摘要:日本Air Water公司和大阪府立大学共同开发了8英寸大直径SiC单晶的制造技术,这在世界上尚属首次。该技术是用化学气相沉积法(CVD)在SOI基板上生长SiC晶体层。制造工艺如下:①在Si基板上嵌入SiO2氧化层(形成SOI)基板;②使表面Si层减至极薄;③生成SiC种层;④进行SiC单晶层的外延生长。生长SiC单晶层使用的是该公司自制的高真空外延生长装置“VCE”。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
热门期刊服务
相关文章
影响因子:0.41
期刊级别:省级期刊
发行周期:双月刊
期刊在线咨询,1-3天快速下单!
查看更多>
超1000杂志,价格优惠,正版保障!
一站式期刊推荐服务,客服一对一跟踪服务!