杂志简介：《物理学报》杂志经新闻出版总署批准，自1933年创刊，国内刊号为11-1958/O4，是一本综合性较强的教育期刊。该刊是一份半月刊，致力于发表教育领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：研究论文、研究快报
杂志简介：《物理学报》杂志经新闻出版总署批准，自1933年创刊，国内刊号为11-1958/O4，是一本综合性较强的教育期刊。该刊是一份半月刊，致力于发表教育领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：研究论文、研究快报
作者：江少恩; 孙可煦; 黄天暄; 成金秀; 丁永坤; 胡昕; 崔延莉; 陈久森; 于艳宁; 郑志坚 刊期：2004年第05期
在“神光Ⅱ”激光装置上，利用首轮基频激光打靶实验，采用标准腔靶，通过软X射线谱仪测量腔的辐射温度，通过XRD测量。射线角分布；通过缩短腔靶提高腔的辐射温度，研究“神光Ⅱ”装置所能达到最大的辐射温度；在标准腔靶中部诊断口接输运管即T形靶，研究辐射输运的输运效率．根据能量守恒定律和热波的自相似解，提出辐射输运的简化模型，并对...
作者：刘运全; 张杰; 陈正林; 彭晓昱 刊期：2004年第05期
采用光线追踪和光路函数的方法，优化设计了具有超环面镜的前置光学系统的掠入射软x射线平场谱仪，得到了谱仪的谱分辨和空间分辨本领．波前像差理论和光线追踪程序得到结果均表明，优化设计后的软x射线平场谱仪系统在波长为4—45nm的光谱范围内具有很好谱分辨能力(λ／△A>1000)和空间分辨能力(优于40μm)．
作者：景勤; 刘日平; 邵光杰; 王文魁 刊期：2004年第05期
制备出了长径比为25：1的Zr41Ti14Cu12.5Ni10Be22.5大块非晶合金棒．测定了该非晶合金的热膨胀系数，研究了结构弛豫对该合金的硬度和膨胀性能的影响．通过热膨胀法测定了该非晶合金适合于超塑性变形的温度范围，进行了该大块非晶合金的超塑性变形．
作者：薛建明; 二宫咎; 今西信嗣 刊期：2004年第05期
利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1-5MeVSi离子轰击siO2产生的Si^+二次离子动能分布和溅射产额,实验发现，当入射离子能量在1-2Mev时，溅射产额随离子能量上升而下降，这个趋势利用核溅射理论可以较好地解释；当入射离子能量高于3MeV时，溅射产额随离子能量上升而增加，电子溅射机理开始占主要地位，并且溅射规律与热峰模型的预期符合．通过对实...
作者：崔玉亭; 胡海宁; 刘国栋; 代学芳; 柳祝红; 张铭; 陈京兰; 吴光恒; 孟凡斌; 阎丽琴; 曲静萍; 李养贤 刊期：2004年第05期
利用各种实验手段对Ni52Mn24Ga24单晶中马氏体变体的择优取向进行了表征．针对金相观察、磁场干预的相变应变、磁感生应变等实验结果，分析了马氏体相变过程变体自发择优取向和磁诱导择优取向的机理．根据不同方向磁场干预相变应变的结果，计算了Ni52Mn24Ga24单晶中等效取向内应力的大小约为2．45MPa．从变体择优取向造成的有效弹性和磁畴分布两...
作者：王新燕; 曹世勋; 张玉凤; 津幡健; 崔玉建; 刘永生; 曹桂新; 西村克彦; 森克德; 敬超; 张金仓 刊期：2004年第05期
对Ce掺杂锰氧化物(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3(x=0—1．0)多晶样品的结构和输运性质系统研究的结果．实验表明，在低掺杂浓度下，样品呈现完整的正交钙钛矿结构；随掺杂浓度的增加，有少量CeO2杂相出现，同时伴随有Ce^3+和Ce^4+离子两种价态的涨落和Mn^2+/Mn^3+/Mn^4+混合价态的共存，Ce掺杂导致的体系无序度增加，使得绝缘体-金属(I-M)和顺磁-铁磁(...
作者：唐新峰; 陈立东; 王军; 罗派峰; 张清杰; 後藤孝; 平井敏雄; 袁润章 刊期：2004年第05期
系统地研究了离子半径不同的Ba，Ce，Y作为填充原子及Fe，Ni作为置换原子对填充化合物RyMxCO4-xSb12晶格热导率的影响规律．结果表明：在skunemdite结构的sb组成的20面体空洞中，Ba，Ce，Y的填充原子能显著降低其晶格热导率，且晶格热导率降低幅度按Ba，Ce，Y离子半径减小的顺序而增大．Sb组成的20面体空洞部分被Ba，Ce填充时，晶格热导率最小，...
作者：史迅; 陈立东; 柏胜强; 唐新峰 刊期：2004年第05期
用固相反应法和脉冲电流直接通电烧结法制备了cosb3/C60复合材料，其组分通过粉末x射线衍射法确定，SEM分析表明C60颗粒是均匀地分布在CoSb3基体中．在300—800K范围内测量了材料的电导率、赛贝克系数和热导率，研究了纳米颗粒的尺寸和分布状态对复合材料热电性能的影响．外加的C60纳米颗粒在高温时降低了复合材料的晶格热导率，而对电传输性能...
作者：倪海桥; 徐晓华; 张纬; 徐应强; 牛智川; 吴荣汉 刊期：2004年第05期
用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变．用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构．讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响．发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃...
作者：许海霞; 李钱光; 闵永泉; 李志扬 刊期：2004年第05期
采用Montecado方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟，分析了电容、温度等因素对存储器存储时间的影响，发现在相同条件下环型和对称陷阱型存储器一般要比多隧道结型存储器的存储时间长．
作者：李宗良; 王传奎; 罗毅; 薛其坤 刊期：2004年第05期
在测量分子结的伏．安特性时，电极可以由不同维度的电子体系构成．在弹性散射格林函数理论基础上，发展了研究分子结电输运性质的理论方法，并着重研究了电极维度对分子结伏一安特性的影响．选择1，4．苯二甲硫醇分子作为例子，定量地计算了不同维度的电极下分子结的伏-安特性曲线．计算结果表明，不同维度电子体系的电极给出的分子结伏．安特...
作者：叶超; 宁兆元; 程珊华; 辛煜; 许圣华 刊期：2004年第05期
研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C：F)薄膜的电学性质．发现对于不同C-Fx含量的薄膜，C==C含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响．薄膜的直流I-V，特性呈现I=aV+bV规律，是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流(SCLC)组成的导电过程．由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关，而a-C：F薄膜中C==C...
作者：潘葳; 沈文忠 刊期：2004年第05期
通过变温(10—300K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs(hi)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程．在晶界势垒模型的基础上，发现InN薄膜的电导特性取决于材料内部的晶界势垒高度，载流子输运特性是由于空穴在晶界处的积累决定的．从获得的InN薄膜晶界势垒高度，可以估算出InN薄膜内的缺陷浓度，结果与显微拉曼散射实验结果相一致...
作者：张锡娟; 成海英; 杨翠红; 王维 刊期：2004年第05期
考虑交换作用有效场的影响，计算了外磁场沿着[100]和[111]方向Er3Gas0一：的磁化强度，得到了与实验较符合的结果，证明在Er3Ga5O12中，超交换作用是不可忽略的因素。
作者：李晓红; 杨正 刊期：2004年第05期
用射频磁控溅射制备了Fe-Ni薄膜，研究了薄膜成分、溅射条件及热处理温度对薄膜结构和磁性的影响．通过选择适当的溅射条件和热处理温度，可得到适合于磁头材料应用的高饱和磁化强度的Fe-Ni软磁薄膜．
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