摘要：<正> 华声报讯:南京大学、中科院物理所和摩托罗拉中国研究院在北京宣布,他们发现铝酸镧(LAO)和镧铝氧氮(LAON)这两种材料在所有候选的高介电常数材料中具有最好的热稳定性,能很经济地集成到传统的半导体工艺过程中,有希望在65纳米以下工艺中替代二氧化硅,用作半导体晶体管的栅介质层,或者用作半导体电容的介电材料,有望代替传统的二氧化硅,从而在下一代的半导体元器件制造中扮演重要角色。

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