首页 期刊 宇航学报 基于改进型(14,8)循环码的SRAM型存储器多位翻转容错技术研究 【正文】

基于改进型(14,8)循环码的SRAM型存储器多位翻转容错技术研究

作者:贺兴华 卢焕章 肖山竹 张路 张开锋 国防科学技术大学ATR国防重点实验室 长沙410073 中国人民解放军69126部队 新疆乌鲁木齐830092
静态存储器   容错   单字节多位翻转   突发错误   可靠性  

摘要:SRAM型存储器空间应用通常采取纠一检二(SEC-DED)的方法,克服空间单粒子翻转(SEU)对其产生的影响。随着SRAM型存储器工艺尺寸的减小、核心电压的降低,空间高能粒子容易引起存储器单个基本字多位翻转(SWMU),导致SEC-DED防护方法失效。在研究辐射效应引起的SRAM型存储器多位翻转模式特点的基础上,提出一种基于改进型(14,8)循环码的系统级纠正一位随机错和两位、三位突发错同时检测随机两位错(SEC-DED-TAEC)的系统级容错方法。基于该方法的存储器系统容错设计具有实现简单、实时性高的特点,已成功应用于某型号空间自寻的信息处理系统。仿真试验及实际应用表明,该方法可以有效防护SRAM型存储器件SWMU错误,有效提高了空间信息处理系统可靠性,可以为其它空间电子系统设计提供参考。

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