摘要：本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程，硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律，表面形态与表面质量控制等研究热点；介绍了绝缘体上硅（SOI）、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及技术发展趋势；展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光子学领域的发展前景。
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