摘要：用金属有机物化学气相沉积方法在，面蓝宝石上生长了非极性α面GaN薄膜，通过采用AlGaN多量子阱插入层，得到了高质量的非极性GaN材料．用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了。面GaN的表面形貌和结晶质量，发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除，（1120）面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″．

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