首页 期刊 微电子学与计算机 基于加权比特翻转的MLC型NAND闪存系统 【正文】

基于加权比特翻转的MLC型NAND闪存系统

作者:张旋; 余娟 西安理工大学; 陕西西安710082; 陕西师范大学; 陕西西安710062
多级单元   单元间干扰   加权比特翻转译码  

摘要:多级单元(Multi—Level—Cell,MLC)技术增加了NAND闪存的存储密度,但也增强了单元间干扰(Cell—to-Cell Interference,CCI)噪声强度,导致了NAND闪存的可靠性急剧下降.在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型基础上,提出了一种MLC型NAND闪存的加权比特翻转硬判决译码方法.仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,该方法既可保证MLC闪存单元的可靠性,对可保持较低的译码复杂度,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折衷.

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

学术咨询 免费咨询 杂志订阅