摘要：基于宽禁带半导体碳化硅材料,设计了一款4H-SiC基肖特基二极管,并利用Sentaurus模拟器对器件的正向特性和反向击穿特性进行了模拟研究。一方面介绍了Sentaurus模拟器在本文模拟中应着重解决的器件结构设计及网格优化问题,另一方面,模拟结果表明设计的4H-SiC肖特基二极管正向开启电压达到2.24V,反向击穿电压达到1278V,反向击穿电流达到12A。因此,碳化硅材料在肖特基二极管制造领域将具有极大的应用潜力及优势。

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