摘要：我们用混合物理化学气相沉积（Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition简称为HPCVD）法在Al2O3（001）衬底上原位制备了MgB2超导薄膜样品．样品厚度约为1μm左右。最高的超导起始转变温度Tc（onset）=40．3K，转变宽度△T为0．3K．ρ50K=2．3μΩcm，剩余电阻比率RRR=R300k／R50K=10．样品的X射线衍射分析表明，MgB2薄膜具有较好的c轴取向，晶粒大小约200nm．由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下，样品的临界电流密度Jc=7．6×10^-6A／cm^2，不同磁场下测得R～T曲线可以外推得到Hc2（0K）约10T。这些结果表明HPCVD技术在MgBa薄膜原位制备方面有着很大的优势，从而有利于实现MgB2薄膜在电子器件方面的应用．

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