摘要：利用调制光谱技术研究了以分子束磊晶法成长于GaAs基板上的GaN薄膜的光学特性。结果表明，在PR、CER及PzR谱线中均可观察到激子跃迁信号En与旋轨道分裂信号（E0＋△0），且分裂量△0约为22meV。在15～300K的温度范围内均可观测到激子跃迁信号E0、自旋轨道分裂信号（E0＋△0）及DA-Pair信号；但温度在400K和500K时谱线中只存在激子跃迁信号E0与DA—Pair信号，而观察不到信号（E0＋△0）。随着温度的升高，样品的跃迁信号E0与自旋轨道分裂信号（E0＋△0）逐渐向低能量反方向移动。

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