杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
作者：吴建刚; 岳瑞峰; 曾雪锋; 刘理天 刊期：2005年第04期
研制出一种利用介质上电润湿(Electrowetting-on-dielectric, EWOD)机理的新型开放式离散液滴驱动器,它采用重掺杂多晶硅制备微电极阵列,氧化硅以及碳氟聚合物薄膜作为复合疏水介质层,悬挂的细硅铝丝作为参考零电极.通过控制施加在微电极阵列上的脉冲电压时序,来精确操作和控制疏水介质层表面液滴的运动.该器件采用了悬挂线开放式结构,在空气环...
作者：赵建印; 彭宝华; 孙权; 周经伦 刊期：2005年第04期
高储能密度金属化膜脉冲电容器是一种高可靠性、长寿命的器件,在短时间内很难得到它的失效数据,因此无法采用基于失效数据分析的传统可靠性分析方法来研究其可靠性.金属化膜脉冲电容器的失效是退化型失效,根据其失效机理,给出了电容器容值退化失效模型,依据该模型和电容器的容值退化数据,对该型电容器进行了可靠性研究,该型电容器的平均寿命为21...
作者：张杰; 杨晓飞; 赵瑞莲 刊期：2005年第04期
眼睛定位是人脸识别的非常重要的一个环节,后续的图像几何归一化、图像矫正和特征提取都依赖于眼睛的位置.提出一种人眼快速定位的新方法.首先用积分投影法检测到眼睛瞳孔的大致位置;然后用Sobel边缘检测算子提取图像边缘信息;再利用基于圆的Hough变换快速定位出人眼,实验证明了本方法的有效性.
作者：邓春健; 肖传武; 郑喜凤; 吴平; 王遵立 刊期：2005年第04期
相对于LED大屏幕显示器视频控制卡,脱机控制卡在软件实现上需要做较多复杂的工作.对不同点阵,不同通讯方式的需求,脱机控制卡软件、硬件以及显示屏控制机软件都有较大的变化.利用μClinux嵌入式ARM系统以及FPGA构成的双控制器,设计出支持多通讯方式,驱动在设计范围内各种点阵LED显示器的通用脱机控制卡,从而使得LED大屏幕脱机显示屏开发周期大大...
作者：耿新民; 张建平; 谢秀中; 赵科仁 刊期：2005年第04期
为了解决在较短的时间内预测真空荧光显示屏(VFD)寿命的问题,降低寿命预测成本,通过加大灯丝温度进行了恒定和步进应力相组合的加速寿命试验,研究制定了其加速寿命试验的设计方案.应用威布尔分布函数描述其寿命分布,利用最小二乘法完成了试验数据的统计和分析,并开发了寿命预测软件.研究结果表明,试验设计方案是正确可行的,VFD的寿命服从威布尔...
作者：修吉宏; 翟林培; 刘红 刊期：2005年第04期
条带噪声是线阵CCD成像过程中最常见的系统噪声,其存在掩盖了图像的有用信息,给图像判读造成了不利影响.利用小波变换对信号奇异点检测的优越性,检测出条带噪声在小波系数中的周期性分布规律.依据小波去噪三步法,对存在条带噪声的低频和高频小波系数分别进行阈值处理.处理后图像目视效果良好,功率谱基本保留了原图像功率谱的变化趋势,表明在有效...
作者：刘微; 朱明; 李向荣; 孙辉 刊期：2005年第04期
为解决相机与被拍摄物体之间存在较大相对运动而产生的图像模糊,提出使用三个定点DSP和一个浮点DSP共同完成运动模糊图像实时恢复的方法.研究运动模糊图像的退化模型,采用维纳滤波方法进行运动模糊图像恢复.阐述了定点DSP完成二维FFT的原理和注意事项,说明了四个DSP在图像恢复过程中各自的功能.对于512×512大小的图像,定点DSP完成二维FFT的时间...
作者：王超; 李晓华; 杨晓伟; 戚益科; 赵斌; 陈福朝 刊期：2005年第04期
运动伪像导致液晶显示器件的动态显示质量下降,制约了其在诸如电视领域的运用.在总结液晶显示器件运动伪像成因,对比现有各种针对液晶显示器件运动伪像测量方法优缺点的基础上,提出并建立液晶显示器件运动伪像预测评估系统,该系统建立在LabVIEW7.1虚拟仪器软件平台基础上,信号数据采集实时、精确,且后期处理方便.实验证明该系统可以满足实际测量...
作者：李瑞贞; 韩郑生 刊期：2005年第04期
提出了一种新的部分耗尽SOI体接触技术,与其它体接触技术相比,该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应.形成多晶硅栅之前在源区进行大剂量P+杂质注入,然后形成非对称源区浅结结构.然后生长硅化物电极,厚的硅化物穿透源区浅结与下面高浓度的体区形成欧姆接触.二维器件模拟表明该结构可以有效降低强反型区体区电势,从而抑制了浮体效应.
作者：朱樟明; 杨银堂; 任乐宁 刊期：2005年第04期
准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路的系统采用TSMC 0.25μm 2P5M CMOS工艺的CMOS准浮栅技术,提出了0.8 V运算放大器,最大直流开环增益可以达到76.3 dB,相位裕度为75°,单位增益频率为1.0 5 MHz.设计了0.8 V一阶CMOS开关电容高通滤波器,滤波器输入输出电压范围为0～0.8 V,截止频率为100 KHz.
作者：朱赤; 李伟华; 周再发 刊期：2005年第04期
反应离子刻蚀(RIE)的二维物理模型,包括各向同性和各向异性两部分.该速率公式的参数由实验提取,随RIE工艺参数而变化.采用线算法和C++编写用于模拟RIE刻蚀的计算机模拟软件,该软件可以对各种不同的起始条件进行模拟.对公式中的角度计算过程中可能出现的各种情况分别进行了讨论.为了确保软件的精度和稳定性,算法采用了添加点和减少点的方法,最后...
作者：王立峰; 黄庆安; 李伟华 刊期：2005年第04期
由于在线测试的要求,断裂强度将不便于采用显微镜观测、拍照和加外力等方法来测量.使用发热梁作驱动将待测多晶硅拉断,只须读取拉断时外加的电流就能计算出多晶硅的断裂强度.就是说,使用电测量的方法测试多晶硅的断裂强度,有测试方法简单的效果.并且通过模拟和实验验证,其精度足以满足工艺线在线测试的要求.
作者：祁雪; 黄庆安; 秦明; 张会珍; 樊路加 刊期：2005年第04期
分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以在很大程度上减轻阳极键合工艺的影响;而玻璃在硅片下方的键合方式,硅片上的电路几乎不受阳极键合工艺的影响,两种方法各有...
作者：刘高辉; 余宁梅; 董怀玉 刊期：2005年第04期
基于射频CMOS集成电路技术,设计出用于超宽带无线通信系统的CMOS下变频器.讨论了利用电容电感网络进行窄带电路阻抗匹配和电阻网络进行宽带电路阻抗匹配的思想和方法.调用SMIC的0.25 μm射频工艺库在HSPICE仿真平台上对混频器电路进行了仿真,并对输出信号进行了频谱分析,仿真了该电路的关键技术参数.模拟结果和仿真参数验证了该混频器电路的正确...
作者：贾宏 刊期：2005年第04期
IR21592/IR21593是IR公司于2004年推出的一款新型可调光电子镇流器控制驱动器IC.该芯片集成了全调光镇流器控制器和600 V半桥驱动器,可实现无变压器灯功率感知相位控制,简化了从不可调光到可调光镇流器需做的改动.外部可控参数包括:预热时间和电流,点燃到调光时间,和全调光接口等,这给予镇流器设计工程师以很大的灵活性.该IC包括灯点燃失败保护...
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