摘要：基于内透明集电极（ITC）IGBT技术，提出了一种ITC超结IGBT（SJ—IGBT）结构。利用器件仿真工具，研究了SJ-IGBT的导通、开关、短路特性，并与普通平面栅ITC-IGBT技术指标进行了对比。仿真重点侧重于局域载流子寿命控制层（LCLC）位置和控制层内载流子寿命对开关、短路特性的影响。结果显示，与ITC—IGBT相比，SJ—IGBT通态压降与关断损耗折中技术曲线更加靠近原点，综合性能指标优于普通ITC—IGBT；同时，SJ-IGBT短路特性对LCLC位置和载流子局域寿命变化敏感度明显下降。

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