摘要：通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）法，在氢化物气相外延（HVPE）自支撑GaN衬底和蓝宝石（0001）衬底上外延生长AlGaN／AlN／GaN结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料，采用低压化学气相沉积SiN。作为栅介质层，形成金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）结构，对比研究了两种器件的材料性能和电学特性。阴极发光测试表明HVPE的自支撑GaN衬底缺陷密度可降至6×10^5cm^-2量级。自支撑GaN衬底上A1GaN／GaNHEMT结构具有良好的表面形貌，其表面粗糙度R。仅为0．51nm，具有较大的源漏电极饱和电流IDs=378mA／mm和较高跨导Gm=47mS／mm。动态导通电阻测试进一步表明，自支撑GaN衬底上同质外延生长的GaN缓冲层具有低缺陷密度，使AlOaN／GaNMISHEMT电流崩塌特性得到抑制。

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