杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
杂志简介：《电子器件》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为32-1416/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术
作者：王琪琨; 朱长纯; 田昌会; 史永胜 刊期：2004年第04期
研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜.CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2%,最佳烧结温度为480 ℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化.银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的...
作者：王晓峰; 梁吉 刊期：2004年第04期
通过催化裂解法制备碳纳米管材料,以泡沫镍作为集流体制备成电极并采用LiClO4/PC为有机电解液组装成60 F超级电容器,其内阻为35 mΩ,具有0.8 Wh/kg的比能量以及0.75 kW/kg的峰值功率密度,且在较大电流放电时,仍然保持良好的容量特性.因而适合作为电子设备中的大电流放电电源.本文详细探讨了超级电容器对锂离子电池GSM脉冲放电性能的改善以及复合...
作者：李昕; 朱长纯; 赵红坡; 韩建强 刊期：2004年第04期
微电子机械系统(MEMS)器件制造过程中的各向异性腐蚀工序，会引起硅片正面的AI连线被腐蚀，造成器件的失效。本文论述了使用一种环氧树脂和聚酰胺调配的胶体将器件正面电路密封起来的方法，使MEMS器件在85℃，浓度为33％的KOH溶液里进行各向异性腐蚀，可以成功地保护AI连线。这种方法的使用，为MEMS器件的制作完成奠定了技术基础。
作者：张楷亮; 宋志棠; 张建新; 檀柏梅; 刘玉岭 刊期：2004年第04期
针对超大规模集成电路多层互连结构中介质CMP抛光速率低,急需的大粒径硅溶胶研磨料,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质CMP用大粒径硅溶胶,并采用TEM、激光粒度分析仪和Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征.以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的CMP研究,结果表明,平均粒径103.4 nm的...
作者：周守利; 崇英哲; 黄永清; 任晓敏 刊期：2004年第04期
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生能带变窄效应(BGN).对于因重掺杂NPN突变AlGaAs/GaAs HBT,而引起BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果,以致对电流输出特性产生重要的影响.本文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射--扩散载流子输运机制,对考虑自热效应下的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性进行了深入的研究.通...
作者：秦少玲; 屠彦; 尹涵春 刊期：2004年第04期
场致发射器件中,发射电流密度的大小和阴极表面场强呈指数关系,较为精确地计算尖端附近场强对精确计算发射电流是至关重要的.本文主要研究了不同网格划分对模拟结果产生的影响,对比了解析解和模拟结果,分析了网格细化过程中产生的误差;讨论了尖端半径、发射体高度、锥尖距离对球形顶圆锥模型尖端场强的影响.研究表明,随着网格尺寸的减小,模拟精...
作者：李学夔; 郝志航; 李杰; 李广泽 刊期：2004年第04期
提出了一种新的用于星敏感器的多星关联性分析算法,此算法经过复杂的分析,比较,可以确定出图象中有用星点的外接矩形,从而为下一步的矩心计算做好准备.与传统关联性算法相比,这种算法只需要对图象做一次扫描,从而大大节约了计算时间,在文章最后,我们给出了在实际应用中,通过数字信号处理器(DSP)用此算法与传统算法处理同一幅星图所需要的时间,从...
作者：李学夔; 郝志航; 李杰; 周国辉 刊期：2004年第04期
介绍了星敏感器的基本工作原理,分析了星图的特点,并结合星图的特点对星图阈值的确定和内插细分算法进行了研究,从理论和实践两个方面对星点定位算法进行了分析,最后确定了适合星图使用的星点定位方法.并用星敏感器对该定位方法进行了试验检验,取得了较为满意的结果.
作者：赵洪辰; 海潮和; 韩郑生; 钱鹤 刊期：2004年第04期
研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响.提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益.原因是:①基区杂质浓度增加,减弱了发射极向基区注入多子,增强了基区向发射区的少子注入;②增加硅化物厚度会增加其横向扩展,减小发射极的注入效率.
作者：赵洪辰; 海潮和; 韩郑生; 钱鹤 刊期：2004年第04期
在商用SIMOX衬底上制备了抗辐照NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用C型体接触结构,消除边缘寄生晶体管.结果表明,在经受1×106 rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化.
作者：张修太; 黄蕙芬 刊期：2004年第04期
采用电子束蒸发法在硅衬底或BaTiO3陶瓷基片上沉积了Ga2O3:Mn电致发光膜,并进行了不同温度热处理,制备了电致发光器件.用X射线衍射(XRD)分析了Ga2O3:Mn薄膜晶体结构;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱.研究了Ga2O3:Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系.实验结果表明,Ga2O3:Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高,且晶体结构和结...
作者：崔国庆; 黄庆安; 王建华 刊期：2004年第04期
少子寿命是PIN二极管的重要参数,对二极管的正向压降和开关时间有很大的影响.阶越反向恢复法是常用的测试少子寿命方法之一.本文通过分析电荷控制方程得到了更精确的表达式,并用这种方法计算了储存电荷法的公式.表达式用MEDICI器件模拟软件进行了验证.结果表明与目前常用的方法相比,本文的方法具有更好的精确性,而且简单易行,适合实际应用.
作者：谷金清; 陈志永; 孙以材 刊期：2004年第04期
采用无线收发模块,结合单片机控制,设计了自动换档水电导率仪的无线数据采集系统.该系统能实现自动换档,误差自动补偿,数据远程无线显示.系统成本低,应用范围广,传输可靠,适合于需要进行无线传输的数据采集系统.
作者：王洁; 张玉明; 张义门; 尹韬 刊期：2004年第04期
提出了一种新颖的频率可调范围为3个数量级的全集成变阻环形压控振荡器,应用互补型开关作为可变电阻器并通过控制其电压来调节电阻值从而达到宽调谐的目的.采用TSMC 0.25 μm标准CMOS工艺进行模拟仿真,结果显示控制电压为0.4～3 V变化时,相应振荡频率为288 KHz～934 MHz,具有较宽的调谐范围、较好的波形和较快的振荡摆幅,同时具有电路结构简单、...
作者：郭本青; 张庆中; 李玉龙 刊期：2004年第04期
长期以来,解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻,以及PTC,CTR热敏电阻等无源器件.区别于前者,本文提出一种实时有效的基极镇流解决方案,采用传感器探测结温,后续触发装置触发功率BJT基极发射极之间的镇流MOS管,来完成微波功率晶体管的过温保护,和常温解除功能,最终实现对功率器件的实时有效保护,使器件同时具备更高...
影响因子：0.46
期刊级别：北大期刊
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发行周期：半月刊
影响因子：0.59
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.74
期刊级别：统计源期刊
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期刊级别：部级期刊
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期刊级别：北大期刊
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影响因子：0.43
期刊级别：北大期刊
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