问题，而且具有性能优良，开态电流大，侧墙工艺简单的特点。文中分析了该器件的电流输运机制，并通过器件仿真软件ISE TCAD模拟，给出了SiC异质结源漏MOSFET伏安特性以及其和相关器件结构和工艺参...
作者：刘皓; 景为平 刊期：2006年第04期
给出了一个采用0．6um CMOS工艺设计的改进结构环形振荡器，电路由RC充放电回路、施密特单元以及反相延时单元组成，结构简单，工作频率受集成电路工艺参数影响小。该电路带有使能控制端，并且通过调节少量的外部元件可以改变电路的振荡频率，适用作各类中／低频数字集成电路中的时钟产生电路。分析了改进结构环形振荡器的工作原理，给出了Hspic...
作者：董振斌; 高勇; 唐威; 杨媛 刊期：2006年第04期
为了满足串行通信中高速率、低错误率和多路传输的要求，通过采用过采样技术和一种比传统的组合逻辑电路快捷高效的时序电路奇偶校验方法，设计了使用更加灵活方便的双通道通用异步收发器（DUART）。仿真结果表明电路达到设计要求，并完成了版图设计。
作者：龚正; 冯军 刊期：2006年第04期
介绍了一种基于0．18umCMOS工艺，应用于5GHz无线局域网（WLAN）的可编程增益放大器（PGA）。该PGA采用分级可选放大器的系统结构，核心电路由交叉耦合的共源共栅放大器和电流反馈放大器组成。为消除工艺角偏差对增益精度的影响，设计中加入了增益微调的机制。后仿真结果表明：POA电压增益可在0dB到41dB之间以1dB步长变化，双端输出的电压摆幅为...
作者：鲍丙豪; 赵湛; 董钢; 蒋峰 刊期：2006年第04期
近零磁致伸缩系数的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带卷制成环形磁芯，在2kA/m横向磁场作用下，用密度为25A／mm^2的脉冲电流退火30s后作为敏感元件，提出了一种利用巨磁阻抗效应制作的新型非接触弱电流传感器。磁芯采用高频脉冲电流励磁，信号处理电路由峰值检波、低通滤波及差动电路构成。分析了传感器的工作原理，对传感器信号处理电路进行了参数...
作者：柳娟娟; 冯全源 刊期：2006年第04期
针对传统电流比较器速度慢，精度低等问题，提出了一种新型CMOS电流比较器电路。我们采用CMOS工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了仿真，结果表明当电源电压为3V，输入方波电流幅度为0．3uA时，电流比较器的延时为5．2ns，而其最小分辨率仅约为0．8nA。该比较器结构简单，速度快，精度高，适合应用于高速高精度电流型集成电路中。
作者：赵坤; 满家汉; 叶青; 叶甜春 刊期：2006年第04期
在分析锁相环线性模型的基础上，分析了影响锁相环系统的各种因素，采用相应的优化方法设计了一款4.1GHz LC锁相环。详细介绍了该锁相环中各模块电路（包括Lc型压控振荡器，高速分频器，数字分频器，鉴频／鉴相器，电荷泵以及无源滤波器等）的设计，并且给出了仿真结果。其中高速分频器采用TSPC逻辑电路，速度快功耗低。该锁相环采用SMIC 0.18um...
影响因子：0.46
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期刊级别：部级期刊
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影响因子：0.74
期刊级别：统计源期刊
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影响因子：0.59
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期刊级别：北大期刊
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影响因子：0.85
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