摘要：人们以前从电流机制出发来构建环栅肖特基势垒MOSFET漏源电流模型,目前还缺乏基于阈值电压的电流模型。将掺杂漏源环栅NMOSFET漏源电流模型中的阈值电压替换成环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压,得到基于阈值电压的环栅肖特基势垒NMOSFET漏源电流模型。与Sentaurus TCAD仿真结果对比,发现基于阈值电压的模型比基于电流机制的有更高精度。对比两种器件的仿真结果,结果表明,在0.04V的电子本征肖特基势垒高度下,环栅肖特基势垒NMOSFET的漏源电流大于掺杂源漏环栅NMOSFET。因此,要采用电子本征肖特基势垒高度较低的金属来做环栅肖特基势垒NMOSFET的源漏。

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